2020 光电检测技术及系统(厦门工学院) 最新满分章节测试答案
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本课程起止时间为:2020-02-24到2020-06-20
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第2章 光电探测器理论基础 光电探测器理论基础自测
1、 问题:被光激发产生的电子溢出物质表面,形成真空中的电子的现象叫做()
选项:
A:内光电效应
B:外光电效应
C:光生伏特效应
D:丹培效应
答案: 【外光电效应】
2、 问题:半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
选项:
A:价带,导带
B:价带,禁带
C:禁带,导带
D:导带,价带
答案: 【价带,导带】
3、 问题:一个电阻值为1000欧姆的电阻,在室温下,工作带宽为1Hz时,热噪声均方电压为()
选项:
A:3nV
B:4nV
C:5nV
D:6nV
答案: 【4nV】
4、 问题:已知一束激光功率为30mW、波长为0.6328um,普朗克常数为
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【
5、 问题: 某半导体光电器件的长波限为13um,其杂质电离能
选项:
A:0.095J
B:0.095eV
C:
D:
答案: 【0.095eV】
6、 问题:对于P型半导体来说,以下说法正确的是()
选项:
A:电子为多子
B:空穴为少子
C:能带图中施主能级靠近于导带底
D:能带图中受主能级靠近于价带顶
答案: 【能带图中受主能级靠近于价带顶】
7、 问题:有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是()
选项:
A:半导体对光的吸收主要是本征吸收
B:半导体对光的吸收主要是非本征吸收
C:产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值
D:产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值
答案: 【半导体对光的吸收主要是本征吸收】
8、 问题:对于N型半导体来说,以下说法正确的是()
选项:
A:费米能级靠近导带底
B:空穴为多子
C:电子为少子
D:费米能级靠近靠近于价带顶
答案: 【费米能级靠近导带底】
9、 问题:某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功,并且导带底在真空能级下位7.5eV,则产生光电效应的长波限()
选项:
A:0.496um
B:0.496nm
C:0.248um
D:0.248um
答案: 【0.496um】
10、 问题:温度为300K时
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【
11、 问题:温度为300K时
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【
12、 问题:已知本征硅材料的禁带宽度
选项:
A:1.216(um)
B:
C:1.03(um)
D:
答案: 【1.216(um)】
13、 问题:温度为300K的本征硅半导体(
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【
14、 问题:温度为300K的本征硅半导体(
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【
15、 问题:温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【
16、 问题:温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【
17、 问题:探测器D*=
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【
18、 问题:已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um,则该材料的禁带宽度为()。
选项:
A:0.886J
B:0.886eV
C:866J
D:866eV
答案: 【0.886eV】
19、 问题:某半导体激光器发出的波长为680nm,其光子能量为()。
选项:
A:1.83eV
B:1.83J
C:0.00183eV
D:0.00183J
答案: 【1.83eV】
20、 问题:光电探测器中的噪声主要包括()
选项:
A:热噪声
B:散粒噪声
C:产生复合噪声
D:1/f噪声
E:温度噪声
答案: 【热噪声;
散粒噪声;
产生复合噪声;
1/f噪声 ;
温度噪声】
21、 问题:光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是()
选项:
A:本征吸收
B:杂质吸收
C:激子吸收
D:自由载流子吸收
E:晶格吸收
答案: 【本征吸收;
杂质吸收】
22、 问题:比探测率是一个与工作频率、测量带宽无关的常数。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
23、 问题:探测率是一个反映探测器探测能力的物理量,探测率越大,说明探测器的探测能力越强。
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