2021 模拟电子技术(常熟理工学院)1463674442 最新满分章节测试答案
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本课程起止时间为:2021-03-08到2021-07-01
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0 绪 论 绪论测验题
1、 问题:某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3kW的负载电阻后,输出电压为3V。说明放大电路的输出电阻为 。
选项:
A:10 kW
B:2 kW
C:1kW
D:0.5kW
答案: 【1kW】
2、 问题:已知某信号源内阻为1kW,未接放大电路时测得信号源电压为10mV,接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mV,说明放大电路的输入电阻为 。
选项:
A:5 kW
B:4 kW
C:2kW
D:1kW
答案: 【4 kW】
3、 问题:在输出为电流信号的放大电路模型中, Ro应尽量( ),带负载能力( )。
选项:
A:大,强
B:大,弱
C:小,强
D:小,弱
答案: 【大,强】
4、 问题:对应于由传感器检测变换电路转换而来的信号源而言,放大电路可看作( )。
选项:
A:负载
B:等效电阻
C:输入电阻
D:负载或等效电阻或输入电阻
答案: 【负载或等效电阻或输入电阻】
5、 问题:对于输出为电压信号的电路,放大电路模型中输出电阻与负载( ),若要求Ro尽量小,带负载能力( )。
选项:
A:串联,强
B:并联,强
C: 串联,弱
D:并联,弱
答案: 【串联,强】
6、 问题:对应于外部负载而言,放大电路可看作( ),考虑到自身的损耗,通常表示应采用实际电压源或电流源形式来表示。如此端口等效源于电路分析中的( )定理。
选项:
A:信号源,戴维南定理
B:输出电阻,诺顿定理
C:信号源,戴维南定理或诺顿定理
D:输入电阻,替代定理
答案: 【信号源,戴维南定理或诺顿定理】
7、 问题:互阻放大电路适用于信号源内阻RS( )和负载RL( )的场合。
选项:
A:较大,较大
B:较大,较小
C:较小,较大
D:较小,较小
答案: 【较大,较大】
8、 问题:( )的大小决定了放大电路从信号源吸取信号电压或电流的大小。( )的大小决定了放大器带负载的能力。
选项:
A:输入电阻,输出电阻
B:输入电阻,输入电阻
C:输出电阻,输入电阻
D:输出电阻,输出电阻
答案: 【输入电阻,输出电阻】
9、 问题:同一个放大电路对不同信号源或带不同负载时,实际的放大能力常常是不同的。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析:【由于放大电路的输入电阻通常不是无穷大或零,输出电阻也不会是零或无穷大,所以对于不同的非理想信号源和不同的负载,放大电路的实际增益会有不同。也就是说,在实际信号放大过程中,放大电路的实际增益与输入电阻和输出电阻有关。】
10、 问题:放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
第1章 二极管及其基本电路 二极管及其基本电路测验题
1、 问题:半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。
选项:
A:自由电子
B:共价键中价电子
C:正离子
D:负离子
答案: 【共价键中价电子】
2、 问题:N型半导体中的多数载流子是 ,而P型半导体中的多数载流子是 。
选项:
A:自由电子,空穴
B:空穴,自由电子
C:自由电子,正离子
D:空穴,负离子
E:空穴,正离子
F:自由电子,负离子
答案: 【自由电子,空穴】
3、 问题:PN结内电场方向是由 。
选项:
A:N区指向P区
B:P区指向N区
C:不确定
D:与外加电压有关
答案: 【N区指向P区】
4、 问题:PN结正偏是指 。
选项:
A:N区电位高于P区
B:P区电位高于N区
C:P区和N区电位相等
D:与外加电压无关
答案: 【P区电位高于N区】
5、 问题:二极管正偏时应重点关注 ,反偏时应重点关注 。
选项:
A:导通电流和耗散功率,最大反向电压
B:最高工作频率,最大反向电压
C:最高工作频率,导通电流和耗散功率
D:结电容,最高工作频率
E:最大反向电压,结电容
答案: 【导通电流和耗散功率,最大反向电压】
6、 问题:齐纳二极管正常稳压时,工作在 状态。
选项:
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:放大
答案: 【反向击穿】
7、 问题:点亮发光二极管应加 ,光电二极管正常工作时应加 。
选项:
A:正偏电压,反偏电压
B:反偏电压,反偏电压
C:反偏电压,正偏电压
D:正偏电压,正偏电压
答案: 【正偏电压,反偏电压】
8、 问题:已知某二极管处于正向导通状态,其导通电流为0.5 mA,那么,此时二极管在室温(300K)下的小信号模型参数rd = 。
选项:
A:19.2 kΩ
B:1 kΩ
C:52 kΩ
D:52 Ω
答案: 【52 Ω】
9、 问题:设简单硅二极管基本电路如图所示,已知R = 1kW。当VDD =10V时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为 和 ;当VDD =1V时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为 和 。
选项:
A:10mA,9.3mA; 1mA,0.3mA
B:10mA,1mA;9.3mA,3mA
C:1mA,0.93mA;0.1mA,0.03mA
D:10mA,0.93mA;1mA,0.03mA
答案: 【10mA,9.3mA; 1mA,0.3mA】
10、 问题:12V电池的充电电路如图所示,用二极管理想模型分析,若vs是振幅为24V的正弦波,则二极管流过的峰值电流为 ,二极管两端的最大反向电压为 。
选项:
A:240mA,24V
B:120mA,12V
C:120mA,36V
D:360mA,36V
答案: 【120mA,36V】
11、 问题:电路如图所示,D1,D2为硅二极管,当vs = 6sinwt V时,用恒压降模型分析电路时,输出电压vO的波形是 。
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【】
12、 问题:二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析,在vI1和vI2电压的不同组合情况下,输出电压vO的值是 。
选项:
A:vO的a列
B:vO的b列
C:vO的c列
D:vO的d列
答案: 【vO的b列】
13、 问题:电路如图所示,D为硅二极管,若VDD = 2 V,R = 1 kW,正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。则静态(即vs= 0)时,二极管中的静态电流为 ,vO的静态电压 ;动态时,vO的交流电压振幅为 。
选项:
A:2mA,2V;0.05V
B:1.3mA,1.3V;0.05V
本文章不含期末不含主观题!!
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