2020 集成电路设计基础A(太原理工大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-02-17到2020-05-30
本篇答案更新状态:已完结

第一部分课程概论第一部分第一次测验

1、问题:题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是：。
选项：
A:2016年7月
B:2017年7月
C:2016年9月
D:2017年9月
答案: 【2016年7月】

2、问题:题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是：。
选项：
A:资本密集
B:技术密集
C:低风险
D:高风险
答案: 【低风险】

3、问题:题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔：个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
选项：
A:12
B:18
C:24
D:36
答案: 【18 】

4、问题:题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是：。
选项：
A:More Moore
B:More than Moore
C:Beyond CMOS
D:SoC
答案: 【SoC】

5、问题:题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：。
选项：
A:LSI
B:VLSI
C:ULSI
D:SoC
答案: 【VLSI 】

6、问题:题1-1-6 年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
选项：
A:1947
B:1948
C:1957
D:1958
答案: 【1947 】

7、问题:题1-1-7 年发明了世界上第一块集成电路。
选项：
A:1957
B:1958
C:1959
D:1960
答案: 【1958 】

8、问题:题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是：。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【胡正明】

9、问题:题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者：。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【张忠谋】

10、问题:题1-1-10 世界第一块集成电路发明者：。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【基尔比】

1、问题:1234
评分规则: 【 30分，每问15分跨导系数5分，每个问题10分每个空格5分每个空格5分
】

1、问题:题3-1-1 以下不是半导体材料的是：。
选项：
A:Si
B:Ge
C:GaAs
D:C
答案: 【C】

2、问题:题3-1-2 以下不是集成电路制造工艺特点的是：
选项：
A:超净
B:高精度
C:低精度
D:超纯
答案: 【低精度】

3、问题:题3-1-3 体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是：。
选项：
A:A、特征尺寸
B:器件数量
C:互连线长度
D:互连线层数
答案: 【A、特征尺寸】

4、问题:题3-1-4 以下不是光刻系统的主要指标的是：。
选项：
A:分辨率
B:晶圆直径

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