2020 电力电子技术(兰州交通大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-03-24到2020-07-01
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第二章 电力电子器件 第二章单元测试——概述、不可控器件、晶闸管

1、 问题:MOSFET属于（ ）器件
选项：
A:单极性
B:双极性
C:多极性
D:复合性
答案: 【单极性】

2、 问题:（ ）二极管的工作频率一般低于1KHz，具有容量大的优点。
选项：
A:快速恢复
B:整流
C:肖特基
D:发光
答案: 【整流】

3、 问题:一个电力电子器件的功率损耗包括（ ）。
选项：
A:通态损耗
B:断态损耗
C:开关损耗
D:无功功率损耗
答案: 【通态损耗;
断态损耗;
开关损耗】

4、 问题:一个电力电子系统包括（ ）部分。‍
选项：
A:控制电路
B:信号检测电路
C:保护和驱动电路
D:主电路
答案: 【控制电路;
信号检测电路;
保护和驱动电路;
主电路】

5、 问题:按照器件能够被控的程度，可以将电力电子器件分为（ ）
选项：
A:半控型器件
B:全控型器件
C:不可控器件
D:可控器件
答案: 【半控型器件;
全控型器件;
不可控器件】

6、 问题:电力二极管的主要类型包括（ ）。
选项：
A:普通二极管
B:快恢复二极管
C:肖特基二极管
D:发光二极管
答案: 【普通二极管 ;
快恢复二极管;
肖特基二极管;
发光二极管】

7、 问题:晶闸管有三个电极，分别是（ ），（ ）和（ ）。
选项：
A:阳极
B:阴极
C:门极
D:基极
答案: 【阳极;
阴极;
门极】

8、 问题:当开关频率较高时，电力电子器件的损耗80%为开关损耗。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

9、 问题:在高速的开关状态下，过小的结电容会导致二极管的单向导电性变差。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

10、 问题:半控型电力电子器件控制极只能控制器件的导通，而不能控制器件的关断。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

11、 问题:为减小开关损耗，提高效率，电力电子器件一般工作在（ ）状态。‍
答案: 【开关】

12、 问题:二极管两端所加正向电压过高时，会引起（ ）现象
答案: 【(以下答案任选其一都对)正向击穿;
热击穿】

13、 问题:二极管两端施加反向电压过高时，会引起（ ）现象
答案: 【(以下答案任选其一都对)雪崩击穿;
反向过压击穿】

第二章 电力电子器件 第二章单元测试——全控型器件

1、 问题:电力场效应管MOSFET是理想的（ ）控制器件。
选项：
A:电压
B:电流
C:电阻
D:功率
答案: 【电压】

2、 问题:电力MOSFET的通态电阻具有（ ）温度系数。
选项：
A:正
B:负
C:—
D:—
答案: 【正】

3、 问题:属于全控型器件的是（ ）。
选项：
A:晶闸管
B:电力MOSFET
C:IGBT
D:GTR
E:GTO
答案: 【电力MOSFET;
IGBT;
GTR;
GTO】

4、 问题:属于电流驱动的器件是（ ）
选项：
A:电力MOSFET
B:SCR
C:GTR
D:IGBT
答案: 【SCR;
GTR】

5、 问题:电力MOSFET导通的条件是（ ）且（ ）。
答案: 【漏源极间加正电压 栅源极间加大于开启电压的正电压】

6、 问题:IGBT是由（ ）和（ ）两类器件结合而成的复合器件。
答案: 【MOSFET GTR】

第三章 相控整流电路 第三章单元测试2

1、 问题:三相半波可控整流电路电阻负载的控制角α移相范围是（ ）。
选项：
A:0～90°
B:0～120°
C:0～150°
D:0～180°
答案: 【0～150°】

2、 问题:三相半波可控整流电路带电阻负载时，输出的电压波形处于连续和断续的临界状态时，α的取值为（ ）
选项：
A:0°
B:30°
C:60°
D:120°
答案: 【30°】

3、 问题:带电感负载的三相半波可控整流电路，当触发角大于30°时，各相晶闸管的导通较为（ ）
选项：
A:60°
B:90°
C:120°
D:150°
答案: 【120°】

4、 问题:三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，当α= （ ）时，输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。
选项：
A:0°
B:30°
C:60°
D:120°
答案: 【60°】

5、 问题:三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0°时，输出的负载电压平均值为（ ）
选项：
A:0.45U2
B:0.9U2
C:1.17U2
D:2.34U2