2020 模拟集成电路设计(黑龙江工程学院) 最新满分章节测试答案

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第二部分半导体器件物理基础第二部分第一次测验
第二部分半导体器件物理基础第二部分第二次测试
第一部分课程概论第一部分第一次测验
第三部分集成电路制造工艺及版图第三部分第一次测验
第三部分集成电路制造工艺及版图第三部分第二次测验
第三部分集成电路制造工艺及版图第三部分第三次测验
第四部分模拟集成电路设计基础第四单元第一次测验
第四部分模拟集成电路设计基础第四单元第二次测验
第四部分模拟集成电路设计基础第四单元第三次测验
第四部分模拟集成电路设计基础第四单元第四次测验
第四部分模拟集成电路设计基础第四单元第五次测验
第五部分数字集成电路设计基础第五单元第一次测验
第五部分数字集成电路设计基础第五单元第二次测验
第五部分数字集成电路设计基础第五单元第三次测验
第五部分数字集成电路设计基础第五单元第四次测验
第五部分数字集成电路设计基础第五单元第五次测验
第五部分数字集成电路设计基础第五单元第六次测验
第五部分数字集成电路设计基础第五单元第七次测验

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本课程起止时间为:2020-04-14到2020-06-26
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第二部分半导体器件物理基础第二部分第一次测验

1、问题:题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
选项：
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 【夹断】

2、问题:题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。
选项：
A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 【耗尽】

3、问题:题2-1-3、在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
选项：
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:饱和区
D:三极管区
答案: 【饱和区】

4、问题:题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
选项：
A:电子
B:空穴
C:正电荷
D:负电荷
答案: 【空穴】

5、问题:题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。
选项：
A:夹断层
B:反型层
C:导电层
D:耗尽层
答案: 【反型层】

6、问题:题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
选项：
A:截止区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 【饱和区】

7、问题:题2-1-7、在NMOS中，若, 会使阈值电压（）。
选项：
A:增大
B:不变
C:减小
D:可大可小
答案: 【增大】

8、问题:题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。
选项：
A:大
B:小
C:近似于W
D:精确
答案: 【大】

9、问题:题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

10、问题:题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
选项：
A:体
B:衬偏
C:沟长调制
D:亚阈值导通
答案: 【沟长调制】

第二部分半导体器件物理基础第二部分第二次测试

1、问题:题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。
选项：
A:栅极氧化层电容
B:耗尽层电容
C:源漏交叠电容
D:结电容
答案: 【栅极氧化层电容】

2、问题:题2-2-2、工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。
选项：
A:截止
B:三极管
C:深三极管
D:饱和
答案: 【饱和】

3、问题:题2-2-3、下列说法正确的是（）。
选项：
A:MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B:MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
C:MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。
D:MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
答案: 【MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。】

4、问题:题2-2-4、一个MOS管的本征增益表述错误的是（）。
选项：
A:
B:在一定程度上，与该MOS管的过驱动电压成反比
C:与MOS尺寸无关
D:与MOS管电流无关
答案: 【与MOS管电流无关】