2020 数字集成电路分析与设计(盐城工学院) 最新满分章节测试答案

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第一章概论第一章测试
第二章 MOS晶体管原理第二章测试
第二章下设计与工艺接口第二章下测试
第三章反相器和组合逻辑电路第三章测试

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本课程起止时间为:2020-03-16到2020-06-29
本篇答案更新状态:已完结

第一章概论第一章测试

1、问题:摩尔定律将遇到前所未有的挑战，挑战不包含哪个（）
选项：
A:计算密度增加、工作功耗密度和漏电功耗密度大幅度增长
B:功耗密度持续提高、散热无法解决
C:互连延时降低，互连能耗减小
D:工艺复杂，成本降低难以持续
答案: 【互连延时降低，互连能耗减小】

2、问题:到今年为止，工艺尺寸还在scaling down吗？
选项：
A:是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm
B:在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸已停止下降
C:在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸下降的很缓慢
D:不知道
答案: 【是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm】

3、问题:你认为数字集成电路最重要的三大指标是什么？
选项：
A:速度
B:功耗
C:可靠性
D:面积
答案: 【速度;
功耗;
面积】

4、问题:摩尔定律预测单个芯片上的晶体管数目每2年会增加一倍
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

5、问题:VLSI芯片内部处理的是模拟信号
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

6、问题:集成电路行业之所以追求摩尔定律的高速发展，是因为对技术奖进步的追求，最看重的是特征尺寸下降带来的技术提高。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【成本驱动也是重要因素】