2021 模拟电子技术(常州工学院) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-03-08到2021-07-05

常用半导体器件 第一单元测验

1、 问题:在本征半导体中加入  元素可形成N型半导体，加入  元素可形成P型半导体。（    ）
选项：
A:五价，三价
B:四价，五价
C:三价，五价
D:四价，三价
答案: 【五价，三价】

2、 问题:在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（   ）。
选项：
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:晶体缺陷
答案: 【杂质浓度】

3、 问题:当温度升高时，二极管反向饱和电流将（   ）。                
选项：
A:增大
B:减小
C:不变
D:不能确定
答案: 【增大】

4、 问题:半导体中有（   ）种载流子。
选项：
A:4
B:2
C:1
D:不确定
答案: 【2】

5、 问题:Si二极管的正向导通压降约为（   ）。
选项：
A:0.5V
B:0.2V
C:0.3V
D:0.7V
答案: 【0.7V】

【作业】常用半导体器件 第一单元作业

1、 问题:请问在相同的环境条件下，本征半导体材料和杂质半导体材料哪种材料的导电能力更强？为什么？
评分规则: 【 杂质半导体。
因为杂质半导体中载流子浓度要大于本征半导体中的载流子浓度，而载流子浓度越高，导电能力越强。
】

2、 问题:什么叫PN结的势垒电容？
评分规则: 【 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程
与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。
】

3、 问题:在杂质半导体中，多子浓度主要取决于什么？那少子浓度与什么有很大关系呢？为什么？
评分规则: 【 多子浓度主要取决与杂质浓度，因多子主要由杂质产生。
少子受温度的影响很大，温度升高会激发很多本征载流子，在多子基本不变时，少子会增加很多。
】

常用半导体器件（续）

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1、 问题:N沟道增强型MOS场效应管在(            )条件下，才会形成导电沟道。
选项：
A:UGS=0  
B:UGS>UGS(th) 
C:UGS>0    
D:UGS<0
答案: 【UGS>UGS(th) 】

2、 问题:放大状态下的晶体管三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-0.2V，-3V，则1、2、3脚对应的三个极是（   ）。
选项：
A:e、b、c  
B:e、c、b 
C:c、b、e  
D:b、e、c
答案: 【e、b、c  】

3、 问题:测得一放大电路中某晶体管三个极的直流电位为12V、11.3V和0V，该晶体管的类型为（         ）。
选项：
A:NPN型Si管；
B:PNP型Si管；
C:NPN型Ge管；
D:PNP型Ge管；
答案: 【PNP型Si管；】

4、 问题:当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（               ）。
选项：
A:前者反偏，后者也反偏；
B:前者正偏，后者反偏；
C:前者正偏，后者也正偏；
D:不能确定；
答案: 【前者正偏，后者反偏；】

5、 问题:晶体管各极电压为VB=1.8V，VE=0V，VC=12V，则该管工作在（            ）状态。
选项：
A:截止
B:饱和
C:放大   
D:已损坏
答案: 【已损坏】

6、 问题:结型场效应管和MOS场效应管的工作区有（           ）。
选项：
A:放大区
B:夹断区
C:可变电阻区
D:恒流区
答案: 【夹断区;
可变电阻区;
恒流区】

7、 问题:MOS场效应管结构上由金属、氧化物和半导体三部分組成。 
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

8、 问题:结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

9、 问题:三极管的特征频率fT 点对应的β为             。
答案: 【1】

10、 问题:若用结型场效应管构造放大电路，应使其工作在             区。
答案: 【恒流】

11、 问题:结型场效应管和MOS场效应管的工作区有（           ）。
选项：
A:可变电阻区、恒流区 和 夹断区 
B:饱和区、放大区 和 截止区
C:放大区
D:不确定
答案: 【可变电阻区、恒流区 和 夹断区 】

【作业】常用半导体器件（续） 常用半导体器件（续）

1、 问题:N沟道增强型MOS场效应管导通后，D-S间相当于一个受电压uGS控制的电流源，对吗？为什么？
评分规则: 【 对。
因为N沟道增强型MOS场效应管导通后，即进入了恒流区，输出曲线近似为一簇平行于uDS轴的直线，从输出特性曲线可以看出，iD电流只受uGS电压的控制而与uDS基本无关，所以说导通后D-S间相当于一个受电压uGS控制的电流源。
】

2、 问题:简述MOS场效应管的基本组成，并简要说明N沟道增强型MOS场效应管与P沟道耗尽型MOS场效应管电路符号的特点。
评分规则: 【 MOS场效应管一般由金属、氧化物（SiO2）和半导体三部分组成。
N沟道增强型MOS场效应管电路符号特点：D-S间虚线连接，箭头方向由衬底指向沟道。
P沟道耗尽型MOS场效应管电路符号特点：D-S间实线连接，箭头方向由沟道指向衬底。
】

3、 问题:简述晶体管的三个工作状态及偏置条件。
评分规则: 【 晶体管的工作状态有三种：放大状态、饱和状态和截止状态。
工作在放大状态的条件是发射结正偏，集电结反偏；
工作在饱和状态的条件是发射结正偏，集电结也正偏；
工作在截止状态的条件是发射结反偏，集电结也反偏。
】

基本放大电路-1

1、 问题:放大的基本要求是（        ）。
选项：
A:不失真
B:能量的控制
C:功率放大
D:与电路有关
答案: 【不失真】

2、 问题:在放大电路中放大的特征是（            ）。
选项：
A:功率放大 
B:能量的控制 
C:不失真
D:变化量
答案: 【功率放大 】

3、 问题:放大电路的性能指标有（            ）。
选项：
A:放大倍数
B:输入电阻和输出电阻
C:通频带
D:最大不失真输出电压
答案: 【放大倍数;
输入电阻和输出电阻;
通频带;
最大不失真输出电压】