2021 功率半导体器件工艺(西南交通大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-03-12到2021-06-28
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第1章 硅片的制备 第一讲 作业

1、 问题:在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?
选项：
A:（100）
B:（111）
C:（110)
D:(211)
答案: 【（111）】

2、 问题:磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：
选项：
A:轴向均匀
B:轴向递减
C:轴向递増
D:径向递减
答案: 【轴向递减】

3、 问题:关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确
选项：
A:可以多次缩颈
B:为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C:为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D:为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
答案: 【可以多次缩颈;
为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸;
为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸】

4、 问题:在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析：【因硅熔体温度梯度带来的密度（重力）差造成的干锅内熔体强对流减弱的缘故】

5、 问题:拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的  造成。
答案: 【(以下答案任选其一都对)O;
氧】

第二讲 介绍第2章 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容 第二讲 作业

1、 问题:VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
选项：
A:自掺杂效应
B:互扩散效应
C:衬底表面没清洗干净的缘故。
D:掺杂气体不纯
答案: 【互扩散效应】

2、 问题:在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
选项：
A:MBE
B:VPE、LPE
C:UHV/CVD
D:SEG、SPE
答案: 【MBE;
UHV/CVD】

3、 问题:如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【只在一定范围成立，如SiCl4为硅源超过临界值会生成多晶、甚至腐蚀衬底。】

4、 问题:外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长      薄膜。
答案: 【(以下答案任选其一都对)晶体;
单晶】

5、 问题:VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在        完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面
答案: 【硅片表面】

第三讲，介绍第3章 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 第三讲 作业

1、 问题:通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
选项：
A:掺氯氧化
B:干氧
C:干氧-湿氧-干氧
D:低压氧化
答案: 【干氧-湿氧-干氧】

2、 问题:关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
选项：
A:生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B:温度升高氧化速率迅速增加
C:（111）硅比（100）硅氧化得快
D:有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E:生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F:生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
答案: 【温度升高氧化速率迅速增加;
（111）硅比（100）硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律】

3、 问题:制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

4、 问题:热氧化速率快慢排序：        氧化最快、        氧化次之、        氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
答案: 【水汽、湿氧、干氧】

5、 问题:热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质        引起的。（两个字）
答案: 【分凝】

【作业】第三讲，介绍第3章 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 仿真作业

1、 问题:题目见附件ppt中“实际操作内容”。请形成实验报告以word文档形式提交
评分规则: 【 仿真
实验报告
】

【作业】第六讲，介绍第6章 化学汽相淀积，包括：CVD概述，CVD工艺原理、方法，二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。 第6周仿真作业

1、 问题:1、改变淀积时间的模拟实验程序设置:设置淀积设备为MOCVD,淀积二氧化硅介质,淀积速率为500A/min,分析淀积时间分别为1min、3min、Smin时,淀积二氧化硅层图形的变化特点和规律2、改变淀积速率的模拟实验程序设置:设置淀积设备为MOCVD,淀积二氧化硅,淀积时间为1.5min,分析淀积速率分别为600A /min, 1000A /min, 1500A/min时,淀积金属层图形的变化特点和规律。3、改变淀积设备设置淀积设备位LPCVD，淀积二氧化硅，淀积速率为500A/min,分析淀积时间分别为1min、3min、Smin时,淀积二氧化硅层图形的变化特点和规律并与mvcd进行比较4、淀积多晶硅设置淀积条件位900℃，将磷扩散掺杂于多晶硅中
评分规则: 【 1、改变淀积时间的模拟实验
2、改变淀积速率的模拟实验
3、改变淀积设备
4、淀积多晶硅
】

第六讲，介绍第6章 化学汽相淀积，包括：CVD概述，CVD工艺原理、方法，二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。 第六讲 作业

1、 问题:LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为：
选项：
A:温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B:淀积速率受气相质量输运控制；
C:淀积速率受表面化学反应控制；
D:反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
答案: 【淀积速率受气相质量输运控制；】

2、 问题:poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？
选项：
A:PECVD
B:LPCVD
C:APCVD
D:LCVD
答案: 【LPCVD】

3、 问题:关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
选项：
A:含H；
B:抗腐蚀性好；
C:台阶覆盖性较好；
D:是中温工艺；
E:常作为芯片的保护膜；
F:常作为腐蚀掩膜。
答案: 【含H；;
台阶覆盖性较好；;
常作为芯片的保护膜；】

4、 问题:等离子体是物质的一种热平衡存在形态。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

5、 问题:CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散；       ；表面迁移。（三个字）
答案: 【再发射】

【作业】第七讲 介绍第7章物理汽相淀积，包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容 金属化仿真作业

1、 问题:（1）改变淀积时间的模拟实验程序设置:设置淀积设备为MOCVD,淀积金属为铝,淀积速率为500A/min,分析淀积时间分别为1min、3min、Smin时,淀积金属层图形的变化特点和规律（2）改变淀积速率的模拟实验程序设置:设置淀积设备为MOCVD,淀积金属为铝,淀积时间为1.5min,分析淀积速率分别为600A /min, 1000A /min, 1500A/min时,淀积金属层图形的变化特点和规律。
评分规则: 【 （1）
（2）
】

第七讲 介绍第7章物理汽相淀积，包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容 第七讲 作业

1、 问题:为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：
选项：