2021 模拟电子技术(浙江工业大学)1463274442 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-03-08到2021-06-25
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【作业】第1章 半导体二极管 第1章 半导体二极管 作业

1、 问题:如图各电路中，(V），忽略二极管D的导通压降和死区电压，画出各电路相应的输出电压波形。
评分规则: 【


】

2、 问题:求如图所示电路中流过二极管的电流ID和A点对地电压VA。设二极管的正向导通电压为0.7V。
评分规则: 【

】

3、 问题:试确定如图（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压V1和V2的值（设二极管正向导通电压为 0.7V）。
评分规则: 【
（b）D截止，I=0，V1＝12V， V2＝0V。
】

4、 问题:设图中二极管的导通压降为 0.7V，判断图中各二极管是否导通，并求出Vo的值。
评分规则: 【 先假设所有二极管都截止，看哪个二极管的正偏电压高，先导通。

】

5、 问题:已知图示电路中稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和9V，求电压VO的值。
评分规则: 【

】

6、 问题:
评分规则: 【
】

第1章 半导体二极管 第1章 半导体二极管 单元测验

1、 问题:在P型半导体中，空穴浓度 自由 电子浓度。
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:小于等于
答案: 【大于】

2、 问题:在本征半导体中，空穴浓度 自由电子浓度。
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:不等于
答案: 【等于】

3、 问题:当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:大于等于
答案: 【小于】

4、 问题:普通小功率硅二极管的正向导通压降约为__。
选项：
A:0.1～0.3V
B:0.6～0.8V
C:3～5V
D:0V
答案: 【0.6～0.8V】

5、 问题:稳压管通常工作在__状态。
选项：
A:正向导通
B:反向截止
C:反向电击穿
D:热击穿
答案: 【反向电击穿】

6、 问题:电路如图所示，忽略二极管导通电压，则______。
选项：
A:D1、D2、D3均导通
B:D1导通，D2、D3均截止
C:D2导通， D1、D3均截止
D:VO= 0V
答案: 【D1导通，D2、D3均截止】

7、 问题:忽略二极管的导通电压，请计算如图所示电路中电流 I 的值。
选项：
A:6mA
B:3mA
C:1mA
D:0
答案: 【6mA】

8、 问题:忽略二极管的导通电压，请计算如图所示电路中电流 I 的值。
选项：
A:0
B:1 mA
C:5 mA
D:10 mA
答案: 【0】

9、 问题:普通小功率锗二极管的正向导通压降约为0.1～0.3V
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

10、 问题:理想二极管的导通电压视为零，反向截止电流视为零。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

11、 问题:由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

12、 问题:已知某二极管的伏安特性如图所示，该二极管的反向击穿电压约为 20 伏。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

13、 问题:二极管具有 单向导电性。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

14、 问题:PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

【作业】第2章 晶体管 第2章 晶体管 作业

1、 问题:在双极型三极管放大电路中，测得三个三极管的各个电极的对地静态电位如图所示，试判断各三极管的类型（NPN、PNP、硅、锗），并注明电极e、b、c的位置。
评分规则: 【 （a）图为NPN型硅三极管，左起e、b、c；
（b）图为PNP型硅三极管，左起 c、b、e；
（c）图为PNP型锗三极管，左起 c、e、b。
】

2、 问题:用直流电压表测得电路中三极管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些三级管分别处于什么状态。
评分规则: 【 每小题满分5分，共25分。
】

3、 问题:在某放大电路中有两只三极管。测得每个三极管的两个电极中的电流大小和方向如图（a）、（b）所示。（1）标出另一个电极中的电流大小和方向；（2）判断管子类型（NPN、PNP），表明电极e、b、c的位置；（3）估算管子的β值。
评分规则: 【 （a）由KCL得另一电极的电流为（5-0.1）=4.9mA，流入，管子类型为NPN，①②③对应于e、c、b，。
（b）由KCL得另一电极的电流为6.1-6=0.1mA，流出，管子类型为PNP，①②③对应于 c、b、e，。
】

4、 问题:某大功率三极管的输出特性如图题2.4所示，试求出该管子的b、、ICEO、VBR(CEO)和PCM。
评分规则: 【
ICEO＝5VBR(CEO)≈65VPCM≈1´50=50W
】

5、 问题:已知场效应管的输出特性如图。试求管子的下列参数：
评分规则: 【 第（1）小题3分，第（2）小题3分，第（3）小题3分，第（4）小题6分，共15分。
】

6、 问题:下图所示是三种不同类型的场效应管的转移特性曲线，试判断它们各属于什么类型的场效应管。
评分规则: 【 （a）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管（b）P沟道结型场效应管（c）P沟道增强型绝缘栅场效应管每小题5分，共15分
】

第2章 晶体管 第2章 晶体管 单元测验

1、 问题:N沟道和P沟道场效应管的区别在于_。
选项：
A:衬底材料前者为硅，后者为锗。
B: 衬底材料前者N型，后者为P型。
C:导电沟道中载流子前者为自由电子，后者为空穴。
D: 导电沟道中载流子前者为空穴，后者为自由电子。
答案: 【导电沟道中载流子前者为自由电子，后者为空穴。】

2、 问题:NPN和PNP型三极管的区别取决于_。
选项：
A:半导体材料硅和锗的不同
B:掺杂元素的不同
C:掺杂浓度的不同
D:P区和N区的位置不同
答案: 【P区和N区的位置不同】

3、 问题:已知某三极管的PCM＝800mW，ICM＝500mA,，VBR(CEO)＝30V。若该管子在电路中工作电压VCE ＝10V，则工作电流IC不应超过__ mA。
选项：