2021 模拟电子技术(2021春)(西安交通大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-03-01到2021-07-01
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第一周：第0章绪言、第1章半导体二极管及其应用 就一题，试试

1、 问题:
答案: 【14】

第二周：第2章半导体晶体管及放大电路基础 第1章半导体二极管及其应用自测题

1、 问题:本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:无关
答案: 【等于】

2、 问题:在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 。
选项：
A:材料
B:温度
C:压力
D: 掺杂浓度
答案: 【 掺杂浓度】

3、 问题:在掺杂半导体中，少子的浓度受 的影响很大。
选项：
A:温度
B:掺杂工艺
C:掺杂浓度
D:压力
答案: 【温度】

4、 问题:N型半导体 。
选项：
A:就是空穴型半导体
B:带正电
C:带负电
D:呈电中性
答案: 【呈电中性】

5、 问题:环境温度升高，二极管的反向饱和电流
选项：
A:将增大
B:将减小
C:不变
D:无法判断
答案: 【将增大】

6、 问题:普通二极管的正向电压降温度系数 。
选项：
A:为正
B:为负
C:为零
D:无法判断
答案: 【为负】

7、 问题:确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。
选项：
A:正向管压降UD ，正向平均电流IF
B:正向平均电流IF ，反向饱和电流IS
C:正向管压降UD，反向耐受电压UR
D:正向平均电流IF，反向耐受电压UR
答案: 【正向平均电流IF，反向耐受电压UR】

8、 问题:硅二极管的死区电压约为 。
选项：
A:0.1V
B:0.2V
C:0.3V
D:0.5V
答案: 【0.5V】

9、 问题:二极管的伏安特性表示式为 。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

10、 问题:已知二极管的静态工作点UD和ID，则其静态电阻为 。
选项：
A:UD/ID
B:UT/ID
C:UD/IS
D:UT/IS
答案: 【UD/ID】

11、 问题:
答案: 【1.3】

12、 问题:
答案: 【0】

13、 问题:
答案: 【-1.3】

14、 问题:
答案: 【2】

15、 问题:
答案: 【1.3】

16、 问题:
答案: 【-2】

17、 问题:
答案: 【14】

18、 问题:
答案: 【6】

19、 问题:
答案: 【6.7】

20、 问题:
答案: 【0.7】

第三周：第2章半导体晶体管及放大电路基础 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题（1）

1、 问题:晶体管能够放大的外部条件是 。
选项：
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 【发射结正偏，集电结反偏】

2、 问题:当晶体管工作于饱和状态时，其 。
选项：
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 【发射结正偏，集电结正偏】

3、 问题:硅晶体管的死区电压约为 。
选项：
A:0.1V
B:0.2V
C:0.3V
D: 0.5V
答案: 【 0.5V】

4、 问题:锗晶体管的导通压降|UBE|约为 。
选项：
A:0.1V
B:0.3V
C:0.5V
D:0.7V
答案: 【0.3V】

5、 问题:测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的b为 。
选项：
A:40
B:50
C:60
D:100
答案: 【60】

6、 问题:温度升高，晶体管的电流放大系数b 。
选项：
A:无法判断
B:不变
C:减小
D:增大
答案: 【增大】

7、 问题:温度升高，晶体管的管压降|UBE| 。
选项：
A:增大
B:减小
C:不变
D:无法判断
答案: 【减小】

8、 问题:温度升高，晶体管输入特性曲线 。
选项：
A:右移
B:左移
C:不变
D:无法判断
答案: 【左移】

9、 问题:温度升高，晶体管输出特性曲线的间隔 。