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第一章 绪论 第一章

1、 问题:晶体硅太阳电池的背电极是负极
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

2、 问题:上海处在太阳辐射资源分布的最丰富带
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

3、 问题:晶体硅太阳电池制备工艺流程是先制绒再扩散制结
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

4、 问题:运载电荷的粒子称为载流子
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

5、 问题:太阳电池发电原理
答案: 【光伏效应

6、 问题:光谱分布是红外光区、可见光区和(  )
答案: 【紫外光区

7、 问题:目前,最主要的太阳电池是(    )
答案: 【晶体硅太阳电池

8、 问题:晶体硅太阳电池整个产业链包括哪四大块(  )(  )(   )(   )
答案: 【硅的提纯,硅棒的制备与切片,硅片的制备,光伏系统

第一章 绪论 第二章

1、 问题:冷氢化技术的作用是处理Hcl()
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

2、 问题:现代硅烷的制备采用歧化法()
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

3、 问题:工业硅的制备方法很多,通常使用还原剂二氧化硅( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

4、 问题:高纯多晶硅制备常采用的方法是( )
答案: 【西门子法

5、 问题:硅烷法制备多晶硅包含了( )、( )和()三个基本步骤
答案: 【硅烷的制备 硅烷的提纯 硅烷热分解

6、 问题:SiHcl3采用(  )提纯
答案: 【精馏法

第一章 绪论 第三章

1、 问题:浇铸法制备多晶硅采用一个坩埚( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

2、 问题:细颈的目的是为了无位错生长( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

3、 问题:分凝系数决定单晶硅中的杂质浓度(对)
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

4、 问题:制备直拉单晶硅和铸造多晶硅的主要原材料是( )
答案: 【高纯多晶硅

5、 问题:单晶硅的制备方法()和()
答案: 【区熔法 直拉法

6、 问题:多晶硅的制备方法()和()
答案: 【浇铸法 直熔法

第一章 绪论 第四章

1、 问题:铸造多晶硅晶粒越大说明质量越好( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

2、 问题:铸造多晶硅所用坩埚不需要涂层( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

3、 问题:铸造多晶硅结晶时在接近坩埚底部处熔体首先凝固,形成柱状晶( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

4、 问题:铸造多晶硅制备工艺中的退火是为了使晶锭温度均匀,以减少热应力( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

5、 问题:铸造多晶硅的制备方法(   )和()

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