2021 模拟电子技术(双语)(2021春)(西安交通大学) 最新满分章节测试答案
- 第一周:第0章绪言、第1章半导体二极管及其应用 第一章单元测试
- 第三周:第2章半导体晶体管及放大电路基础 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题(1)
- 第三周:第2章半导体晶体管及放大电路基础 第2章 放大电路静态及动态分析测试
- 第六周:第4章集成运算放大器 第4章集成运算放大器自测题
- 第五周:第3章场效应晶体管及其放大电路 第3章场效应晶体管及其放大电路自测题
- 第四周:第2章半导体晶体管及放大电路基础、第3章场效应晶体管及其放大电路 第5章放大电路的频率特性基础自测题
- 第十二周:第10章直流稳压电源 第10章直流稳压电源自测题
- 第八周:第6章反馈和负反馈放大电路 第6章反馈和负反馈放大电路自测题
- 第九周:第7章集成运算放大器组成的运算电路、第8章信号检测与处理电路 第7章集成运算放大器组成的运算电路自测题
- 第十周:第7章信号检测与处理电路、第8章信号发生器 第7章信号检测与处理电路自测题
- 第十一周:第8章信号发生器、第9章功率放大电路 第8章信号发生器自测题
- 第十一周:第8章信号发生器、第9章功率放大电路 第9章功率放大电路自测题
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本课程起止时间为:2021-03-01到2021-07-01
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第一周:第0章绪言、第1章半导体二极管及其应用 第一章单元测试
1、 问题:本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度。
选项:
A:大于
B:小于
C:等于
D:不确定
答案: 【等于】
2、 问题:p型半导体中的自由电子浓度_____空穴浓度
选项:
A:大于
B:等于
C:小于
D:不确定
答案: 【小于】
3、 问题:N型半导体中的自由电子浓度 ___空穴浓度
选项:
A:大于
B:等于
C:小于
D:不确定
答案: 【大于】
4、 问题:在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于
选项:
A:温度
B:晶体缺陷
C:掺杂工艺
D:掺杂浓度
答案: 【掺杂浓度】
5、 问题:在掺杂半导体中,少子的浓度受 的影响很大
选项:
A:温度
B:晶体缺陷
C:掺杂工艺
D:掺杂浓度
答案: 【温度】
6、 问题:N型半导体 _____
选项:
A:带正电
B:带负电
C:呈中性
D:不确定
答案: 【呈中性】
7、 问题:P型半导体_
选项:
A:呈中性
B:带负电
C:带正电
D:不确定
答案: 【呈中性】
8、 问题:当PN结正向偏置时,扩散电流 漂移电流
选项:
A:大于
B:等于
C:不确定
D:小于
答案: 【大于】
9、 问题:当PN结正向偏置时,耗尽层的厚度_
选项:
A:变窄
B:变宽
C:不确定
D:不变
答案: 【变窄】
10、 问题:当PN结反向偏置时,扩散电流 漂移电流
选项:
A:大于
B:小于
C:等于
D:不确定
答案: 【小于】
11、 问题:当PN结反向偏置时,耗尽层的厚度______
选项:
A:不确定
B:变宽
C:变窄
D:不变
答案: 【变宽】
12、 问题:当环境温度升髙时,二极管的正向电压将__
选项:
A:减小
B:增大
C:不确定
D:不变
答案: 【减小】
13、 问题:当环境温度升髙时,二极管的反向电流将____
选项:
A:减小
B:不确定
C:不变
D:增加
答案: 【增加】
14、 问题:半导体中,漂移电流是在 __作用下形成的
答案: 【电场】
15、 问题:半导体中,扩散电流是在 作用下形成的
答案: 【浓度差】
16、 问题:二极管最主要的特点是
答案: 【单向导电性】
17、 问题:在室温(27t)时,锗二极管的死区电压约 V
答案: 【0.1】
18、 问题:锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约_____V
答案: 【0.3】
19、 问题:硅二极管的死区电压约 V
答案: 【0.5】
20、 问题:硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V
答案: 【0.7】
21、 问题:硅稳压管稳压电路稳压工作时,稳压管工作在 状态
答案: 【反向电击穿】
22、 问题:
答案: 【1.3】
23、 问题:
答案: 【6.7】
24、 问题:
答案: 【0.7】
25、 问题:
答案: 【6】
26、 问题:
答案: 【14】
27、 问题:
答案: 【0】
28、 问题:
答案: 【-1.3】
29、 问题:
答案: 【2】
30、 问题:
答案: 【1.3】
31、 问题:
答案: 【-2】
第三周:第2章半导体晶体管及放大电路基础 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题(1)
1、 问题:晶体管能够放大的外部条件是 。
选项:
A:发射结正偏,集电结正偏
B:发射结反偏,集电结反偏
C:发射结正偏,集电结反偏
D:发射结反偏,集电结正偏
答案: 【发射结正偏,集电结反偏】
2、 问题:当晶体管工作于饱和状态时,其 。
选项:
A:发射结正偏,集电结正偏
B:发射结反偏,集电结反偏
C:发射结正偏,集电结反偏
D:发射结反偏,集电结正偏
答案: 【发射结正偏,集电结正偏】
3、 问题:硅晶体管的死区电压约为 。
选项:
A:0.1V
B:0.2V
C:0.3V
D: 0.5V
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