2020 半导体器件仿真(厦门理工学院) 最新满分章节测试答案

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第一讲半导体物理基础第一讲单元测验 —— 半导体物理基础
【作业】第一讲半导体物理基础第一讲作业
【作业】第二讲 pn结及金半接触第二讲单元作业
【作业】第三讲 3.2 MOSFET结构及特性第三讲 3.1及3.2 作业
【作业】第四讲光电器件及关键工艺第四讲作业

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第一讲半导体物理基础第一讲单元测验 —— 半导体物理基础

1、问题:硅的晶格结构是，按能带结构划分属于（）。
选项：
A:金刚石型，直接带隙半导体
B:闪锌矿型，直接带隙半导体
C:金刚石型，间接带隙半导体
D:闪锌矿型，间接带隙半导体
答案: 【金刚石型，间接带隙半导体】

2、问题:金刚石结构是由两个结构沿空间对角线错开四分之一长度互相套构而成。（）
选项：
A:简单立方
B:面心立方
C:体心立方
D:闪锌矿
答案: 【面心立方】

3、问题:对于金刚石结构，原子面密度最大和最小的面密勒指数分别是（）。
选项：
A:(100)，(111)
B:(111)，(100)
C:(111)，(110)
D:(100)，(110)
答案: 【(111)，(100)】

4、问题:半导体电阻率的温度系数为，金属电阻率的温度系数为（）。
选项：
A:正，正
B:正，负
C:负，正
D:负，负
答案: 【负，正】

5、问题:设N个硅原子排列起来结合形成硅晶体，根据不相容原理，原来属于N个单个原子的相同价电子能级必定分裂成属于整个晶体的N个能级，可以容纳的电子数为（）。
选项：
A:N
B:2N
C:N2
D:8N
答案: 【2N】

6、问题:下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。
选项：
A:硅是间接带隙半导体
B:禁带宽度具有负的温度系数
C:室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D:位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
答案: 【室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV】

7、问题:硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是，离近。（）
选项：
A:施主能级，导带底
B:施主能级，价带顶
C:受主能级，导带底
D:受主能级，价带顶
答案: 【受主能级，价带顶】

8、问题:下列关于费米能级的说法错误的是（）。
选项：
A:费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B:本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C:N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D:N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
答案: 【N型半导体的费米能级比较靠近价带顶】

9、问题:下列关于复合中心的说法中，错误的是（）。
选项：
A:复合中心的重要作用是促进非平衡载流子的复合