2020 模拟电子技术基础(江西理工大学)1450447482 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-02-16到2020-07-31
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第一讲 半导体导论 半导体基础知识测试1

1、 问题:在电子器件中，用的最多的半导体材料是硅，其原子序号为 。
选项：
A:4
B:14
C:24
D:32
答案: 【14】

2、 问题:在室温下，本征半导体中的载流子数目 。
选项：
A:很多
B:较多
C:较少
D:极少
答案: 【极少】

3、 问题:在本征半导体中，本征激发产生的载流子是 。
选项：
A:自由电子
B:空穴
C:正负离子
D:自由电子和空穴
答案: 【自由电子和空穴】

4、 问题:在热力学零度时，本征半导体相当于 。
选项：
A:导体
B:超导体
C:绝缘体
D:半导体
答案: 【绝缘体】

5、 问题:本征激发体现了半导体的 特性。
选项：
A:光敏性
B:热敏性
C:掺杂性
D:光敏性和热敏性
答案: 【光敏性和热敏性】

6、 问题:在 中掺入适量的杂质元素称为杂质半导体。
选项：
A:P型半导体
B:N型半导体
C:纯净型半导体
D:半导体
答案: 【纯净型半导体】

7、 问题:杂质半导体体现了半导体的 性。
选项：
A:光敏
B:热敏
C:掺杂
D:导电
答案: 【掺杂】

8、 问题:在杂质半导体中，少数载流子的浓度与 有关。
选项：
A:电子
B:空穴
C:掺杂浓度
D:温度
答案: 【温度】

9、 问题:P型半导体的多子是空穴，该半导体 。
选项：
A:带正电
B:带负电
C:不带电
D:无法确定带电情况
答案: 【不带电】

10、 问题:在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其转型为 。
选项：
A:P型半导体
B:N型半导体
C:I型半导体
D:导体
答案: 【P型半导体】

11、 问题:在P型半导体内掺入足够的五价元素，可以将其转型为 。
选项：
A:P型半导体
B:N型半导体
C:I型半导体
D:导体
答案: 【N型半导体】

第二讲 二极管基础 二极管基础测试2

1、 问题:漂移电流是 在内电场作用下形成的。
选项：
A:少数载流子
B:多数载流子
C:正离子
D:负离子
答案: 【少数载流子】

2、 问题:关于PN结正偏说法正确的是 。
选项：
A:P端电位高，N端电位低
B:N端电位高，P端电位低
C:P端与N端电位相同
D:P、N两端电位高低不确定
答案: 【P端电位高，N端电位低】

3、 问题:当PN结外加反向电压时，耗尽层_____。
选项：
A:变宽
B:变窄
C:不变
D:无法确定
答案: 【变宽】

4、 问题:PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:无法确定
答案: 【大于】

5、 问题:PN结伏安特性方程中的 Ut在常温（T=300K）时的值约为 。
选项：
A:26V
B:2.6V
C:26mV
D:2.6mV
答案: 【26mV】

6、 问题:PN结伏安特性方程可以描述PN结的 特性。
选项：
A:正向
B:反向
C:正向和反向
D:击穿
答案: 【正向和反向】

7、 问题:参数 表示的是 电压。
选项：
A:反向
B:击穿
C:击穿反向
D:反向击穿
答案: 【反向击穿】

8、 问题:参数 Is 与 有关。
选项：
A:外加电压
B:掺杂性质
C:反向击穿电压
D:温度
答案: 【温度】

9、 问题:点接触型二极管主要用于 。
选项：
A:整流
B:稳压
C:检波
D:开关
答案: 【检波;
开关】

【作业】第四讲 其他类型的二极管 二极管应用作业

1、 问题:在如图所示的电路中。已知输入电压 ，若二极管的正向压降为0.7V，试分析 的变化规律。
评分规则: 【 当时，D1导通，D2截止，
当时，D2导通，D1截止，
当 时，D1、D2均截止，
故 为上削顶下削底，且幅值为的波形。
】

2、 问题:电路如图所示。设电路中的二极管为硅管，输入信号 ，，电容器C对交流信号的容抗可以忽略不计，试计算输出电压 的交流分量。
评分规则: 【


】

3、 问题:在如图所示的稳压管电路中， ，限流电阻，稳压管的稳压值为12V，，。试求：（1）当 时的电流、和；（2）当输入电压由原来的30V升高到33V，且负载时，电流、和。
评分规则: 【