2021 模拟电子技术(河南城建学院)1463334448 最新满分章节测试答案

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【作业】第一章 常用半导体器件 题目1.12

1、 问题:
评分规则: 【
】

第一章 常用半导体器件 第一章测试

1、 问题:PN结加正向电压时，空间电荷区将 。
选项：
A:变窄
B:基本不变
C:变宽
D:先变宽后变窄
答案: 【变窄】

2、 问题:稳压管的稳压区是其工作在 。
选项：
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:正向击穿
答案: 【反向击穿】

3、 问题:当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
选项：
A:前者反偏、后者也反偏
B:前者正偏、后者反偏
C:前者正偏、后者也正偏
D:前者反偏、后者正偏
答案: 【前者正偏、后者反偏】

4、 问题:UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
选项：
A:结型管
B:增强型MOS管
C:VMOS管
D:AMOS管
答案: 【结型管】

5、 问题:在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、 问题:PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、 问题:结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

8、 问题:处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ）
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

9、 问题:因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

第一章 常用半导体器件 第一章测试4（场效应管）

1、 问题:场效应晶体管是用（ ）控制漏极电流的 。
选项：
A:栅源电压
B:漏源电压
C:栅源电流
D:漏源电流
答案: 【栅源电压】

2、 问题:结型N沟道场效应管工作在恒流区时的栅源电压
选项：
A:大于0V
B:小于0V
C:等于0V
D:无要求
答案: 【小于0V】

3、 问题:结型P沟道场效应管工作在恒流区时的栅源电压
选项：
A:大于0V
B:小于0V
C:等于0V
D:无要求
答案: 【大于0V】

4、 问题:绝缘栅增强型NMOS管的开启电压（ ） 。
选项：
A:>0V
B:<0V
C:=0V
D:无要求
答案: 【>0V】

5、 问题:绝缘栅增强型PMOS管的开启电压（ ） 。
选项：
A:>0V
B:<0V
C:=0V
D:无要求
答案: 【<0V】

6、 问题:为使N沟道结型场效应管工作在恒流区，应在其栅-源之间加负向电压以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间加正向电压，以形成漏极电流。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、 问题: 场效应管的低频跨导gm是常数。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

8、 问题:场效应管靠电子和空穴两种载流子导电。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

9、 问题:增强型PMOS管的开启电压大于零。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

10、 问题:耗尽型MOS管工作在恒流区时的栅-源电压可以是>0V、<0V、=0V。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

11、 问题:结型场效应管发生预夹断后，管子关断，电流为零。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

12、 问题:结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间的PN结反偏。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

第二章 基本放大电路 第二章测试

1、 问题:只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

2、 问题:由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

3、 问题:放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

4、 问题:电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

5、 问题:放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的
选项：
A:正确
B:错误