2020 半导体器件(金陵科技学院) 最新满分章节测试答案
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本课程起止时间为:2020-03-04到2020-05-31
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第六周 PN结的开关特性 【单元测验】半导体器件基本方程及PN结的基本知识
1、 问题:PN结中冶金结的含义是( )。
选项：
A:空间电荷区
B:界面
C:耗尽层
D:势垒层
答案: 【界面】
2、 问题:反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（ ）过程。
选项：
A:漂移和扩散
B:扩散和复合
C:产生和扩散
D:产生和漂移
答案: 【产生和扩散】
3、 问题:理想PN结的电流是（ ）。
选项：
A:多子漂移电流
B:复合-产生电流
C:少子扩散电流
D:多子扩散电流
答案: 【少子扩散电流】
4、 问题:对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（ ）的非平衡载流子电荷。
选项：
A:P型中性区
B:N型中性区
C:N型势垒区
D:P型势垒区
答案: 【P型中性区】
5、 问题:为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机构兼有的范围，原因是雪崩击穿具有（ ）而齐纳击穿具有与之相反的特性。
选项：
A:可逆
B:负温度系数
C:正温度系数
D: 不可逆
答案: 【正温度系数】
6、 问题:PN结的空间电荷区的电荷有（ ）。
选项：
A:施主离子
B:电子
C:受主离子
D:空穴
答案: 【施主离子;
受主离子】
7、 问题:PN结中有很多参数或性能都由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的，下面（ ）就是这样的。
选项：
A:空间电荷区宽度
B:势垒电容
C:反向饱和电流
D:反向恢复过程
答案: 【空间电荷区宽度;
势垒电容;
反向饱和电流;
反向恢复过程】
8、 问题:正向偏置的PN结，在靠近耗尽层边界的中性区内的少子具有（ ）特点。
选项：
A:浓度高于平衡态少子浓度
B:一边扩散一边复合
C:浓度低于平衡态少子浓度
D:产生空穴-电子对
答案: 【浓度高于平衡态少子浓度;
一边扩散一边复合】
9、 问题:PN结的击穿种类有（ ）。
选项：
A: 雪崩击穿
B:齐纳击穿
C:隧道击穿
D:热击穿
答案: 【 雪崩击穿;
齐纳击穿;
隧道击穿;
热击穿】
10、 问题:PN结之所以具有反向恢复过程是由于（ ）。
选项：
A:中性区有多子电荷存储
B:反向电流的抽取需要时间
C:少子的复合需要时间
D:中性区有少子电荷存储
答案: 【反向电流的抽取需要时间;
少子的复合需要时间;
中性区有少子电荷存储】
11、 问题:冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
12、 问题:通常的内建电势小于禁带宽度对应的电压值。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
13、 问题:通过引入耗尽近似，耗尽层内部的电荷密度完全正比于净杂质浓度。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
14、 问题:欧姆接触降低了结的内建电压。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
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