2020 半导体物理(哈尔滨理工大学) 最新满分章节测试答案
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本课程起止时间为:2020-03-09到2020-07-24
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3半导体中杂质和缺陷能级 1-测试
1、 问题:Ge晶体的导带底有（）个。
选项：
A:2
B:4
C:6
D:8
答案: 【8】
2、 问题:Si晶体的第一布里渊区是个（）体。
选项：
A:立方体
B:正菱形12面体
C:截角八面体（十四面体）
D:球体
答案: 【截角八面体（十四面体）】
3、 问题:
哪支能带的极值对应的电子有效质量最大？
选项：
A:1
B:2
C:3
D:无法判断
答案: 【3】
4、 问题:空穴是一种假设出来的粒子。其有效质量为（），电荷为（）。
选项：
A:正，负
B:正，正
C:负，正
D:负，负
答案: 【正，正】
5、 问题:Si晶体的导带底等能面是个旋转椭球面。其中，其横向有效质量（）纵向有效质量。
选项：
A:=
B:>
C:<
D:无法确定大小关系
答案: 【<】
6、 问题:T=0K时，导体的导带为（），半导体的导带为（）。
选项：
A:半满带，满带
B:半满带，空带
C:满带，空带
D:空带，半满带
答案: 【半满带，空带】
7、 问题:Ga替位掺入Ge中，其将成为（）。
选项：
A:施主
B:受主
C:两性杂质
D:中性杂质
答案: 【受主】
8、 问题:Si中常见点缺陷是（）缺陷。
选项：
A:层错
B:肖特基
C:刃位错
D:螺位错
答案: 【肖特基】
9、 问题:外层电子有效质量（），在外力作用下可以获得（）加速度。
选项：
A:小，较大
B:大，较小
C:小，0
D:大，不清楚
答案: 【小，较大】
10、 问题:晶体Si是直接带隙半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
11、 问题:一半导体中同时含有施主和受主杂质，且施主浓度远大于受主浓度，则该半导体为P型半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
5半导体中载流子的输运 2-测试
1、 问题:N型Si中，导电电子主要分布在
选项：
A:导带顶部
B:导带底部
C:价带顶部
D:价带底部
答案: 【导带底部】
2、 问题:室温下，Si的本征载流子浓度约为（）cm-3.
选项：
A:1E10
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