2020 半导体物理学A(太原理工大学) 最新满分章节测试答案
- 第1讲：半导体中的电子状态和能带（2周） 半导体电子结构测试题
- 第1讲：半导体中的电子状态和能带（2周） 单元测验——第1讲
- 第2讲：半导体中的杂质和缺陷能级 单元测验——第2讲
- 第2讲：半导体中的杂质和缺陷能级 综合对比测试1——本征半导体（第1讲）与杂质半导体（第2讲）
- 【作业】第2讲：半导体中的杂质和缺陷能级 第二章作业
- 第3讲：半导体中载流子的统计分布 单元测验——第3讲
- 【作业】第3讲：半导体中载流子的统计分布 第三章作业
- 第4讲：半导体的导电性 单元测验——第4讲
- 【作业】第4讲：半导体的导电性 第四章 作业
- 第5讲：非平衡载流子 综合对比测试4——杂质对半导体的影响：浅能级杂质（第2讲）、散射（第4讲）、深能级杂质（第5讲）
- 第5讲：非平衡载流子 综合对比测试3——半导体的热平衡状态（第3讲）与非平衡状态（第5讲）
- 第5讲：非平衡载流子 综合对比测试2——载流子的漂移运动（第4讲）与扩散运动（第5讲）
- 第5讲：非平衡载流子 单元测验——第5讲
- 【作业】第5讲：非平衡载流子 第五章 作业
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本课程起止时间为:2020-02-17到2020-06-20
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第1讲：半导体中的电子状态和能带（2周） 半导体电子结构测试题
1、 问题: 德布罗意（De Broglie）波长是普朗克常数（Planck）和粒子的（ ）的比值。
选项：
A:动能
B:动量
C:速度
D:势能
答案: 【动量】
2、 问题: 海森伯堡测不准原理是指对于同一粒子不可能同时确定其（ ）动量。
选项：
A:动能和动量
B:势能和动量
C:坐标和动量
D:势能和坐标
答案: 【坐标和动量】
3、 问题:量子化能级是（ ）的能级。
选项：
A:分立
B:连续
C:很多
D:很少
答案: 【分立】
4、 问题: 波粒二象性是指微观粒子有时表现为（ ），而电磁波有时表现为粒子性。
选项：
A:高温性
B:低温性
C:波动性
D:粒子性
答案: 【波动性】
5、 问题:光照产生的载流子叫（ ）载流子。
选项：
A:光生
B:电生
C:热生
D:冷生
答案: 【光生 】
6、 问题: 热激发产生的载流子叫（ ）载流子。
选项：
A:光生
B:电生
C:热生
D:冷生
答案: 【热生】
7、 问题: 空带上能量最低的允带称为（ ）。
选项：
A:价带
B:导带
C:禁带
D:能带
答案: 【导带】
8、 问题: 价电子所在的允带称为（ ）。
选项：
A:价带
B:导带
C:禁带
D:能带
答案: 【价带】
9、 问题:导带底与价带顶之间的能量区域称为（ ）。
选项：
A:价带
B:导带
C:禁带
D:能带
答案: 【禁带】
10、 问题:禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之（ ）。
选项：
A:和
B:差
C:积
D:商
答案: 【差】
11、 问题:载流子跃迁前后在（ ）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。
选项：
A:导带底
B:导带顶
C:禁带中
D:禁带外
答案: 【导带底】
12、 问题: 载流子跃迁前后在（ ）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。
选项：
A:导带底
B:导带顶
C:禁带中
D:禁带外
答案: 【导带底】
第1讲：半导体中的电子状态和能带（2周） 单元测验——第1讲
1、 问题:一种有效而直观的测量有效质量的实验方法是？
选项：
A:回旋共振实验
B:霍尔效应实验
C:磁阻效应实验
D:热电效应实验
答案: 【回旋共振实验】
2、 问题:有效质量的意义在于？
选项：
A:概括了半导体内部势场对电子的作用。
B:概括了共价键对电子的作用。
C:概括了导带对电子的作用。
D:概括了杂质对电子的作用。
答案: 【概括了半导体内部势场对电子的作用。】
3、 问题:关于导带中的电子，以下描述正确的是？
选项：
A:准自由运动的电子。
B:受共价键束缚的电子。
C:受杂质束缚的电子。
D:受价带束缚的电子。
答案: 【准自由运动的电子。】
4、 问题:在能带底部附近，电子的有效质量为？
选项：
A:正
B:负
C: 不确定
D:可正可负。
答案: 【正】
5、 问题:Si的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A:[100]及其等价方向；k=0处
B: k=0处；k=0处
C:[111]及其等价方向；k=0处
D: [100]及其等价方向；[111]及其等价方向
E: [110]及其等价方向；k=0处
答案: 【[100]及其等价方向；k=0处】
6、 问题:以下材料中，属于直接禁带半导体的是？
选项：
A:GaAs
B:Si
C:Ge
D:GaP
答案: 【GaAs】
7、 问题:什么是本征半导体？
选项：
A:没有杂质，没有缺陷的半导体。
B:没有杂质的纯净半导体。
C:没有缺陷的结构完美的半导体。
D:杂质和缺陷数量很多的半导体。
答案: 【没有杂质，没有缺陷的半导体。】
8、 问题:本征半导体的特征是？
选项：
A:导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。
B:导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。
C:导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。
D:电子浓度和空穴浓度均为0。
答案: 【导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。】
9、 问题:Ge的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A:[111]及其等价方向；k=0处
B: [110]及其等价方向；k=0处
C:[100]及其等价方向；k=0处
D: k空间原点；k空间原点
答案: 【[111]及其等价方向；k=0处】
10、 问题:GaAs的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A: k=0处；k=0处
B: [111]方向；k=0处
C: k=0处；[111]方向
D:[100]方向；k=0处
E:k=0处；[100]方向
答案: 【 k=0处；k=0处】
11、 问题:关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是？
选项：
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