2020 微电子制造技术(哈尔滨工业大学（威海）) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-02-22到2020-07-31
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第二讲 硅片的制备 第二讲 作业

1、 问题:在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?
选项：
A:（100）
B:（111）
C:（110)
D:(211)
答案: 【（111）】

2、 问题:磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：
选项：
A:轴向均匀
B:轴向递减
C:轴向递増
D:径向递减
答案: 【轴向递减】

3、 问题:关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确
选项：
A:可以多次缩颈
B:为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C:为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D:为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
答案: 【可以多次缩颈;
为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸;
为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸】

4、 问题:在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析：【因硅熔体温度梯度带来的密度（重力）差造成的干锅内熔体强对流减弱的缘故】

5、 问题:拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的 造成。
答案: 【(以下答案任选其一都对)O;
氧】

第四讲 离子注入，包括：离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等，共八节内容 第四讲 作业

1、 问题:在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。
选项：
A:沟道效应，<
B:沟道效应，>
C:横向效应，<
D:横向效应，>
答案: 【沟道效应，>】

2、 问题:形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？
选项：
A:不可以
B:可以，实际注硼：QB+QSb
C:可以，实际注硼：QB-QSb
D:可以，实际注硼：QB
答案: 【可以，实际注硼：QB+QSb】

3、 问题:基于LSS理论，判断对下图分析的对错：
选项：
A:该入射离子是低能注入；
B:该入射离子是高能注入；
C:入射离子在靶中由A运动到B主要受到靶原子核阻滞；
D:入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞；
E:入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞；
F:入射离子在靶中由B运动到C主要是受到靶电子阻滞。
答案: 【该入射离子是高能注入；;
入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞；;
入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞；】

4、 问题:关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：
选项：
A:注入离子越轻，临界剂量越小；
B:靶温升高，临界剂量上升；
C:注入离子能量越高，临界剂量越低；
D:注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
答案: 【靶温升高，临界剂量上升；;
注入离子能量越高，临界剂量越低；;
注入离子剂量率增大，临界剂量降低。】

5、 问题:离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【离子注入硼杂质在​退火前无电活性。】

第三讲 扩散，包括：扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。 第三讲 作业

1、 问题:
选项：
A:图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散
B:图（a）、（b）都是限定源扩散
C:图（a）、（b）都是恒定源扩散
D:图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散
答案: 【图（a）、（b）都是限定源扩散】

2、 问题:扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸 ，这是 效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
选项：
A:大，横向扩散
B:小，横向扩散
C:大，场助扩散
D:大，氧化增强
答案: 【大，横向扩散】

3、 问题:扩散系数在何时不可以看成是常数：
选项：
A:在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；
B:在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；
C:在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D:在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。
答案: 【在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；;
在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。】

4、 问题:一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【D1t1>>D2t2，杂质近似服从余误差分布】

5、 问题:在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩 分钟。（只保留整数）
答案: 【104】

第五讲 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 第五讲 作业

1、 问题:通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
选项：
A:掺氯氧化
B:干氧
C:干氧-湿氧-干氧
D:低压氧化
答案: 【干氧-湿氧-干氧】

2、 问题:关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
选项：
A:生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B:温度升高氧化速率迅速增加
C:（111）硅比（100）硅氧化得快
D:有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E:生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F:生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
答案: 【温度升高氧化速率迅速增加;
（111）硅比（100）硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律】

3、 问题:制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

4、 问题:热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
答案: 【水汽、湿氧、干氧】

5、 问题:热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 引起的。（两个字）
答案: 【分凝】

【作业】第五讲 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 互评讨论

1、 问题:What are the differences among simple transistors, FETs, MOSFET, and CMOS devices? You can make tables to compare their structures, performance and working principles and so on.
评分规则: 【 满分10分。其中对比形式是否条理清晰、语言是否通顺占2分；答案需从器件结构、性能、工作原理和制备工艺等逐条进行详细对比和充分说明，每一项占2分。例如，某同学仅提到这几类器件的结构差别，但这一点分析得较好、较充分且语言通顺、表达清晰。得分4分例如，某同学充分对比了这几类器件在结构、性能、原理、工艺等各方面的差别，内容正确，没有科学内容上的错误，但语言表达比较晦涩或混乱，不容易看懂。得分8分
】

【作业】第六讲 物理汽相淀积，包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容 互评讨论2

1、 问题:Please compare the working principles, advantages and disadvantages of using different kinds of pumps that we learned. Please keep in mind that the compression ratios and the ultimate pressures are important parameters for pumps. And please give at least 1 example of pumps that we did not learn for comparison.
评分规则: 【 我们已经学习了3类共5种不同的泵，另外请给出至少1 种未学过的泵加以对比。每种泵的优点、缺点和工作原理各占1分，6种泵，总分为18分
】

【作业】第六讲 物理汽相淀积，包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容 计算题1

1、 问题:
评分规则: 【 求解依据、求解过程及最后答案各2分
】