2021 功率半导体器件(沈阳工业大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-09-13到2022-01-21

第二章 功率二极管 第二章 测试

1、 问题:PIN二极管的I区一般为（    ）。
选项：
A:A、本征区     
B:B、 N+区       
C:C、 P+区       
D:D、N-区
答案: 【D、N-区】

2、 问题:穿通PiN二极管在转折电压下的电场分布为（   ）。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

3、 问题:所谓PIN二极管的软恢复是指：（    ）。
选项：
A:漏电流大
B:恢复电流大
C:反向恢复过程中电流换流速度慢
D:反向恢复峰值电流之后电流下降速度慢
答案: 【反向恢复峰值电流之后电流下降速度慢】

4、 问题:功率PIN二极管的实际结构一般为（   ）。
选项：
A:P+P-N+结构
B:P+N-N+结构
C:P+N-结构
D:P-N+结构
答案: 【P+N-N+结构】

5、 问题:实现局域寿命控制的工艺是（   )。
选项：
A:扩金。
B:扩铂。
C:电子辐照。
D:质子辐照。
答案: 【质子辐照。】

6、 问题:同样条件下，对于肖特基二极管、JBS二极管、MPS二极管和PIN二极管，其中（     ）的反向漏电流最大。
选项：
A:肖特基二极管
B:PIN二极管
C:JBS
D:MPS
答案: 【肖特基二极管】

7、 问题:JBS二极管是通过（    ）改善肖特基二极管反向特性的。
选项：
A:减小漂移区厚度
B:降低肖特基结半导体表面电场来
C:增大势垒高度
D:减小势垒高度
答案: 【降低肖特基结半导体表面电场来】

8、 问题:肖特基二极管的电流传输机制是（    ）。
选项：
A:热电子发射
B:扩散
C:漂移
D:扩散+漂移
答案: 【热电子发射】

9、 问题:JBS二极管的电流传输机制是（    ）。
选项：
A:扩散
B:热电子发射
C:漂移
D:扩散+漂移
答案: 【热电子发射】

10、 问题:MPS二极管的电流传输机制是（    ）。
选项：
A:扩散+漂移
B:漂移
C:热电子发射+扩散
D:扩散
答案: 【热电子发射+扩散】

11、 问题:PIN二极管正向导通状态的载流子分布如图为减小反向恢复峰值电流，应该（    ）。
选项：
A:减小阴极侧（即n+n结附近）的等离子浓度
B:增加阴极侧（即n+n结附近）的等离子浓度
C:减小阳极侧（即p+n结附近）的等离子浓度
D:增加阳极侧（即p+n结附近）的等离子浓度
答案: 【减小阳极侧（即p+n结附近）的等离子浓度】

12、 问题:图A和图B是PIN功率二极管的两种终端斜角结构，分别是（        ）。图A图B
选项：
A:正斜角，正斜角
B:正斜角，负斜角
C:负斜角，负斜角
D:负斜角，负斜角
答案: 【正斜角，负斜角】

13、 问题:MPS二极管的通态压降由（        ）构成。
选项：
A:PN结结压降和漂移区体压降
B:肖特基结结压降、漂移区体压降和N/N+结压降
C:PN结结压降、漂移区体压降和N/N+结压降
D:漂移区体压降和N/N+结压降
答案: 【肖特基结结压降、漂移区体压降和N/N+结压降】

14、 问题:PIN二极管的I区体压降（       ）。
选项：
A:等于I区电阻率与电流的乘积
B:等于I区的电阻与电流的乘积
C:与电流无关
D:与电流有关
答案: 【与电流无关】

15、 问题:JBS二极管漂移区的压降（        ）。
选项：
A:大于漂移区电阻率与电流密度的乘积
B:小于漂移区电阻率与电流密度的乘积
C:与电流无关
D:等于漂移区电阻率与电流密度的乘积
答案: 【大于漂移区电阻率与电流密度的乘积】

16、 问题:PIN二极管的正向压降（不包含接触压降）主要包括：（   ）。
选项：
A:PI结压降
B:NI结压降
C:I区体压降
D:P区体压降
答案: 【PI结压降;
NI结压降;
I区体压降】

17、 问题:减小PIN二极管正向压降应采取的措施包括：（   ）。
选项：
A:增大芯片厚度
B:增大载流子寿命
C:尽可能减小芯片厚度
D:减小载流子寿命
答案: 【增大芯片厚度;
增大载流子寿命;
尽可能减小芯片厚度】

18、 问题:描述PIN二极管反向恢复特性的参数包括：（      ）。
选项：
A:反向恢复时间
B:反向恢复峰值电流
C:阻断电压
D:软度因子
答案: 【反向恢复时间;
反向恢复峰值电流;
软度因子】

19、 问题:对PIN二极管来说，好的反向恢复特性的标准主要包括：（   ）。
选项：
A:反向漏电流小
B:反向恢复时间短
C:反向恢复峰值电流小
D:软度因子大
答案: 【反向恢复时间短;
反向恢复峰值电流小】

20、 问题:JBS、PIN、MPS三种结构二极管，其中（   ）。
选项：
A:PIN二极管通态压降最小
B:MPS二极管通态压降最小
C:PIN二极管过电流能力最强
D:JBS二极管反向恢复时间最短
答案: 【MPS二极管通态压降最小;
PIN二极管过电流能力最强;
JBS二极管反向恢复时间最短】

21、 问题:肖特基二极管反向漏电流大的原因是（     ）。
选项：
A:漂移电流大
B:耗尽层宽
C:镜像势垒降低效应
D:隧穿效应
答案: 【镜像势垒降低效应;
隧穿效应】

22、 问题:若阻断电压为4000V，，穿通结构二极管高阻区厚度和电阻率（    ）。
选项：
A:149Ωcm
B:423微米
C:318微米
D:137Ωcm