2021 集成电路设计基础(华中科技大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-02-22到2021-07-18

第一部分课程概论第一部分第一次测验

1、问题:题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是：。
选项：
A:2016年7月
B:2017年7月
C:2016年9月
D:2017年9月
答案: 【2016年7月】

2、问题:题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是：。
选项：
A:资本密集
B:技术密集
C:低风险
D:高风险
答案: 【低风险】

3、问题:题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔：     个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
选项：
A:12
B:18
C:24
D:36
答案: 【18   】

4、问题:题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是：。
选项：
A:More Moore
B:More than Moore
C:Beyond CMOS
D:SoC
答案: 【SoC】

5、问题:题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：。
选项：
A:LSI
B:VLSI
C:ULSI
D:SoC
答案: 【VLSI 】

6、问题:题1-1-6       年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
选项：
A:1947
B:1948
C:1957
D:1958
答案: 【1947   】

7、问题:题1-1-7       年发明了世界上第一块集成电路。
选项：
A:1957
B:1958
C:1959
D:1960
答案: 【1958   】

8、问题:题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是：     。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【胡正明】

9、问题:题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者：     。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【张忠谋    】

10、问题:题1-1-10 世界第一块集成电路发明者：     。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【基尔比     】

1、问题:MOS管一旦出现   现象，此时的MOS管将进入饱和区。
选项：
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 【夹断  】

2、问题: MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是。
选项：
A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 【耗尽】

3、问题:在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。
选项：
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:饱和区
D:三极管区
答案: 【饱和区】

4、问题:PMOS管的导电沟道中依靠导电。
选项：
A:电子
B:空穴
C:正电荷
D:负电荷
答案: 【空穴】

5、问题:载流子沟道在栅氧层下形成，源和漏之间“导通”。
选项：
A:夹断层
B:反型层
C:导电层
D:耗尽层
答案: 【反型层】

6、问题:下图中的MOS管工作在区（假定Vth=0.7V）。
选项：
A:截止区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 【饱和区】

7、问题:在NMOS中，若, 会使阈值电压。
选项：
A:增大
B:不变
C:减小
D:可大可小
答案: 【增大】

8、问题:题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越，输出电流越理想。
选项：
A:大
B:小
C:近似于W
D:精确
答案: 【大】

9、问题: 表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

10、问题:MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。
选项：
A:体
B:衬偏
C:沟长调制
D:亚阈值导通
答案: 【沟长调制】

1、问题:MOS管中相对最大的寄生电容是。
选项：
A:栅极氧化层电容
B:耗尽层电容
C:源漏交叠电容
D:结电容
答案: 【栅极氧化层电容】

2、问题:工作在区的MOS管，其跨导是恒定值。
选项：
A:截止
B:三极管
C:深三极管
D:饱和
答案: 【饱和】

3、问题: 下列说法正确的是。
选项：
A:MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B:MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。

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