2021 半导体物理与器件(南京邮电大学)1465714482 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-09-16到2022-01-05
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第二章 量子力学初步 本章测验

1、 问题:电子的德布罗意波长的数量级大约为？
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

2、 问题:波函数的模方表示？
选项：
A:粒子的概率密度分布函数
B:粒子的动量
C:粒子的能量
D:粒子的角动量
答案: 【粒子的概率密度分布函数】

3、 问题:假设粒子在一维无限深势阱中运动，势阱宽度为a。当粒子处于基态时，在x=0到x=a之间找到粒子概率最大的地方在（）处。
选项：
A: 0
B:a/4
C:2/a
D:a
答案: 【2/a】

4、 问题:可以同时确定一微观粒子的坐标和动量？
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

5、 问题:对微观粒子，讨论其运动轨道是有意义的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

6、 问题:根据德布罗意关系式，波长越短，能量越? (填“高”或“低”)
答案: 【高】

7、 问题:戴维逊-革末实验验证了电子的？（填“波动性”或“粒子性”）
答案: 【波动性】

8、 问题:将波函数乘上一个常数后，所描写的粒子状态是否发生改变？（填“不变”或“改变”）
答案: 【不变】

9、 问题:薛定谔方程是（）方程？（填“常微分”或“偏微分”）
答案: 【偏微分】

10、 问题:自由粒子运动的概率密度分布函数与时间有关吗？（填“有”或“无”）
答案: 【无】

第三章 固体量子理论初步 第三章 本章测验

1、 问题:准连续分布的能级在考虑了周期场微扰之后，分裂为一系列的能带，能带之间形成（）。
选项：
A:允带
B:导带
C:价带
D:带隙
答案: 【带隙】

2、 问题:下列属于直接带隙半导体的是（）。
选项：
A: Si  
B:Ge
C:GaAs
D:SiO2
答案: 【GaAs】

3、 问题:三维自由电子的状态密度函数与（）正比。
选项：
A:
B:E
C:
D:
答案: 【】

4、 问题:允带之间不存在能级，称为禁带。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

5、 问题:有效质量就是粒子的惯性质量。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

6、 问题:状态密度函数描述的是单位能量间隔内量子态的数目。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、 问题:外层的价电子，轨道交叠多，共有化运动（）。（填“弱”或“强”）
答案: 【强】

8、 问题:E对k的二阶导数与粒子的有效质量成（）。（填“正比”或“反比”）
答案: 【反比】

9、 问题:根据泡利不相容原理，一个量子状态只能被（）个电子占据。（填“1”或“2”）
答案: 【1】

10、 问题:绝对零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的几率是（）填“0”或者“1”？
答案: 【1】

第四章 平衡态半导体 第四章 本章测验

1、 问题:半导体在热平衡状态下，材料的所有特性均与       无关。
选项：
A:时间
B:质量
C:速度
D:浓度
答案: 【时间】

2、 问题:       是晶体中不含杂质和晶格缺陷的纯净半导体。
选项：
A:P型半导体
B:n型半导体
C:本征半导体
D:平衡半导体
答案: 【本征半导体】

3、 问题:本征半导体中，导带中的电子数量         价带中的空穴数量。
选项：
A:相等
B:大于
C:小于
D:不确定
答案: 【相等】

4、 问题: 对于本征费米能级位置的描述，错误的是          。
选项：
A:电子有效质量等于空穴有效质量，本征费米能级位于禁带中央
B:电子有效质量小于空穴有效质量，本征费米能级低于禁带中央
C:状态密度函数与载流子有效质量直接相关
D:本征费米能级位置随状态密度的增大而发生移动
答案: 【电子有效质量小于空穴有效质量，本征费米能级低于禁带中央】

5、 问题:T = 300 K时，计算硅中的本征费米能级相对于禁带中央的位置。已知硅中载流子有效质量分别为mn=1.08m0, mp=0.56m0. 
选项：
A:-12.8meV 
B:-6.4meV
C:-25.6meV
D:12.8meV
答案: 【-12.8meV 】

6、 问题:非本征半导体中，当电子浓度高于空穴浓度时，半导体是        型，掺入的是      杂质。
选项：
A:n, 受主
B:n, 施主  
C:p, 受主
D:p, 施主
答案: 【n, 施主  】

7、 问题:热平衡状态非本征半导体，电子浓度n0和空穴浓度p0与本征半导体浓度ni的关系（ ）
选项：
A:n0 p0=ni2
B:n0 p0>ni2 
C:n0 p0<ni2
D:无法确定
答案: 【n0 p0=ni2】

8、 问题:补偿半导体的形成描述不正确的是(  )
选项：
A:指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体
B:n型半导体中材料中注入受主杂质原子
C:p型半导体中材料中注入受主杂质原子
D:补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目
答案: 【p型半导体中材料中注入受主杂质原子】

9、 问题:T=0K时p型半导体，杂质原子不包含任何电子，费米能级一定高于受主能级。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

10、 问题:补偿型半导体完全电离条件下，热平衡电子浓度关系是n0+Na=p0+Nd。 
选项：
A:正确