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第一周:第0章绪言、第1章半导体二极管及其应用 第一章单元测试

1、 问题:本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度。
选项:
A:大于
B:小于
C:等于
D:不确定
答案: 【等于

2、 问题:p型半导体中的自由电子浓度_____空穴浓度
选项:
A:大于
B:等于
C:小于
D:不确定
答案: 【小于

3、 问题:N型半导体中的自由电子浓度 ___空穴浓度
选项:
A:大于
B:等于
C:小于
D:不确定
答案: 【大于

4、 问题:在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于
选项:
A:温度
B:晶体缺陷
C:掺杂工艺
D:掺杂浓度
答案: 【掺杂浓度

5、 问题:在掺杂半导体中,少子的浓度受 的影响很大
选项:
A:温度
B:晶体缺陷
C:掺杂工艺
D:掺杂浓度
答案: 【温度

6、 问题:N型半导体 _____
选项:
A:带正电
B:带负电
C:呈中性
D:不确定
答案: 【呈中性

7、 问题:P型半导体_
选项:
A:呈中性
B:带负电
C:带正电
D:不确定
答案: 【呈中性

8、 问题:当PN结正向偏置时,扩散电流 漂移电流
选项:
A:大于
B:等于
C:不确定
D:小于
答案: 【大于

9、 问题:当PN结正向偏置时,耗尽层的厚度_
选项:
A:变窄
B:变宽
C:不确定
D:不变
答案: 【变窄

10、 问题:当PN结反向偏置时,扩散电流 漂移电流
选项:
A:大于
B:小于
C:等于
D:不确定
答案: 【小于

11、 问题:当PN结反向偏置时,耗尽层的厚度______
选项:
A:不确定
B:变宽
C:变窄
D:不变
答案: 【变宽

12、 问题:当环境温度升髙时,二极管的正向电压将__
选项:
A:减小
B:增大
C:不确定
D:不变
答案: 【减小

13、 问题:当环境温度升髙时,二极管的反向电流将____
选项:
A:减小
B:不确定
C:不变
D:增加
答案: 【增加

14、 问题:半导体中,漂移电流是在 __作用下形成的
答案: 【电场

15、 问题:半导体中,扩散电流是在 作用下形成的
答案: 【浓度差

16、 问题:二极管最主要的特点是
答案: 【单向导电性

17、 问题:在室温(27t)时,锗二极管的死区电压约 V
答案: 【0.1

18、 问题:锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约_____V
答案: 【0.3

19、 问题:硅二极管的死区电压约 V
答案: 【0.5

20、 问题:硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V
答案: 【0.7

21、 问题:硅稳压管稳压电路稳压工作时,稳压管工作在 状态
答案: 【反向电击穿

22、 问题:
答案: 【1.3

23、 问题:
答案: 【6.7

24、 问题:
答案: 【0.7

25、 问题:
答案: 【6

26、 问题:
答案: 【14

27、 问题:
答案: 【0

28、 问题:
答案: 【-1.3

29、 问题:
答案: 【2

30、 问题:
答案: 【1.3

31、 问题:
答案: 【-2

第三周:第2章半导体晶体管及放大电路基础 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题(1)

1、 问题:晶体管能够放大的外部条件是 。
选项:
A:发射结正偏,集电结正偏
B:发射结反偏,集电结反偏
C:发射结正偏,集电结反偏
D:发射结反偏,集电结正偏
答案: 【发射结正偏,集电结反偏

2、 问题:当晶体管工作于饱和状态时,其 。
选项:
A:发射结正偏,集电结正偏
B:发射结反偏,集电结反偏
C:发射结正偏,集电结反偏
D:发射结反偏,集电结正偏
答案: 【发射结正偏,集电结正偏

3、 问题:硅晶体管的死区电压约为 。
选项:
A:0.1V
B:0.2V
C:0.3V
D: 0.5V

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