2022 半导体器件物理(江苏信息职业技术学院)1468764497 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2022-09-05到2023-01-05

第一章 半导体的特性 半导体特性 测验

1、 问题:半导体接受光照，会使材料导电性能     ，电阻率      
选项：
A:上升，；上升
B:下降，上升
C:上升，下降
D:下降，下降
答案: 【上升，下降】

2、 问题:以下说法正确的是
选项：
A:价带肯定是满带
B:导带肯定是空带
C:禁带宽度的单位是长度单位
D:Ev是指价带顶
E:Ec是指导带底
答案: 【Ev是指价带顶;
Ec是指导带底】

3、 问题:以下说法正确的是
选项：
A:迁移率随着杂质浓度的增加而增加
B:电阻率与杂质浓度成反比
C:漂移运动是指浓度差作用下的载流子运动 
D:载流子的漂移速度只和温度及杂质浓度有关
答案: 【电阻率与杂质浓度成反比】

4、 问题:以下说法不正确的是
选项：
A:温度越高，扩散越容易
B:影响漂移和扩散的因素基本类似
C:载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在
D:同一种载流子在不同材料中的扩散系数是不一样
答案: 【载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在】

5、 问题:磷可以作为杂质掺入硅半导体中，以下说法正确的是
选项：
A:是深能级杂质
B:是间隙杂质
C:是施主杂质
D:电离后带负电
答案: 【是施主杂质】

6、 问题:关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是
选项：
A:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度，
D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
答案: 【N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度】

7、 问题:已知硅半导体中每立方厘米掺有1个硼原子，则：
选项：
A:这是N-Si
B:电子浓度为
C:该半导体中空穴为少数载流子
D:该半导体的费米能级在禁带中心下方
答案: 【该半导体的费米能级在禁带中心下方】

8、 问题:关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有
选项：
A:电子会顺着浓度差方向扩散
B:空穴会顺着浓度差方向扩散
C:电子会顺着电场方向漂移
D:空穴会顺着电场方向漂移
答案: 【电子会顺着电场方向漂移】

9、 问题:关于硅的晶体结构，以下说法正确的是
选项：
A:硅是闪锌矿结构
B:单晶硅中原子排列整齐有序，所以单晶硅不同晶面的性质也是一样的
C:多晶硅长程无序，芯片制造中是不会使用多晶硅的
D:单晶硅中最常见的晶向是[100]，[110]，[111]
答案: 【单晶硅中最常见的晶向是[100]，[110]，[111]】

10、 问题:若半导体中硼的浓度为，磷的浓度为则
选项：
A:该半导体为N型半导体，多子是电子
B:该半导体为N型半导体，多子是空穴
C:该半导体为P型半导体，多子是电子
D:该半导体为P型半导体，多子是空穴
答案: 【该半导体为P型半导体，多子是空穴】

11、 问题:热平衡是指当复合和产生都不再进行时的状态
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

12、 问题:半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

13、 问题:轻掺杂的N型半导体中本征载流子浓度比重掺杂的N型半导体中本征载流子浓度要低
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

14、 问题:半导体中复合作用越强，其非平衡少子扩散长度越大
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

15、 问题:允带和允带间的能量间隔就是禁带
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

16、 问题:半导体的导电性会随着温度升高而增强，是因为本征激发的存在 
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

17、 问题:位错，层错等缺陷越多，半导体的少子寿命越短
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

18、 问题:P型半导体不能转变成N型半导体
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

19、 问题:小注入条件是指注入的非平衡少数载流子浓度远小于半导体中的多子浓度
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

20、 问题:浅能级杂质如磷，硼，一般是会影响半导体的复合作用深能级杂质如金，一般是会影响半导体的导电性
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

第二章 PN结 第二章 PN结特性测验

1、 问题:关于PN结的反向击穿特性，以下说法正确的有
选项：
A:一般希望PN结的击穿电压尽可能的大一些
B:雪崩击穿电压一般比隧道击穿电压小一些
C:隧道击穿比较常见
D:一旦击穿，PN结就损毁了
答案: 【一般希望PN结的击穿电压尽可能的大一些】

2、 问题:已知有一PN+结，通过降低NA，可以
选项：
A:提高击穿电压
B:减小势垒区宽度
C:提高势垒电容
D:并没有什么影响
答案: 【提高击穿电压】

3、 问题:以下关于PN结电容说法正确的是
选项：
A:反向偏压增大时，势垒电容减小；
B:正向偏压增大时，势垒电容减小；
C:正向偏压增大时，扩散电容减小；
D:D. 势垒电容是一种固定电容。
答案: 【反向偏压增大时，势垒电容减小；】

4、 问题:关于PN结，说法不正确的是
选项：
A:PN结始终具有整流特性
B:平衡PN结中，N型半导体一侧的空间电荷　区是由施主杂质离子构成的
C:正向电压作用下，PN结电容以扩散电容为主(
D:PN结中自建电场的方向是由N区指向P区
答案: 【PN结始终具有整流特性】

5、 问题:平衡PN结形成过程中
选项：
A:N区的电势比P区高
B:N区的电势能比P区高
C:N区的空穴向P区扩散
D:N区的电子向P区漂移
答案: 【N区的电势比P区高】

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