第一章 单元测试

1、 问题:

输入是交流,输出是直流的电路称为(     )

选项:
A:整流
B:逆变
C:直流斩波
D:交交变频
答案: 【
整流

2、 问题:

输入是交流,输出是交流的电路称为(     )

选项:
A:整流
B:逆变
C:直流斩波
D:交交变频
答案: 【
交交变频

3、 问题:

输入是直流,输出是直流的电路称为(     )

选项:
A:整流
B:逆变
C:直流斩波
D:交交变频
答案: 【
直流斩波

4、 问题:

输入是直流,输出是交流的电路称为(      )

选项:
A:整流
B:逆变
C:直流斩波
D:交交变频
答案: 【
逆变

5、 问题:

有源逆变电路是(       )

选项:
A:AC/DC变换器
B:DC/AC变换器
C:AC/AC变换器
D:DC/DC变换器
答案: 【
DC/AC变换器

6、 问题:

电力电子技术主要用于电力变换

选项:
A:对
B:错
答案: 【

7、 问题:

电力电子技术是对(     )进行变换和控制的技术

选项:
A:电能
B:电压
C:电流
D:功率
答案: 【
电能

8、 问题:

电力电子装置大量用于电力系统的谐波抑制和无功补偿

选项:
A:对
B:错
答案: 【

9、 问题:

电力电子技术研究的是电压技术

选项:
A:对
B:错
答案: 【

10、 问题:

电力电子技术广泛应用于哪些领域?

选项:
A:电力
B:工业
C:交通
D:家用电器
答案: 【
电力
工业
交通
家用电器

第二章 单元测试

1、 问题:

电力电子驱动电路必须提供控制电路与主电路之间的电气隔离,一般采用光隔离与磁隔离。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

2、 问题:

电力电子器件的损耗包括通态损耗与断态损耗。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

3、 问题:

电力MOSFET栅源电压不能大于10伏,否则将导致绝缘层击穿

选项:
A:对
B:错
答案: 【

4、 问题:

可关断晶闸管(gto)是一种(      )结构的半导体器件

选项:
A:四层三端
B:五层三端
C:三层二端
D:三层三端
答案: 【
四层三端

5、 问题:

晶闸管导通的条件是(      )

选项:
A:阳极加正向电压,门极有正向脉冲
B:阳极加正向电压,门极有负向脉冲
C:阳极加反向电压,门极有正向脉冲
D:阳极加反向电压,门极有负向脉冲
答案: 【
阳极加正向电压,门极有正向脉冲

6、 问题:

晶闸管内部有(     )PN结。

选项:
A:一个
B:二个
C:三个
D:四个
答案: 【
三个

7、 问题:

单结晶体管内部有(     )个PN结

选项:
A:一个
B:二个
C:
D:四个
答案: 【
二个

8、 问题:

功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为(     )

选项:
A:一次击穿
B:二次击穿
C:临界饱和
D:反向截止
答案: 【
二次击穿

9、 问题:

下列电力电子器件中,属于电压驱动型的是(     )

选项:
A:GTR
B:IGBT
C:SCR
D:GTO
答案: 【
GTR
IGBT

10、 问题:

下列器件中,属于电流型驱动的是(     )

选项:
A:GTR
B:IGBT
C:SCR
D:GTO
答案: 【
SCR
GTO

第三章 单元测试

1、 问题:

三相全控桥式整流电路,电阻负载,控制角α的移相范围是0°~(     )

选项:
A:90度
B:120度
C:150度
D:180度
答案: 【
120度

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