2020 半导体物理(潍坊学院) 最新满分章节测试答案

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第三章半导体中的载流子半导体中的载流子的定性描述”测试题

1、问题: 在纯Si中掺入下列（）元素，Si将变为n型半导体。
选项：
A:Ca
B:As
C:Ga
D:C
答案: 【As】

2、问题: 在纯Ge中掺入下列（）元素，Ge将变为p型半导体。
选项：
A:In
B:Si
C:Br
D:N
答案: 【In】

3、问题:某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，那么此Si半导体主要是（）导电。
选项：
A:电子
B:空穴
C:声子
D:不确定
答案: 【空穴】

4、问题:对应于n型半导体，电子为（）
选项：
A:多子
B:少子
C:中子
D:不确定
答案: 【多子】

5、问题: 某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，有效空穴浓度为（）。
选项：
A:2×10^17cm^-3
B:3×10^16cm^-3
C:1.7×10^17cm^-3
D:不确定
答案: 【1.7×10^17cm^-3】

6、问题:Si材料的主要复合机制是（）
选项：
A:直接复合
B:间接复合
C:激子复合
D:施主-受主对复合
答案: 【间接复合】

7、问题:对应于直接能隙半导体，禁带宽度越大，发光波长越（）
选项：
A:长
B:短
C:中间值
D:不确定
答案: 【短】

8、问题:对应于p型半导体，平衡状态时，多子、少子和本征载流子之间相互关系为（）
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

9、问题:杂质能级的作用包括以下（）
选项：
A:提供导电载流子
B:复合中心
C:散射中心
D:陷阱
答案: 【提供导电载流子;
复合中心;
陷阱】

10、问题:根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（）
选项：
A:本征半导体
B:n型半导体
C:p型半导体
D:高度补偿半导体
答案: 【n型半导体;
p型半导体;
高度补偿半导体】

11、问题:下面（）过程属于间接复合的微观过程
选项：
A:发射电子
B:发射激子
C:俘获空穴
D:声子发射
答案: 【发射电子 ;
俘获空穴】

12、问题:对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
选项：
A:掺入n型杂质
B:掺入p型杂质
C:本征激发
D:引入深能级
答案: 【掺入p型杂质;
本征激发】

1、问题:晶体是指固体材料中的原子无规律的周期性排列。
选项：
A:正确
B:错误

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