2021 模拟电子技术(三江学院)1463089449 最新满分章节测试答案

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【作业】第1章 半导体二极管及其应用 作业1-1

1、 问题:教材P32：1.2,1.6
评分规则: 【 得分1
得分2
】

第1章 半导体二极管及其应用 第1章单元测验

1、 问题:N型半导体中的多数载流子为（ ）。
选项：
A:空穴
B:正离子
C:自由电子
D:负离子
答案: 【自由电子】

2、 问题:硅二极管的正向特性与锗二极管相比，门槛电压值是（ ）。
选项：
A:锗二极管的较大
B:锗二极管的较小
C:硅二极管的较小
D:两者差不多大
答案: 【锗二极管的较小】

3、 问题:正向工作时，二极管的电流越大，它呈现的直流电阻（ ）。
选项：
A:越大
B:越小
C:不变
D:怎么变化还要其他条件
答案: 【越小】

4、 问题:正常工作时，稳压管应工作在（ ）状态。
选项：
A:零偏
B:正向导通
C:反向截止
D:反向击穿
答案: 【反向击穿】

5、 问题:正常工作时，光电二极管应工作在（ ）状态。
选项：
A:正向导通
B:反向击穿
C:反偏
D:零偏
答案: 【反偏】

6、 问题:正向工作时，二极管的静态电流越大，它呈现的交流电阻越大。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

7、 问题:一般来说，发光二极管的正向导通电压比普通二极管的大。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

8、 问题:温度升高时，二极管的反向饱和电流增大。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

9、 问题:下图所示电路中,设二极管具有理想特性，当输入电压uI等于5V时，输出电压uo等于 V。
答案: 【2】

10、 问题:下图所示电路中，若稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和8V，稳定电流均为3mA，则在不考虑安全工作的情况下，输出电压Uo等于 V。
答案: 【6】

【作业】第1章 半导体二极管及其应用 作业1-2

1、 问题:教材P35：1.15
评分规则: 【 3小题的分值分别为：4分、3分、3分
】

【作业】第2章 半导体三极管及其基本应用 作业2-1

1、 问题:教材P85：2.2题
评分规则: 【 得分1
】

【作业】第2章 半导体三极管及其基本应用 作业2-2

1、 问题:教材P85~86：2.3(b)(c)，2.5，2.6(1)(2)
评分规则: 【 得分
】

【作业】第2章 半导体三极管及其基本应用 作业2-3

1、 问题:教材P87~88：2.10，2.12(1)(2)
评分规则: 【 得分
】

第2章 半导体三极管及其基本应用 第2章单元测验

1、 问题:1、NPN和PNP型晶体管的区别取决于( )。
选项：
A:半导体材料（比如硅与锗）不同
B:掺杂浓度的不同
C:P型区和N型区的位置不同
D:集电结面积不同
答案: 【P型区和N型区的位置不同】

2、 问题:2、晶体三极管（BJT）属于（ ）器件。
选项：
A:电阻型
B:电感型
C:电流控制型
D:电压控制型
答案: 【电流控制型】

3、 问题:3、场效应管（FET）属于（ ）器件。
选项：
A:电流控制型
B:电压控制型
C:电阻型
D:电感型
答案: 【电压控制型】

4、 问题:4、为使双极型晶体管（BJT)工作于放大状态，其两个PN结的偏置情况必须为（ ）。
选项：
A:发射结与集电结都正偏
B:发射结正偏，集电结反偏
C:发射结反偏，集电结正偏
D:发射结与集电结都反偏
答案: 【发射结正偏，集电结反偏】

5、 问题:5、下列场效应管中，没有原始导电沟道的是（ ）。
选项：
A:结型场效应管
B:耗尽型P沟道MOS管
C:增强型N沟道MOS管
D:耗尽型N沟道MOS管
答案: 【增强型N沟道MOS管】

6、 问题:6、晶体管（BJT）具有电流放大作用的内部条件之一是发射区高掺杂。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、 问题:7、晶体管（BJT）的共射与共基电流放大倍数都大于1 。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

8、 问题:8、晶体管（BJT）具有电流放大作用，跟外部电路没有关系。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

9、 问题:9、P沟道场效应管的导电通道是P型半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

10、 问题:10、晶体管的小信号模型（即微变等效电路）可用于分析其静态工作点。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

【作业】第3章 放大电路基础 作业3-1

1、 问题:教材P162：3.1，3.4，3.10
评分规则: 【 得分1
得分2
得分3
】

【作业】第3章 放大电路基础 作业3-2

1、 问题:教材P164~165：3.13，3.14，3.15
评分规则: 【 得分1
得分2
得分3
】