2021 模拟集成电路设计（申继伟-）(南京理工大学紫金学院) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-03-07到2021-06-20
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第二部分半导体器件物理基础第二部分第一次测验

1、问题:题2-1-1、为纯净的硅材料中掺入硼、铝、铟元素，形成（），其多子为（）。
选项：
A:P型半导体，空穴
B:P型半导体，电子
C:N型半导体，空穴
D:N型半导体，电子
答案: 【N型半导体，电子】

2、问题:题2-1-2、下图为（）的剖面图，其衬底一般接（）。
选项：
A:NMOS、低电平
B:PMOS、低电平
C:NMOS、高电平
D:PMOS、高电平
答案: 【NMOS、低电平】

3、问题:题2-1-3、在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
选项：
A:亚阈值区
B:线性区
C:饱和区
D:截止区
答案: 【饱和区】

4、问题:题2-1-4、元件符号如图所示，则对应的元件名称分别为（）。
选项：
A:NMOS、PMOS
B:PMOS、NMOS
C:JFET、NPN
D:NPN、PNP
答案: 【NMOS、PMOS】

5、问题:题2-1-5、NMOS管工作在饱和区的条件是（）。
选项：
A:VGSVTH且VDS< (VGS-VTH )
C:VGS (VGS-VTH )
D:VGS>VTH且VDS>(VGS-VTH )
答案: 【VGS>VTH且VDS>(VGS-VTH )】

6、问题:题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
选项：
A:截止区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 【饱和区】

7、问题:题2-1-7、已知增强型管的VTN=|VTP|=0.5V，各管脚电位如图所示，则该管子处于（）状态。
选项：
A:截止
B:线性
C:饱和
D:放大
答案: 【线性】

8、问题:题2-1-8、已知增强型管的VTN=|VTP|=0.5V，各管脚电位如图所示，则该管子处于（）状态。
选项：
A:线性
B:饱和
C:截止
D:放大
答案: 【饱和】

9、问题:题2-1-9、NMOS管子工作在深度线性区的条件为（）。
选项：
A:VDS<<2Veff
B:VGS<<2Veff
C:VDS>>2Veff
D:VGS>>2Veff
答案: 【VDS<<2Veff】

10、问题:题2-1-10、已知增强型管的VTN=0.5V，则该管子处于（）状态。
选项：
A:饱和
B:线性
C:截止
D:放大
答案: 【饱和】

1、问题:请大家将答案写到纸上，拍照上传，记得书写整齐，拍照清晰啊！

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