2020 模拟电子技术基础(黄冈师范学院) 最新满分章节测试答案
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本课程起止时间为:2020-02-17到2020-06-30
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第1章 绪论 绪论单元测试
1、 问题:放大电路的互阻放大基本模型中，受控源的类型是（ ）。
选项：
A:受电压控制电流源，VCCS
B:受电流控制电压源，CCVS
C:受电压控制电压源， VCVS
D:受电流控制电流源，CCCS
答案: 【受电流控制电压源，CCVS】
2、 问题:我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时， 宜选用（ ）模型对电路进行等效变换后进行分析。
选项：
A:电压放大
B:电流放大
C:互阻放大
D:互导放大
答案: 【互导放大】
3、 问题:以下关于电流放大电路性能的说法中，正确的是（ ）。
选项：
A:放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与输出电阻。
B:放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与输出电阻。
C:放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与尽可能小的输出电阻。
D:放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。
答案: 【放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。】
4、 问题:以下各项指标参数中，（ ）是放大电路本身的性能指标。
选项：
A:放大电路的增益
B:放大电路的负载电阻
C:放大电路的通频带宽度
D:放大电路的非线性失真
答案: 【放大电路的增益;
放大电路的通频带宽度;
放大电路的非线性失真】
5、 问题:放大电路的基本模型包括的基本要素有（ ）。
选项：
A:放大电路的输入与输出电阻
B:放大电路的负载
C:放大电路的输入信号
D:放大电路的增益
答案: 【放大电路的输入与输出电阻;
放大电路的增益】
6、 问题:互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益，就能够将输入电流信号有效转变较为稳定输出的电压信号。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【还需要考虑输入与输出电阻。匹配才能发挥出增益的真实水平】
7、 问题:电压放大电路也可以有电流放大能力。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
8、 问题:放大电路只能选取四种基本模型中的一种来等效。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
9、 问题:互阻放大模型中的增益代表放大电路的（ ）路输出电压与输入电流的比。（在”开“或“短”或“旁”或“环”中选择合适的填入）
答案: 【开】
10、 问题:放大电路是个二端口网络，其输入端口等效为一个（ ），输出端口则等效为带有内阻的受控源。
答案: 【(以下答案任选其一都对)电阻;
输入电阻;
负载电阻】
第2章 半导体基础知识及二极管 第2章_半导体基础知识及二极管_单元测验
1、 问题:为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（ ）。
选项：
A:提高环境温度
B:掺入特定杂质元素
C:加强光照
D:增加半导体材料横截面积
E:加强外电场
F:以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素
答案: 【掺入特定杂质元素;
以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素】
2、 问题:在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（ ）。
选项：
A:使空间电荷区变厚
B:抑制漂移，促进扩散
C:使反向饱和电流增大
D:使反向饱和电流减小
E:使势垒变高
F:只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变
G:抑制扩散，促进漂移
答案: 【使空间电荷区变厚;
使势垒变高;
只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变;
抑制扩散，促进漂移】
3、 问题:二极管两端外加正偏电压时，其正向电流是由（ ）。
选项：
A:多数载流子扩散形成
B:多数载流子漂移形成
C:少数载流子漂移形成
D:少数载流子扩散形成
答案: 【多数载流子扩散形成】
4、 问题:二极管整流电路利用的是二极管的（ ）特性。
选项：
A:反向击穿特性
B:电容效应
C:单向导电性
D:本征激发特性
E:掺杂特性
F:正向导通、反向截止的特性
G:正向导通、反向击穿的特性
H:开关特性
答案: 【单向导电性;
正向导通、反向截止的特性;
开关特性】
5、 问题:以下说法错误的是（ ）。
选项：
A:电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B:稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。
C:齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
D:雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
答案: 【稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。】
6、 问题:二极管的反向饱和电流在20摄氏度时是5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（ ）微安。
选项：
A:20
B:30
C:40
D:50
答案: 【40】
7、 问题:反映稳压二极管反向击穿特性的折线模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与（ ）的比。
选项：
A:反向电压在一定范围内变化量
B:反向电压
C:正向电流在一定范围内变化量
D:正向导通电压
答案: 【反向电压在一定范围内变化量】
8、 问题:向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（ ）。
选项：
A:内部多数载流子类型为自由电子
B:外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反
C:内部多数载流子类型为空穴
D:外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向一致
E:在产生多子自由电子的同时，生成带正电的施主离子
F:在产生多子空穴的同时，生成带负电的受主离子
答案: 【内部多数载流子类型为自由电子;
外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反;
在产生多子自由电子的同时，生成带正电的施主离子】
9、 问题:PN结的特性主要有（ ）。
选项：
A:单向导电性
B:反向击穿特性
C:电容特性
D:低电压稳压特性
E:本征激发特性
F:掺杂特性
答案: 【单向导电性;
反向击穿特性;
电容特性;
低电压稳压特性】
10、 问题:以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。
选项：
A:半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B:半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
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