2020 半导体物理与器件(江西师范大学) 最新满分章节测试答案

2025年1月6日 分类:免费网课答案 作者:网课帮手
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本课程起止时间为:2020-02-15到2020-06-30
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W3-7pn结 复习1

1、 问题:载流子在电场作用下的运动为( )
选项:
A:漂移运动
B:扩散运动
C:热运动
D:共有化运动
答案: 【漂移运动

2、 问题:空穴是(  )。
选项:
A:带正电的质量为正的粒子
B:带正电的质量为正的准粒子
C:带正电的质量为负的准粒子
D:带负电的质量为负的准粒子
答案: 【带正电的质量为正的准粒子

3、 问题:在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数,它和(      )有关。
选项:
A:杂质浓度和温度
B:温度和禁带宽度
C:杂质浓度和禁带宽度
D:杂质类型和温度
答案: 【温度和禁带宽度

4、 问题:以下说法不正确的是(  )。
选项:
A:对n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向导带底方向靠近。
B:对p型半导体,随着受主浓度NA的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向价带顶方向靠近。
C:杂质半导体中载流子浓度和费米能级EF的位置由杂质浓度所决定,与温度无关。
D:在杂质半导体中,费米能级EF的位置不但反映了半导体的导电类型,而且还反映了半导体的掺杂水平。
答案: 【杂质半导体中载流子浓度和费米能级EF的位置由杂质浓度所决定,与温度无关。

5、 问题:三个硅样品的掺杂情况如下:甲. 含硼1×1017cm-3;乙. 含磷1×1017cm-3;丙. 含硼和磷1×1017cm-3。这三种样品在室温下的费米能级由低到高(以价带能级为基准)的顺序是( )
选项:
A:甲乙丙
B:甲丙乙
C:乙丙甲
D:丙甲乙
答案: 【乙丙甲

6、 问题:一块半导体寿命为15微秒,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30微秒后,其中非平衡载流子将衰减到原来的( )
选项:
A:1/4 
B:1/e
C:1/2 
D:(1/e)^2
答案: 【(1/e)^2

7、 问题:当一种N型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于(  )。
选项:
A:1/n0
B:1/△n
C:1/p0 
D:1/△p
答案: 【1/n0

8、 问题:以下描述反偏PN结说法正确的是( )
选项:
A:反偏情况下,P区接电源正极,N区接电源负极,空间电荷区宽度减小。
B:反偏情况下,N区接电源正极,P区接电源负极,空间电荷区宽度减小。
C:反偏情况下,P区接电源正极,N区接电源负极,空间电荷区宽度增大。
D:反偏情况下,N区接电源正极,P区接电源负极,空间电荷区宽度增大。
答案: 【反偏情况下,N区接电源正极,P区接电源负极,空间电荷区宽度增大。

9、 问题:本征半导体是指( )的半导体。
选项:
A:电子密度与空穴密度相等
B:电子密度与本征载流子密度相等
C:不含杂质和缺陷
D:电阻率最高

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