2018 半导体器件物理(江苏信息职业技术学院)1002679001 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2018-03-13到2018-07-05
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第一周–第二周 半导体特性 半导体特性 测验

1、 问题:半导体接受光照，会使材料导电性能     ，电阻率      
选项：
A:上升，；上升
B:下降，上升
C:上升，下降
D:下降，下降
答案: 【上升，下降】

2、 问题:以下说法正确的是
选项：
A:价带肯定是满带
B:导带肯定是空带
C:禁带宽度的单位是长度单位
D:Ev是指价带顶
E:Ec是指导带底
答案: 【Ev是指价带顶;
Ec是指导带底】

3、 问题:以下说法正确的是
选项：
A:迁移率随着杂质浓度的增加而增加
B:电阻率与杂质浓度成反比
C:漂移运动是指浓度差作用下的载流子运动 
D:载流子的漂移速度只和温度及杂质浓度有关
答案: 【电阻率与杂质浓度成反比】

4、 问题:以下说法不正确的是
选项：
A:温度越高，扩散越容易
B:影响漂移和扩散的因素基本类似
C:载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在
D:同一种载流子在不同材料中的扩散系数是不一样
答案: 【载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在】

5、 问题:磷可以作为杂质掺入硅半导体中，以下说法正确的是
选项：
A:是深能级杂质
B:是间隙杂质
C:是施主杂质
D:电离后带负电
答案: 【是施主杂质】

6、 问题:关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是
选项：
A:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度，
D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
答案: 【N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度】

7、 问题:已知Si中每立方厘米掺有个硼原子
选项：
A:这是N-Si
B:该半导体中NA=
C:该半导体中电子浓度为
D:该半导体中费米能级在禁带中心的下方
答案: 【该半导体中NA=;
该半导体中费米能级在禁带中心的下方】

8、 问题:关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有
选项：
A:空穴会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散
B:空穴会在电场作用下沿电场方向漂移
C:电子会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散
D:电子会在电场作用下沿电场方向漂移
答案: 【空穴会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散;
空穴会在电场作用下沿电场方向漂移;
电子会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散】

9、 问题:关于半导体的晶体结构，以下说法中正确的是
选项：
A:硅是金刚石结构
B:单晶硅中原子排列整齐，各部分性质相同
C:多晶硅中的原子排列杂乱无序，所以在集成电路制造过程中不使用
D:晶胞是晶体结构中最小的周期性重复单元
答案: 【硅是金刚石结构;
晶胞是晶体结构中最小的周期性重复单元】

10、 问题:判断：热平衡是指当复合等于产生，不再继续进行时所实现的平衡 
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

11、 问题:判断：掺杂浓度越高，费米能级也越高
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

12、 问题:判断：轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

13、 问题:判断：复合作用越剧烈，少子扩散长度越大
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

14、 问题:判断：允带和允带之间的能量间隔就是禁带
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

15、 问题:已知N-Si中的少子寿命是10us，μn=1300/V•s，μp=400/V•s,则该材料中少子扩散系数为                   
答案: 【10.4】

16、 问题:已知N-Si中的少子寿命是10us，μn=1300/V•s，μp=400/V•s，则该材料中少子扩散长度为            
答案: 【102】

【作业】第三周 平衡PN结和PN结的伏安特性 PN结的基本特性

1、 问题:PN结最基本的特性是什么
评分规则: 【 单向导电性
】

2、 问题:在平衡PN结形成的过程开始时，N型半导体与P型半导体相接触，所以电子会从N区向P区（  ）
评分规则: 【 扩散
】

3、 问题:伴随着扩散的进行，在N区和P区交界附件会出现空间电荷，空间电荷区中的电场方向是？
评分规则: 【 由N→P
】

4、 问题:PN结外加正向电压时，势垒区高度会如何变化
评分规则: 【 变小
】

5、 问题:“PN结势垒宽度越大，越容易导电”这个命题是否正确
评分规则: 【 不正确
】

第一章 半导体特性 江苏信息17微电 第一章单元测试

1、 问题:半导体接受光照，会使材料导电性能    ，电阻率     
选项：
A:变差，变大
B:变好，变小
C:变差，变小
D:变好，变大
答案: 【变好，变小】

2、 问题:以下说法正确的是
选项：
A:Ev是指价带顶
B:禁带宽度是指价带和导带间的距离
C:价带肯定是满带
D:导带肯定是空带
答案: 【Ev是指价带顶】

3、 问题:以下说法正确的是
选项：
A:电阻率与杂质浓度成反比
B:迁移率随着杂质浓度的增加而增加
C:漂移运动是指浓度差作用下的载流子运动 
D:载流子的迁移率只和温度及杂质浓度有关
答案: 【电阻率与杂质浓度成反比】

4、 问题:以下说法不正确的是
选项：
A:载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在
B:杂质浓度越高，扩散越不容易
C:影响漂移和扩散的因素基本类似
D:同一种载流子在不同材料中的扩散系数是不一样
答案: 【载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在】

5、 问题:磷可以作为杂质掺入硅半导体中，以下说法正确的是
选项：
A:是施主杂质
B:是深能级杂质
C:是间隙杂质
D:电离后带负电
答案: 【是施主杂质】

6、 问题:非杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是
选项：
A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度