2022 半导体材料(浙江大学)1467139651 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2022-03-01到2022-06-30

第一章 半导体材料概论 第一章 测验

1、 问题:以下几种材料为宽禁带半导体的是
选项：
A:Si
B:Ge
C:GaAs
D:GaN
答案: 【GaN】

2、 问题:以下对于半导体材料电学特性描述正确的是
选项：
A:电子空穴导电
B:常温下电阻率可以为10E-4 Ω·cm
C:构成P-N结，加正向电压无电流通过，加反向电压有电流通过
D:电阻率随温度的增加而增加
答案: 【电子空穴导电】

3、 问题:半导体照明的应用主要利用了半导体的什么特性
选项：
A:光生伏特效应
B:电致发光特性
C:高纯特性
D:高完整特性
答案: 【电致发光特性】

4、 问题:以下对于半导体的描述错误的是
选项：
A:半导体可以应用于集成电路、光伏、发光器件、探测器等领域
B:第三代半导体的性能要优于第一代半导体，且应用更为广泛
C:在制备半导体时，需要高纯的原材料，杂质越少越好
D:目前硅片向大尺寸的方向发展，目前正在建设300 mm的生产线
答案: 【第三代半导体的性能要优于第一代半导体，且应用更为广泛】

5、 问题:半导体材料是一门交叉了材料、能源、信息三大类的学科。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、 问题:半导体的导电特性与金属相同。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

7、 问题:为了保证利用电活性掺杂剂准确控制载流子浓度，半导体材料本身必须高纯，没有或尽量少杂质。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

8、 问题:在光伏领域，硅材料是应用最为广泛的半导体材料。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

第二章 晶体生长原理 第二章 测验

1、 问题:以下对于晶体生长描述正确的是
选项：
A:晶体生长是平衡过程。
B:晶面的法向生长速度越快，就越容易留下来；反之则容易消失。
C:晶体的原子最密排面表面能最低。
D:晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。
答案: 【晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。】

2、 问题:以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是
选项：
A:晶体的生长单元比例x=NA/N,如果x＞50%就是粗糙界面，x＜50%就是光滑界面
B:x=50%是粗糙界面，x=0%或者100% 为光滑界面
C:界面的相对吉布斯自由能与x无关。
D:对于粗糙面，晶体生长采取二维成核或者自然台阶层状生长。
答案: 【x=50%是粗糙界面，x=0%或者100% 为光滑界面】

3、 问题:以下对于非均匀形核的描述错误的是
选项：
A:一般所有的杂质都可以充当形核的基底
B:降低湿润角，一般需要选择与晶核相同晶体结构，相近的点阵常数作为异质形核点
C:当同质外延或直接从单质熔液生长单晶时，润湿角为零
D:杂质表面的形状对于表面形核有影响，凹面促进形核
答案: 【一般所有的杂质都可以充当形核的基底】

4、 问题:以下对于晶体生长的方法描述错误的是
选项：
A:金刚石一般采取固相生长法
B:Si晶体一般采用溶液生长法
C:GaN可以采取气相生长法
D:任何两相之间都有亚稳区存在，当热力学条件处于亚稳相区才有新相的产生。
答案: 【Si晶体一般采用溶液生长法】

5、 问题:晶体生长过程中，只有达到一定的过冷度时，才能自发进行熔-固相转变。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、 问题:晶体生长时，体系的自由能随着晶核半径的增加而增加。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

7、 问题:在体系中存在外来质点（比如尘埃、固体颗粒、籽晶等），在外来质点上成核叫做均匀成核。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

8、 问题:硅晶体和锗晶体的晶体结构相同，均为金刚石结构。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

第三章 晶体生长技术 第三章 测验

1、 问题:以下熔体生长法生长晶体描述正确的是
选项：
A:材料必须在熔化过程中成分不变
B:材料在是温和熔点之间能够发生相变
C:二氧化硅可以用于熔体生长法
D:材料在熔化前能够分解
答案: 【材料必须在熔化过程中成分不变】

2、 问题:目前生长半导体体单晶最常见的方法是
选项：
A:直拉法
B:CVD法
C:布里兹曼法
D:液相外延法
答案: 【直拉法】

3、 问题:生长非常高熔点的氧化物（如：钇铝石榴石）一般用什么方法
选项：
A:温差水热法
B:直拉法
C:CVD法
D:区熔法
答案: 【温差水热法】

4、 问题:SiC可以用熔体生长法。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

5、 问题:生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、 问题:液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、 问题:区熔法可以生长熔点极高的晶体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

8、 问题:CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

第四章 元素半导体硅的基本性质 第四章 测验

1、 问题:以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有
选项：
A:氯化钠
B:锗单晶
C:硒化汞
D:硫化锌
答案: 【锗单晶】

2、 问题:以下对于硅材料的性质的描述正确的是
选项：
A:硅材料是直接带隙，可以做发光管和激光器
B:高纯硅可以吸收红外光