2021 数字集成电路设计(无锡科技职业学院)1465490456 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-09-06到2022-01-15
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第1章 VLSI设计概述 单元测验1

1、 问题:N型半导体是掺入 价元素构成，多数载流子是 ；P型半导体是掺入 价元素构成，多数载流子是 。
选项：
A:三，空穴，五，电子
B:三，电子，五，空穴
C:五，空穴，三，电子
D:五，电子，三，空穴
答案: 【五，电子，三，空穴】

2、 问题:由底向上设计是一种逐级分解、变换，将系统要求转变为电路和版图的过程。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

3、 问题:CMOS技术以其速度高和驱动能力大，高频低噪声等优点，成为当今VLSI制造的主流技术。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

4、 问题:英文缩写MOSFET的中文含义是 。
答案: 【金属-氧化物-半导体场效应晶体管】

第2章 MOS器件与工艺基础 单元测验2

1、 问题:下面哪个是非饱和区的条件？
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

2、 问题:下面两张图分别描述的是 管和 管的转移特性。
选项：
A:增强型NMOS，增强型PMOS
B:增强型NMOS，耗尽型PMOS
C:增强型PMOS，耗尽型NMOS
D:耗尽型PMOS，耗尽型NMOS
答案: 【增强型NMOS，耗尽型PMOS】

3、 问题:假设等效反相器中NMOS宽长比为2，PMOS宽长比为3，求下图ABC三个NMOS和PMOS管的宽长比。
选项：
A:2,2,2,3,3,3
B:4,4,4,6,6,6
C:4,4,4,3,6,6
D:2,2,2,6,6,6
答案: 【4,4,4,3,6,6】

4、 问题:下面这个版图实现的功能是什么？
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

5、 问题:衬底掺杂浓度越低，多数载流子的浓度也越低，使衬底表面耗尽和反型所需的电压VGS越小，即MOS管的阈值电压值越小。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、 问题:沟道长度调制效应，使有效沟道长度Leff随VDS电压的增加而减小，从而造成饱和区电流随VDS的增加而减小。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

7、 问题:在NMOS传输门中，管子的栅极接一个控制信号VC，管子的源极作为输入，漏极作为输出。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

8、 问题:下降时间定义为输出电平从高电平的100%下降到高电平的0%所需要的时间。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

9、 问题:在CMOS反相器中，为了保证输出达到合格的逻辑电平，必须使输入脉冲信号的脉宽大于反相器的上升时间和下降时间中较小的一个。
选项：
A:正确
B:错误