2021答案 半导体工艺制程II（中级） 最新满分章节测试答案

第一章 概述（4学时） 第一章 测验

1、 问题:第一个锗晶体管是（）年发明
选项：
A:1946
B:1947
C:1957
D:1958
答案: 【1947】

2、 问题:集成电路的英文简称为（ ）。
选项：
A:IC
B:MCU
C:LCC
D:MIC
答案: 【IC】

3、 问题:8英寸硅片的直径大约（）mm。
选项：
A:150
B:200
C:300
D:450
答案: 【200】

4、 问题:微电子学的核心是集成电路。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

5、 问题:集成电路按器件结构分主要可分为：双极型集成电路、 MOS集成电路和 BiCMOS集成电路等。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

6、 问题:纳米是长度的单位，1纳米为1微米的1000倍。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

7、 问题:CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

8、 问题:集成电路是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管等元器件按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的复杂电子系统。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

9、 问题:集成电路按器件结构分主要可分为：双极型集成电路、 MOS集成电路和 BiCMOS集成电路等。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

10、 问题:摩尔定律指出集成电路的晶体管的集成度每_____个月翻一番。
答案: 【(以下答案任选其一都对)18;
十八】

第二章 洁净技术（4学时） 第二章 测验

1、 问题:1000级的概念是每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于（ ）个。
选项：
A:10
B:100
C:1000
D:10000
答案: 【1000】

2、 问题:高效过滤器的英文简称是（ ）。
选项：
A:LEPA
B:HEPA
C:MIC
D:DHF
答案: 【HEPA】

3、 问题:过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液简称是（ ）。
选项：
A:DHF
B:SPM-1
C:SC-1
D:HPM
答案: 【SC-1】

4、 问题:中效过滤器主要滤除大于（ ）um的尘粒。
选项：
A:10
B:5
C:1
D:0.3
答案: 【1】

5、 问题:尘埃的测量方法有（）、（）、（）。
选项：
A:重量法
B:四探针法
C:过滤法
D:计数法
答案: 【重量法;
过滤法;
计数法】

6、 问题:吸烟不会产生尘埃。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

7、 问题:风淋室可保证进入洁净室人员进行人身洁净和防止室外空气侵入。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

8、 问题:乱流洁净室比单向流洁净室洁净度高。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

9、 问题:洁净度是用每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数来衡量。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

10、 问题:10000级是指每立方英尺空气中，0.5um大小尘埃的个数不超过10000颗≈______个/升。（四舍五入取整，1立方英尺=28.3168升）
答案: 【353】

第三章 半导体材料1（4学时） 第三章 半导体材料1作业

1、 问题:掺入B元素的半导体为（）型半导体
选项：
A:P
B:N
C:本征半导体
D:中性半导体
答案: 【P】

2、 问题:下列半导体属于第三代半导体的是（）。
选项：
A:硅
B:锗
C:砷化镓
D:氮化镓
答案: 【氮化镓】

3、 问题:半导体行业最常用的半导体材料是（）。
选项：
A:氮化镓
B:石墨烯
C:硅
D:砷化镓
答案: 【硅】

4、 问题:掺入P元素的半导体为（）型半导体。
选项：
A:P
B:N
C:中性半导体
D:本征半导体
答案: 【N】

5、 问题:面心立方晶胞原子的个数是（）。
选项：
A:1
B:2
C:4
D:8
答案: 【4】

6、 问题:硅的晶体结构是（）形状。
选项：
A:四面体结构
B:无定形结构
C:六面体结构
D:平面结构
答案: 【四面体结构】

7、 问题:硅晶体内部的空间利用率是（ ）。
选项：
A:24%
B:34%
C:44%
D:66%
答案: 【34%】

8、 问题:最常用的形成N型半导体的杂质有（）( )和（）。
选项：
A:Sb
B:B
C:As
D:P
答案: 【Sb;
As;
P】

9、 问题:从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是（ ）。
选项：
A:000
B:100
C:110
D:111
答案: 【100;
110;
111】

10、 问题:价带中含有的电子数量决定材料的导电性。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

11、 问题:由于电子的有效质量小于空穴的有效质量，因而电子的迁移率比空穴的大。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

12、 问题:P型半导体主要靠空穴导电。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

13、 问题:100晶向垂直于100晶面。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

14、 问题:多晶的特点是长程有序，短程无序
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

第三章 半导体材料2（4学时） 第三章 半导体材料2作业

1、 问题:电子级纯的多晶硅的纯度为（）。
选项：
A:99.9999999%
B:99.9999%
C:99%
D:99.9%
答案: 【99.9999999%】

2、 问题:工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。
选项：
A:直拉法
B:沉积法
C:区熔法
D:三氯氢硅的氢还原法
答案: 【三氯氢硅的氢还原法】

3、 问题:单晶硅的电阻率测试采用（）。
选项：
A:热探针法
B:悬浮区熔法
C:直流光电导衰减法
D:四探针法
答案: 【四探针法】

4、 问题:多晶硅变成单晶硅需要具备以下（）条件。
选项：
A:要有排列标准
B:低温环境
C:原子具有一定的动能，以便重新排列
D:排列好的原子能稳定下来
答案: 【要有排列标准;
原子具有一定的动能，以便重新排列;
排列好的原子能稳定下来】

5、 问题:硅材料的缺陷主要有（）。
选项：
A:体缺陷
B:面缺陷
C:点缺陷
D:线缺陷
答案: 【体缺陷;
面缺陷;
点缺陷;
线缺陷】

6、 问题:温度升高会使点缺陷的平衡浓度增加。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、 问题:刃型位错是位错线与原子滑移方向相平行。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

8、 问题:如果掺入杂质的失配因子较大，晶格将会发生畸变。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

9、 问题:晶体在（110）方向上腐蚀速度最快。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

10、 问题:肖特基缺陷的特点是空位与填隙原子成对出现。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

第四章 硅平面工艺流程（4学时） 第四章 硅平面工艺流程 作业

1、 问题:MOS的中文含义是（）。
选项：
A:硅衬底
B:多晶硅
C:双极型
D:金属氧化物半导体
答案: 【金属氧化物半导体】

2、 问题:LDD的中文含义是（）。
选项：
A:轻掺杂源漏
B:局部场氧化
C:浅沟槽隔离
D:侧墙掩蔽
答案: 【轻掺杂源漏】

3、 问题:双极型集成电路制造过程中包括（）等基本工艺。
选项：
A:氧化
B:扩散
C:光刻
D:掺杂
答案: 【氧化;
扩散;
光刻;
掺杂】

4、 问题:PMOS管的3个电极分别是（）。
选项：
A:源极
B:基极
C:漏极
D:栅极
答案: 【源极;
漏极;
栅极】

5、 问题:制作PN结最早采用的是硅平面工艺法。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

6、 问题:重掺杂用于外延的单晶衬底。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、 问题:阱是在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相同的区域。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

8、 问题:浅沟槽隔离属于PN结隔离方式。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

9、 问题:Bi-CMOS是同时包括双极和MOS管的集成电路。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】