2014 模拟电子电路(杭州电子科技大学)78001 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2014-09-14到2015-01-22
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【作业】第1章 模拟电子电路导论 第1章习题

1、 问题:某放大器用±3V的电源供电。当输入为峰值为0.2V的正弦波时，可获得峰值为1.0mA的电流，并在100W负载上产生峰值为2.2V的正弦波。每个电源的平均电流为20mA。求用分贝表示的电压增益、电流增益和功率增益。
评分规则: 【


】

2、 问题:某电压放大器的输入电阻为10kW，输出电阻为200W，增益为1000V/V，它被连接在内阻为100kΩ、开路电压为10mV的信号源和100Ω负载之间，则：（1）输出电压为（ ）V。（2）从源到负载的电压增益为（ ）V/V。（3）从放大器输入端到负载的电压增益为（ ）V/V。
评分规则: 【


】

3、 问题:某电流放大器有，，，它被连接在内阻为100k的100mV信号源和1k负载之间。整个放大电路的电流增益、电压增益和功率增益分别为多少？
评分规则: 【 或
或
或
】

【作业】第2章 理想运算放大器及其线性应用1 第2章习题1

1、 问题:如图所示电路使用了一个理想运算放大器，但它的增益是有限的。当vI=4.0V时，测得vo=4.0V则该运算放大器的增益A是多少。
评分规则: 【


】

2、 问题:利用理想运算放大器，使用多大的R1和R2值可以设计得到具有如下增益的放大器？在设计中至少使用一个10kΩ电阻以及一个较大的电阻：（1）-1V/V； （2）+2V/V； （3）-0.5V/V； （4）-100V/V。
评分规则: 【 （1）电路如图所示（2分）(1分）令R1=10kΩ， （1分）则R2=10kΩ （1分）
（2）电路如图所示（2分）(1分）令R1=10kΩ， （1分）则R2=10kΩ （1分）
（3）电路如图所示（2分）(1分）令R2=10kΩ， （1分）则R1=20kΩ （1分）
（4）电路如图所示（2分）(1分）令R1=10kΩ， （1分）则R2=1000kΩ （1分）
】

【作业】第2章 理想运算放大器及其线性应用2 第2章习题2

1、 问题:考虑如图所示的求差电路，要求其输入电阻为20kΩ，增益为10，求4个电阻的阻值。
评分规则: 【 当,时，增益为
输入电阻,所以
又因为,所以
】

2、 问题:考虑如图所示的仪用放大器，假设它的共模输入电压为3V（直流），差模输入信号为80mV峰值的正弦波。设2R1=1kΩ，R2=50kΩ，R3= R4=10kΩ。求A,B,C,D和的电压
评分规则: 【
】

3、 问题:使用，以及的运算放大器来设计标称增益为10的同相放大器。假设输入是峰值幅度为的正弦波。（1）如果，那么在输出发生失真之前最大频率为多少？（2）如果，那么在输出发生失真之前的最大值为多少？（3）如果，那么有用的工作频率范围为多少？（4）如果，那么有用的输入电压范围为多少？
评分规则: 【
】

4、 问题:考虑一个标准积分电路，它的时间常数为1ms，初始输出为0，输入为一个脉冲串，它的脉宽为10μs，幅度为1V，并从0V开始上升。画出输出波形并标注。如果输出电压有1V的变化，则需要多少个脉冲？
评分规则: 【
】

【作业】第3章 晶体二极管及其基本应用1 第3章 习题1

1、 问题:求当正向电压为多少时，n = 2的二极管流过的电流等于1000Is？当正向电压为0.7V时，用Is来表示流过二极管的正向电流。
评分规则: 【
】

【作业】第3章 晶体二极管及其基本应用2 第3章 习题2

1、 问题:对于如所示的电路采用理想二极管，求所标明的电压和电流值。
评分规则: 【
】

2、 问题:假设如图所示电路中的二极管理想，求所标明的电压和电流值。
评分规则: 【 该题有多种假设前提，不管采用哪种途径，最后能分析出正确的状态结果即可得分。当然要求过程正确，如果过程错误，即便答案凑巧正确，也应扣分。
】

3、 问题:电路如图所示。（1）V+=5V，利用恒压降模型求电路的ID和vo；（2）在室温条件下，V+有的变化，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
评分规则: 【
】

【作业】第3章 晶体二极管及其基本应用3 第3章 习题3

1、 问题:如图所示电路，R = 1kΩ，要求使用二极管折线模型分析，假设，，求输出电压vo对vi的函数。画出当时vo对vi的传输特性。当时，画出vo的波形并标明数值。
评分规则: 【 注意在画图中，每个关键点有错误都要扣一分，扣完为止，不要倒扣。注意在画图中，每个关键点有错误都要扣一分，扣完为止，不要倒扣。
】

2、 问题:电路如图所示，当(V)时，试用恒压降模型分析电路，画出输出电压vo的波形。
评分规则: 【 注意在画图中，每个关键点有错误都要扣一分，扣完为止，不要倒扣。注意在画图中，每个关键点有错误都要扣一分，扣完为止，不要倒扣。
】

3、 问题: 电路如图所示，齐纳二极管的Vz = 8V，设V，试画出的波形。
评分规则: 【
】

4、 问题:稳压电路如图所示。（1）试写出齐纳二极管的耗散功率PZ的表达式，并说明输入vi和负载RL在何种情况下，PZ达到最大值或最小值；（2）写出负载吸收功率的表达式和限流电阻R消耗的功率表达式。
评分规则: 【
】

【作业】第4章 场效应管1 第4章 习题1

1、 问题:考虑一个N沟道增强型MOSFET，其,,以及.求下列情况下的漏极电流：（1）且；（2）且；（3）且；（4）。
评分规则: 【
】

【作业】第4章 场效应管2 第4章 习题2

1、 问题:由实验测得两种场效应管具有如图所示的转移特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。
评分规则: 【 图（a）P沟道耗尽型 Vt=3V (2分)图 (b) P沟道增强型 Vt=-3V (2分)
】

2、 问题:一个NEMOS晶体管有Vt = 1V。当VGS = 2V时，求得电阻rDS为1kW。为了使rDS = 500W，则VGS为多少？当晶体管的W为原W的二分之一时，求其相应的电阻值。
评分规则: 【
】

3、 问题: 用欧姆表的两测试棒分别连接JFET的漏极和源极，测得阻值为R1，然后将红棒（接负电压）同时与栅极相连，发现欧姆表上阻值仍近似为R1，再将黑棒（接正电压）同时与栅极相连，得欧姆表上阻值为R2，且R2>> R1，试确定该场效应管为N沟道还是P沟道。
评分规则: 【 时，低阻抗；时，高阻抗。即时导通，所以该管为P沟道JFET。
】

4、 问题:对于如图所示的分压偏置电路，求：（1）ID；（2）VS和VDS；（3）VG和VGS。
评分规则: 【
】

5、 问题:设计如图所示P沟道EMOSFET电路中的RS、RD。要求器件工作在饱和区，且ID = 0.5mA，VDS = −1.5V，。已知,Vt = −1V，设l = 0。
评分规则: 【
】

【作业】第4章 场效应管3 第4章 习题3

1、 问题: 如图所示为共源放大器，该晶体管有Vt = 1V，。（1）求ID、VGS；（2）如果VA = 100V，求gm和ro；（3）假设对于信号频率所有的电容相当于短路，画出该放大器完整的小信号等效电路；（4）求Ri、Ro、vo/vgs以及vo/vsig。
评分规则: 【 （1）直流通路如下：（2分）注意：电路图中错一个位置就扣一分，扣完为止。
（2）相应小信号参数为：（注意：公式正确可以给1分，计算结果正确再给1分，但如果公式错误，即使结果正确，也不能得分）
(3)注意：电路图中错一个位置就扣一分，扣完为止。交流通路如图所示（2分）小信号等效电路如图所示：（3分）
(4)注意：公式正确可以给1分，计算结果正确再给1分，但如果公式错误，即使结果正确，也不能得分
】

2、 问题:已知结型场效应管, ，输入信号电压有效值为10mV。计算如图所示的级联放大器的直流偏置、输入电阻、输出电阻及输出电压。如果输出端负载为10kW，计算其负载电压。
评分规则: 【 （2分）
注意：每个参数公式正确得1分，结果正确再得1分；若公式错误，即使结果正确，也不得分。
注意：公式正确得1分，结果正确再得1分；若公式错误，即使结果正确，也不得分。
】

【作业】第4章 场效应管4 第4章 习题4

1、 问题:如图所示电路中的MOSFET有，，。（1）求，和的值，使得，当漏极最大的信号幅度为时，求最大可能的值，栅极的输入电阻为10MW；（2）求偏置点的和值；（3）如果节点Z接地，节点X接到内阻为1MW的信号源，节点Y接到40kW的负载电阻，求从信号源到负载的电压增益。（4）如果节点Y接地，求Z开路时从X到Z的电压增益，该电路的Ro为多少？（5）如果X接地，节点Z连接到信号电流为10μA、内阻为100kW的电流源上，求在节点Y处测得的电压信号。为了简化，此问忽略的影响。
评分规则: 【
(3)为共源电路，（1分）交流小信号等效电路如下：（注意：小信号等效电路中错一点扣一分，扣完为止）(3分)
（4）为共漏电路，（1分）交流小信号等效电路如下：（注意：小信号等效电路中错一点扣一分，扣完为止）
（5）为共栅电路，（1分）交流小信号等效电路如下：（注意：小信号等效电路中错一点扣一分，扣完为止）（3分）该电路可以等效为（3分）