2021 模拟电子技术（双语）(2021春)(西安交通大学) 最新满分章节测试答案

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第一周：第0章绪言、第1章半导体二极管及其应用 第一章单元测试

1、 问题:本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度。
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:不确定
答案: 【等于】

2、 问题:p型半导体中的自由电子浓度_____空穴浓度
选项：
A:大于
B:等于
C:小于
D:不确定
答案: 【小于】

3、 问题:N型半导体中的自由电子浓度 ___空穴浓度
选项：
A:大于
B:等于
C:小于
D:不确定
答案: 【大于】

4、 问题:在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于
选项：
A:温度
B:晶体缺陷
C:掺杂工艺
D:掺杂浓度
答案: 【掺杂浓度】

5、 问题:在掺杂半导体中，少子的浓度受 的影响很大
选项：
A:温度
B:晶体缺陷
C:掺杂工艺
D:掺杂浓度
答案: 【温度】

6、 问题:N型半导体 _____
选项：
A:带正电
B:带负电
C:呈中性
D:不确定
答案: 【呈中性】

7、 问题:P型半导体_
选项：
A:呈中性
B:带负电
C:带正电
D:不确定
答案: 【呈中性】

8、 问题:当PN结正向偏置时，扩散电流 漂移电流
选项：
A:大于
B:等于
C:不确定
D:小于
答案: 【大于】

9、 问题:当PN结正向偏置时，耗尽层的厚度_
选项：
A:变窄
B:变宽
C:不确定
D:不变
答案: 【变窄】

10、 问题:当PN结反向偏置时，扩散电流 漂移电流
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:不确定
答案: 【小于】

11、 问题:当PN结反向偏置时，耗尽层的厚度______
选项：
A:不确定
B:变宽
C:变窄
D:不变
答案: 【变宽】

12、 问题:当环境温度升髙时，二极管的正向电压将__
选项：
A:减小
B:增大
C:不确定
D:不变
答案: 【减小】

13、 问题:当环境温度升髙时，二极管的反向电流将____
选项：
A:减小
B:不确定
C:不变
D:增加
答案: 【增加】

14、 问题:半导体中，漂移电流是在 __作用下形成的
答案: 【电场】

15、 问题:半导体中，扩散电流是在 作用下形成的
答案: 【浓度差】

16、 问题:二极管最主要的特点是
答案: 【单向导电性】

17、 问题:在室温(27t)时，锗二极管的死区电压约 V
答案: 【0.1】

18、 问题:锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约_____V
答案: 【0.3】

19、 问题:硅二极管的死区电压约 V
答案: 【0.5】

20、 问题:硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V
答案: 【0.7】

21、 问题:硅稳压管稳压电路稳压工作时，稳压管工作在 状态
答案: 【反向电击穿】

22、 问题:
答案: 【1.3】

23、 问题:
答案: 【6.7】

24、 问题:
答案: 【0.7】

25、 问题:
答案: 【6】

26、 问题:
答案: 【14】

27、 问题:
答案: 【0】

28、 问题:
答案: 【-1.3】

29、 问题:
答案: 【2】

30、 问题:
答案: 【1.3】

31、 问题:
答案: 【-2】

第三周：第2章半导体晶体管及放大电路基础 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题（1）

1、 问题:晶体管能够放大的外部条件是 。
选项：
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 【发射结正偏，集电结反偏】

2、 问题:当晶体管工作于饱和状态时，其 。
选项：
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 【发射结正偏，集电结正偏】

3、 问题:硅晶体管的死区电压约为 。
选项：
A:0.1V
B:0.2V
C:0.3V
D: 0.5V