2021答案微电子器件(南通大学) 最新满分章节测试答案

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第二周（第二回） PN结的势垒电容、PN结的扩散电容、PN结的开关特性【单元测验】半导体器件基本方程及PN结的基本知识

1、问题:PN结中冶金结的含义是( )。
选项：
A:空间电荷区
B:界面
C:耗尽层
D:势垒层
答案: 【界面】

2、问题:反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。
选项：
A:漂移和扩散
B:扩散和复合
C:产生和扩散
D:产生和漂移
答案: 【产生和扩散】

3、问题:理想PN结的电流是（）。
选项：
A:多子漂移电流
B:复合-产生电流
C:少子扩散电流
D:多子扩散电流
答案: 【少子扩散电流】

4、问题:对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡载流子电荷。
选项：
A:P型中性区
B:N型中性区
C:N型势垒区
D:P型势垒区
答案: 【P型中性区】

5、问题:为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机构兼有的范围，原因是雪崩击穿具有（）而齐纳击穿具有与之相反的特性。
选项：
A:可逆
B:负温度系数
C:正温度系数
D: 不可逆
答案: 【正温度系数】

6、问题:PN结的空间电荷区的电荷有（）。
选项：
A:施主离子
B:电子
C:受主离子
D:空穴
答案: 【施主离子;
受主离子】

7、问题:PN结中有很多参数或性能都由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的，下面（）就是这样的。
选项：
A:空间电荷区宽度
B:势垒电容
C:反向饱和电流
D:反向恢复过程
答案: 【空间电荷区宽度;
势垒电容;
反向饱和电流;
反向恢复过程】

8、问题:正向偏置的PN结，在靠近耗尽层边界的中性区内的少子具有（）特点。
选项：
A:浓度高于平衡态少子浓度
B:一边扩散一边复合
C:浓度低于平衡态少子浓度
D:产生空穴-电子对
答案: 【浓度高于平衡态少子浓度;
一边扩散一边复合】

9、问题:PN结的击穿种类有（）。
选项：
A: 雪崩击穿
B:齐纳击穿
C:隧道击穿
D:热击穿
答案: 【雪崩击穿;
齐纳击穿;
隧道击穿;
热击穿】

10、问题:PN结之所以具有反向恢复过程是由于（）。
选项：
A:中性区有多子电荷存储
B:反向电流的抽取需要时间
C:少子的复合需要时间
D:中性区有少子电荷存储
答案: 【反向电流的抽取需要时间;
少子的复合需要时间;
中性区有少子电荷存储】

11、问题:冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

12、问题:通常的内建电势小于禁带宽度对应的电压值。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

13、问题:通过引入耗尽近似，耗尽层内部的电荷密度完全正比于净杂质浓度。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

14、问题:欧姆接触降低了结的内建电压。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

15、问题:根据耗尽近似得到的结，电场强度正好在冶金结分界处达到最大值。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

16、问题:假设一个p+n突变结，且，则有。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

17、问题:PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压而升高。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

18、问题:线性缓变结的耗尽层宽度正比于。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

19、问题:反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

20、问题:减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向抽取电流。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

1、问题:以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响（）。
选项：
A:栅氧化层厚度
B:沟道长度
C:氧化层固定电荷
D:衬底掺杂浓度
答案: 【沟道长度】

2、问题:某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
选项：
A:12A
B:25A
C:36A
D:40A
答案: 【12A】

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