第一周01充电器的设计(1) 第一周测验

1、 问题:1.在P型半导体中多数载流子是( )。
选项:
A:正离子
B:负离子
C:自由电子
D:空穴
答案: 【空穴

2、 问题:2.半导体中传导电流的载流子是( )。
选项:
A:电子
B:空穴电
C:自由电子和空穴
D:杂质离子
答案: 【自由电子和空穴

3、 问题:在本征半导体中掺入( )价元素杂质,就形成P型半导体。
选项:
A:三
B:五
C:四
D:两
答案: 【

4、 问题:P型半导体中,空穴多于电子,所以带( )
选项:
A:A.正电
B:B.负电
C:C.不带电
D:D.正负电
答案: 【C.不带电

5、 问题:PN结形成后,它的最大特点是( )
选项:
A:导电性
B:绝缘性
C:单向导电性
D:截止性
答案: 【单向导电性

6、 问题:硅二极管的门坎电压为( )伏。
选项:
A:0.7
B:0.5
C:0.2
D:0.1
答案: 【0.5

7、 问题:二极管在正向导通时,锗管压降为( )左右。
选项:
A:0.3
B:0.7
C:0.5
D:0.2
答案: 【0.3

8、 问题:二极管的反向电阻( ),其单向导电性能就( )
选项:
A:越大 越好
B:越大 越差
C:越小 越好
D:越小 越差
答案: 【越大 越好

9、 问题:硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )
选项:
A:大
B:小
C:相等
D:不确定
答案: 【

10、 问题:半导体中的空穴带正电
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

11、 问题:因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

12、 问题:P型半导体带正电,N型半导体带负电
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

13、 问题:在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

14、 问题:本证半导体温度升高后两种载流子浓度依然相等
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

第一周01充电器的设计(2) 第二次测验

1、 问题:半导体稳压二极管是用( )材料制成的。
选项:
A:硅
B:锗
C:硅或锗
D:二氧化硅
答案: 【硅或锗

2、 问题:稳压管的稳压区是其工作在( )
选项:
A:正向导通区
B:反向截止区
C:热击穿区
D:反向击穿区
答案: 【反向击穿区

3、 问题:稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压工作在反偏状态,但其两端电压必须大与它的稳压值UZ才有导通电流,否则处于( )状态
选项:
A:正偏
B:反偏
C:导通
D:截止
答案: 【截止

4、 问题:某硅二极管反向击穿电压为120v,则其最高反向工作电压为( )。
选项:
A:约120v
B:可略大于120v
C:小于30v
D:等于60v
答案: 【等于60v

第三周02前置音频放大器的设计(1) 第三周测验

1、 问题:在三极管输出特性曲线在放大区近似平行于横轴且相邻间距基本相等,表示电流放大系数基本上是( )
选项:
A:变化值
B:上升值
C:下降值
D:定值
答案: 【定值

2、 问题:在三极管输出特性曲线在放大区基本上平行于横轴,表示IB一定时IC值( )
选项:
A:变大
B:变小
C:跳变
D:基本不变
答案: 【基本不变

3、 问题:若三基管基极电流为0.05mA,集电极电流为2.91mA,则发射极电流为( )
选项:
A:0.05mA
B:2.91mA
C:2.86mA
D:2.96mA
答案: 【2.96mA

4、 问题:晶体三极管是一种( )控制的半导体器件。
选项:
A:电压
B:既是电流又是电压
C:功率
D:电流
答案: 【电流

5、 问题:若三极管正常工作时,基极电流变化量是0.01mA,则集电极电流变化量可能是( )
选项:
A:0mA
B:0.01mA
C:0.02mA
D:1.00mA
答案: 【1.00mA

6、 问题:各三极管的每个电极对地的电位如图,设NPN型为硅管,PNP型为锗管,试判断各三极管处于何种工作状态()
选项:
A:各三极管的工作状态分别是:放大、饱和、截止、饱和
B:各三极管的工作状态分别是:截止、放大、饱和、饱和
C:各三极管的工作状态分别是:放大、饱和、饱和、截止
D:各三极管的工作状态分别是:饱和、截止、饱和、饱和
答案: 【各三极管的工作状态分别是:饱和、截止、饱和、饱和

本门课程剩余章节答案为付费内容
本文章不含期末不含主观题!!
本文章不含期末不含主观题!!
支付后可长期查看
有疑问请添加客服QQ 2356025045反馈
如遇卡顿看不了请换个浏览器即可打开
请看清楚了再购买哦,电子资源购买后不支持退款哦
   

发表回复

您的电子邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注