2020 光电测试技术(上海电力大学) 最新满分章节测试答案

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《光电测试技术》复习大纲第一次测验
《光电测试技术》复习大纲第二次测验
《光电测试技术》复习大纲第三次测验

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本课程起止时间为:2020-03-23到2020-06-30
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《光电测试技术》复习大纲第一次测验

1、问题:以下属于光电检测系统典型配置的是：
选项：
A:辐射源
B:信息载体
C:光电探测器
D:信息处理装置
E:灯光
F:太阳
G:黑体模拟器
H:白炽灯
I:卤钨灯
J:光纤
K:导线
L:放大器
M:功放
答案: 【辐射源;
信息载体;
光电探测器;
信息处理装置】

2、问题:辐射度学的基本物理量是：
选项：
A: 辐通量
B:辐功率
C:辐强度
D:辐亮度
E:辐射度
F:辐出度
G:辐射出射度
H:辐照度
I:波长
J:辐射方向
K:立体角
L:球面度
M:瓦
N:辐射能
O:辐射特性
答案: 【辐通量;
辐功率;
辐强度;
辐亮度;
辐射度;
辐出度;
辐射出射度;
辐照度】

3、问题:光度学的基本物理量与辐射度学的基本物理量有所不同，其原因是：
选项：
A:眼睛的灵敏度
B:人的视力差异
C:视见函数
D:光的功率不同
E:光的颜色不同
F:眼睛的生理特性
G:光的波长不同
H:光的频率不同
I:光的亮度不同
答案: 【眼睛的灵敏度;
眼睛的生理特性】

4、问题:与长波限有关的选项是：
选项：
A:光子能量
B:材料的禁带宽度
C:本征吸收
D:价带中的电子吸收光子跃迁到导带
E:杂质吸收
F:空穴
G:直接复合
H:间接复合
答案: 【光子能量;
材料的禁带宽度;
价带中的电子吸收光子跃迁到导带】

5、问题:以下属于光电探测器中的噪声的是：
选项：
A:均方噪声电流
B:功率
C:功率谱
D:热噪声
E:散粒噪声
F:产生-复合噪声
G:1／f噪声
H:温度噪声
I:电流的均方值
J:器件的热导
K:噪声源
L:白噪声
答案: 【热噪声;
散粒噪声;
产生-复合噪声;
1／f噪声;
温度噪声】

6、问题:光度学的基本物理量有：
答案: 【(以下答案任选其一都对)光通量;
发光强度;
亮度;
光出射度;
照度】
分析：【请参看第3版教材第4-5页。请注意：第4版教材的页码有时略有变化。】

7、问题:固体中由于原子数量巨大且紧密排列，形成所谓的：
答案: 【能带】
分析：【请参看第3版教材第7-11页。请注意：第4版教材的页码有时略有变化。】

8、问题:电子的共有化运动，导致了————的形成。
答案: 【能带】
分析：【请参看第3版教材第8-10页。请注意：第4版教材的页码有时略有变化。】

9、问题:光电检测器件的工作基础是：
答案: 【半导体材料吸收光能产生非平衡载流子】
分析：【请参看第3版教材第8-10页。请注意：第4版教材的页码有时略有变化。】

10、问题:本征半导体是指：
答案: 【没有杂质和缺陷的半导体】
分析：【请参看第3版教材第8-10页。请注意：第4版教材的页码有时略有变化。】

《光电测试技术》复习大纲第二次测验

1、问题:以下各项中，属于光源的颜色定义范畴的是：
选项：
A:色表
B:显色性
C:色温
D:相关色温
E:分布温度
F:光源强度
G:光源的稳定性
H:光源的光谱特性
I:热辐射
J:黑体
答案: 【色表;
显色性】

2、问题:半导体结型光电器件是利用( ）来工作的光电探测器件。
选项：
A:光生伏特效应
B:光电导效应
C:光电二极管
D:光电池
E:光可控硅
F:象限式光电器件
G:位置敏感探测器
H:光电耦合器
I:光伏效应
J:PN结光伏效应
K:光热效应
答案: 【光生伏特效应;
光伏效应;
PN结光伏效应】

3、问题:以下属于结型光电器件的是：
选项：
A:光电池
B:光电二极管
C:光电晶体管
D:PIN光电二极管
E:雪崩光电二极管
F:光可控硅
G:象限式光电器件
H:位置敏感探测器
I:光电耦合器件
J:气体激光器
K:固体激光器
L:染料激光器
M:半导体激光器
N:等离子体激光器
O:非线性光学器件
P:照明光源
Q:阴极射线管
R:等离子体管
S:荧光显示器
T:液晶显示器
U:场致发光显示器
V:气体放电灯
W:荧光灯
答案: 【光电池;
光电二极管;
光电晶体管;
PIN光电二极管;
雪崩光电二极管;
光可控硅;
象限式光电器件;
位置敏感探测器;
光电耦合器件】

4、问题:半导体结型光电器件是利用（）来工作的光电探测器件。
选项：
A:光生伏特效应
B:半导体器件受到光照后会产生电动势
C:光生载流子被结电场分离后，空穴流入P区，电子流入N区，在结区两边产生势垒
D:光电导效应
E:外光电效应
F:内光电效应
G:光电发射效应
H:物质的逸出功
I:负电子亲和势
J:红限频率
K:PN结
L:硅光电池
答案: 【光生伏特效应;
半导体器件受到光照后会产生电动势;
光生载流子被结电场分离后，空穴流入P区，电子流入N区，在结区两边产生势垒】