2020 石墨烯电子学（双语研讨）(东南大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-02-24到2020-06-30
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第1章 硅片的制备 第一讲 作业

1、 问题:在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?
选项：
A:（100）
B:（111）
C:（110)
D:(211)
答案: 【（111）】

2、 问题:磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：
选项：
A:轴向均匀
B:轴向递减
C:轴向递増
D:径向递减
答案: 【轴向递减】

3、 问题:关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确
选项：
A:可以多次缩颈
B:为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C:为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D:为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
答案: 【可以多次缩颈;
为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸;
为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸】

4、 问题:在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析：【因硅熔体温度梯度带来的密度（重力）差造成的干锅内熔体强对流减弱的缘故】

5、 问题:拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的 造成。
答案: 【(以下答案任选其一都对)O;
氧】

第六讲，介绍第六章 化学汽相淀积，包括：CVD概述，CVD工艺原理、方法，二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。 第六讲 作业

1、 问题:LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为：
选项：
A:温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B:淀积速率受气相质量输运控制；
C:淀积速率受表面化学反应控制；
D:反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
答案: 【淀积速率受气相质量输运控制；】

2、 问题:poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？
选项：
A:PECVD
B:LPCVD
C:APCVD
D:LCVD
答案: 【LPCVD】

3、 问题:关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
选项：
A:含H；
B:抗腐蚀性好；
C:台阶覆盖性较好；
D:是中温工艺；
E:常作为芯片的保护膜；
F:常作为腐蚀掩膜。
答案: 【含H；;
台阶覆盖性较好；;
常作为芯片的保护膜；】

4、 问题:等离子体是物质的一种热平衡存在形态。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

5、 问题:CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散； ；表面迁移。（三个字）
答案: 【再发射】

第八讲 介绍第8章 光刻工艺，包括光刻概述，光刻工艺流程以及光刻技术等8节内容。 第八讲 作业

1、 问题:光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作？
选项：
A:打底膜、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶
B:打底膜、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶
C:打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶
D:打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶、刻蚀
答案: 【打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶】

2、 问题:下列有关曝光的描述正确的是：
选项：
A:确定图案的精确形状和尺寸；
B:步进曝光机一次就可以完成曝光；
C:使受光照射区域的光刻胶膜发生化学反应形成潜影；
D:需要进行准确对版后再曝光，才能保证各次光刻的套准精度。
答案: 【确定图案的精确形状和尺寸；;
使受光照射区域的光刻胶膜发生化学反应形成潜影；;
需要进行准确对版后再曝光，才能保证各次光刻的套准精度。】

3、 问题:关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率？
选项：
A:采取浸入式光刻方法
B:光源为紫光
C:驻波效应对分辨率无影响
D:使用移相掩膜技术制备的光刻版
答案: 【采取浸入式光刻方法;
使用移相掩膜技术制备的光刻版】

4、 问题:正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

5、 问题:IC芯片的横向结构是通过 工艺实现的。（填2个字）
答案: 【光刻】

第十讲 介绍典型工艺集成，包括金属化、隔离技术，以及CMOS电路、双极型电路工艺。 第十周作业

1、 问题:通常采用重掺杂硅与金属接触来实现互连系统的欧姆接触，此时硅的掺杂浓度N> atoms/cm3。
选项：
A:10∧18
B:10∧19
C:10∧20
D:10∧21
答案: 【10∧19】

2、 问题:IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象：
选项：
A:在淀积的铝膜中掺入约1%Cu；
B:在淀积的铝膜中掺入约1%Si；
C:在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；
D:在铝膜表面覆盖Si3N4。
答案: 【在淀积的铝膜中掺入约1%Si；;
在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；】

3、 问题: LOCOS的2）、3）工艺步骤是采取下列哪种工艺方法：
选项：
A:2）热氧化生长SiO2
B:2）APCVD制备SiO2
C:3) RIE去除Si3N4
D:3) HF腐蚀去除Si3N4
答案: 【2）热氧化生长SiO2;
3) RIE去除Si3N4】

4、 问题:CMOS IC的电隔离通常是采用pn结隔离。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

5、 问题:表征电迁移现象的MTF是指 %互连线失效的时间。
答案: 【50】

第三讲，介绍第3章 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 第三讲 作业

1、 问题:通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
选项：
A:掺氯氧化
B:干氧
C:干氧-湿氧-干氧
D:低压氧化
答案: 【干氧-湿氧-干氧】

2、 问题:关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
选项：
A:生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B:温度升高氧化速率迅速增加
C:（111）硅比（100）硅氧化得快
D:有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E:生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律