2021 数字集成电路设计(三江学院) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-03-04到2021-06-18

第1章 集成电路物理设计方法 数字集成设计方法

1、 问题:常用的光刻工艺所使用的光是（ ）
选项：
A:红外光
B:太阳光
C:可见光
D:深紫外光
答案: 【深紫外光】

2、 问题:数字集成电路设计流程是（ ）
选项：
A:自右向左
B:自下向上
C:自顶向下
D:自左向右
答案: 【自顶向下】

3、 问题:下面哪个是现在在使用的特征工艺尺寸（   ）
选项：
A:180nm
B:0.5nm
C:32nm 
D:7nm
答案: 【180nm;
32nm ;
7nm】

4、 问题:集成电路的简称
答案: 【IC】

5、 问题:电子设计自动化的英文简称
答案: 【EDA】

6、 问题:常用数字集成电路的衬底材料的元素的全称（英文）是
答案: 【silicon】

7、 问题:寄存器传输级的英文简称
答案: 【RTL】

8、 问题:指令窗口英文简称
答案: 【CIW】

9、 问题:解决时序驱动设计英文简称
答案: 【TDD】

10、 问题:防止天线效应英文简称
答案: 【PAE】

11、 问题:进行信号完整性分析（或称为噪声分析）英文简称
答案: 【SI】

12、 问题:可制造性设计英文简称
答案: 【DFM】

13、 问题:统计静态时序分析英文简称
答案: 【SSTA】

14、 问题:布局的英文
答案: 【floorplan】

15、 问题:静态时序分析的英文简称
答案: 【STA】

16、 问题:电源网络的英文
答案: 【power grid】

17、 问题:签核的英文
答案: 【sign-off】

18、 问题:最差 英文简称
答案: 【WC】

19、 问题:建立时间的英文
答案: 【setup time】

20、 问题:保持时间的英文
答案: 【hold time】

21、 问题:设计规则违反检查 英文简称
答案: 【DRV】

22、 问题:物理综合的英文
答案: 【physical synthesis】

23、 问题:掩模板的英文
答案: 【mask】

24、 问题:多芯片封装 英文简称
答案: 【SiP】

25、 问题:标准时序约束 英文简称
答案: 【SDC】

26、 问题:知识产权 英文简称
答案: 【IP】

【作业】第1章 集成电路物理设计方法 数字集成电路设计流程

1、 问题:详细的数字集成电路设计流程（手写拍照）。
评分规则: 【 一个正确的步骤5分
】

第2章 物理设计建库与验证 第2章测试

1、 问题:λ一般是特征尺寸的（
）
选项：
A:1
B:1/2
C:2
D:1/3
答案: 【1/2】

2、 问题:GDSII数据是现阶段通用的一种标志版图描述语言，采用（）记录版图信息，
选项：
A:自然语言
B:Verilog HDL
C:二进制
D:ASIC码
答案: 【二进制】

3、 问题:GDSII数据的文件后缀是.（）。
选项：
A:lib
B:v
C:gdsii
D:gds
答案: 【gds】

4、 问题:晶圆代工厂提供给设计者用于后端版图设计，叫库交换格式，它是描述库单元的物理属性，包括端口位置、层定义和通孔定义。它抽象了单元的底层几何细节，提供了足够的信息，以便允许布线器在不对内部单元约束来进行修订的基础上进行单元连接。包含了工艺的技术信息，如布线的层数、最小的线宽、线与线之间的最小距离以及每个被选用cell，BLOCK，PAD的大小和pin的实际位置。这个库的后缀是.（）
选项：
A:gds
B:lef
C:scs
D:lay
答案: 【lef】

5、 问题:  戒指的英文ring，它是一个（   ）的布局。
选项：
A:圆形
B:方形
C:多边形
D:环形
答案: 【环形】

6、 问题:填充单元的英文
选项：
A:filler
B:full cell
C:fill cell
D:filler cell
答案: 【filler cell】

7、 问题:电源线和地线轨道的英文
选项：
A:power 
B:VCC GND
C:VDD VSS
D:power rails
答案: 【power rails】

8、 问题:形式验证的英文
选项：
A:formal verification
B: verification
C:formal 
D:FV
答案: 【formal verification】

9、 问题:well-tap cell 的作用（）。
选项：
A:减少闩锁效应
B:防止天线效应
C:防护
D:省面积
答案: 【减少闩锁效应】

10、 问题:在数字集成电路芯片内部的完整单元库分为（ ）
选项：
A:标准单元
B:模块宏单元
C:输入输出单元
D:standard cell
E:macro cell
F:I/Opad cell