2020 模拟电子技术(福建江夏学院) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-02-17到2020-07-04
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【作业】2. 二极管及其基本电路 第一周作业

1、 问题:在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ），少数载流子的浓度则与（ ）有很大关系。
评分规则: 【 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（掺杂浓度），少数载流子的浓度则与（温度）有很大关系。总共2分，每空1分。
】

2、 问题:N型半导体又称为（ ）半导体，其多数载流子是（ ），少数载流子是（ ）。
评分规则: 【 N型半导体又称为（电子）半导体，其多数载流子是（电子），少数载流子是（空穴）。总共3分，每空1分。
】

3、 问题:在本征半导体中加入（ ）元素课形成N型半导体，加入（ ）元素可形成P型半导体。
评分规则: 【 在本征半导体中加入（ 五价）元素课形成N型半导体，加入（ 三价 ）元素可形成P型半导体。总共2分，每空1分。
】

4、 问题:PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ）A 变窄 B 基本不变 C变宽
评分规则: 【 PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）A 变窄 B 基本不变 C变宽
】

5、 问题:简答题：与本征半导体相比，N型半导体中空穴是多了还是少了？
评分规则: 【 N型半导体自由电子是多子，空穴是少子，与本证半导体相比，少子空穴少了。
】

【作业】2. 二极管及其基本电路 第二周作业

1、 问题:稳压二极管通常工作在（ ）状态下，能够稳定电压。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿
评分规则: 【 C反向击穿
】

2、 问题:PN结加反向偏置时，空间电荷区（ ）。 A.变宽 B.变窄 C.不变 D.不确定
评分规则: 【 A.变宽
】

3、 问题:二极管导通时，在电路中表现为（ ）电阻。 A.小电阻 B.大电阻
评分规则: 【 A.小电阻
】

4、 问题:填空：整流二极管的主要特性是（ ），它的两个参数是（ ）和（ ）。
评分规则: 【 整流二极管的主要特性是（ A ），它的两个参数是（ B ）和（ C）。 A.单向导电性 B. 反向击穿电压UBR C.最大工作电流。每空1分。
】

5、 问题:当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）A.增大 B.减小 C.不变。
评分规则: 【 A.增大
】

6、 问题:稳压管的稳压区是其工作在（ ）A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区。
评分规则: 【 C.反向击穿区
】

7、 问题:写出（1）-（6）图电路的输出电压。假设二极管导通电压为0.7V。
评分规则: 【 (1)1.3V (2)0V (3)-1.3V (4)2V (5)1.3V (6)-2V 每题1分
】

8、 问题:判断图所示电路中的二极管能否导通。（写出计算过程）
评分规则: 【 截止（要有计算过程）。
】

9、 问题:双向限幅电路如图所示，已知输入波形，请画出输出波形。
评分规则: 【 图形完全正确给三分，否则不给分。
】

2. 二极管及其基本电路 单元测验1（二极管及其基本电路）

1、 问题:当温度升高时，关于本征半导体中的载流子数量的变化下面哪种说法是正确的。
选项：
A:自由电子个数增加，空穴个数基本不变。
B:空穴个数增加，自由电子个数基本不变。
C:空穴和自由电子的个数都增加，而且它们增加的数量相等。
D:空穴和自由电子的个数均保持不变。
答案: 【空穴和自由电子的个数都增加，而且它们增加的数量相等。】

2、 问题: N型半导体可以在纯净半导体中掺入 元素实现。
选项：
A:3价
B:4价
C:5价
D:6价
答案: 【5价】

3、 问题:P型半导体可以在纯净半导体中掺入 元素实现。
选项：
A:3价
B:4价
C:5价
D:6价
答案: 【3价】

4、 问题:半导体中的少数载流子产生的原因是 。
选项：
A:内电场
B:热激发
C:掺杂
D:外电场
E:本征激发
答案: 【热激发;
本征激发】

5、 问题:随着环境温度的升高，半导体二极管的反向电流将 。
选项：
A:略有增加
B:减少
C:保持不变
D:与温度成比例增加
答案: 【略有增加 】

6、 问题: 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 。
选项：
A:杂质浓度
B:温度
C:本征半导体
D:掺杂工艺
答案: 【杂质浓度】

7、 问题:当PN结承受反向电压时，其内部电流关系为 。
选项：
A: 扩散电流大于漂移电流
B: 扩散电流等于漂移电流
C: 扩散电流小于漂移电流
D:无法确定
答案: 【 扩散电流小于漂移电流】

8、 问题:用数字万用表的电阻档无法正确测量二极管，你的结论是 。
选项：
A:电阻档无法给二极管提供正常的偏置
B:万用表的内阻与二极管不匹配
C:万用表内部电池电压过低
D:这种情况不存在，我就是这样测的
答案: 【电阻档无法给二极管提供正常的偏置 】

9、 问题:PN结的内电场方向是 。
选项：
A:由P区指向N区
B:由N区指向P区
C:与外加电压有关
D:不确定
答案: 【由N区指向P区】

10、 问题:齐纳二极管正常稳压时工作在 状态。
选项：
A:放大
B:反向击穿
C:正向导通
D:反向截止
答案: 【反向击穿】

11、 问题:二极管基本电路如图所示，已知R = 1kΩ。当VDD =10V 时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V 时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
选项：
A:10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B:10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
C:10mA，1mA；9.3mA，3mA
D:1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
答案: 【10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA】

12、 问题:PN结中的内电场阻止 的扩散运动，促进 的漂移运动。
选项：
A:多数载流子；少数载流子
B:少数载流子；多数载流子
C:空穴；电子
D:电子；空穴
答案: 【多数载流子；少数载流子】

13、 问题:P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，这种类型的半导体 。
选项：
A:本身是中性的
B:本身不带电
C:带正电
D:带负电
E:可能带正电，也可能带负电
答案: 【本身是中性的;
本身不带电】

14、 问题:PN结外加正向电压时，其空间电荷区 。
选项：
A:变窄
B:变宽
C:不变
D:消失
答案: 【变窄】

15、 问题:在绝对零度（0K）时，本征半导体中___ 载流子。
选项：
A:有
B:没有
C:只有多数
D:只有少数