2020 20春-集成电路原理与设计-黄敏-1(苏州大学) 最新满分章节测试答案
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本课程起止时间为:2020-02-23到2020-07-03
本篇答案更新状态:已完结
第一部分 课程概论 第一部分第一次测验
1、 问题:题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是： 。
选项：
A:2016年7月
B:2017年7月
C:2016年9月
D:2017年9月
答案: 【2016年7月 】
2、 问题:题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是： 。
选项：
A:资本密集
B:技术密集
C:低风险
D:高风险
答案: 【低风险】
3、 问题:题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔： 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
选项：
A:12
B:18
C:24
D:36
答案: 【18 】
4、 问题:题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是： 。
选项：
A:More Moore
B:More than Moore
C:Beyond CMOS
D:SoC
答案: 【SoC】
5、 问题:题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为： 。
选项：
A:LSI
B:VLSI
C:ULSI
D:SoC
答案: 【VLSI 】
6、 问题:题1-1-6 年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
选项：
A:1947
B:1948
C:1957
D:1958
答案: 【1947 】
7、 问题:题1-1-7 年发明了世界上第一块集成电路。
选项：
A:1957
B:1958
C:1959
D:1960
答案: 【1958 】
8、 问题:题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是： 。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【胡正明】
9、 问题:题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者： 。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【张忠谋 】
10、 问题:题1-1-10 世界第一块集成电路发明者： 。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【基尔比 】
第二部分 集成电路制造工艺及版图 第三部分第一次测验
1、 问题:题3-1-1 以下不是半导体材料的是： 。
选项：
A:Si
B:Ge
C:GaAs
D:C
答案: 【C】
2、 问题:题3-1-2 以下不是集成电路制造工艺特点的是：
选项：
A:超净
B:高精度
C:低精度
D:超纯
答案: 【低精度 】
3、 问题:题3-1-3 体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是： 。
选项：
A:A、特征尺寸
B:器件数量
C:互连线长度
D:互连线层数
答案: 【A、特征尺寸】
4、 问题:题3-1-4 以下不是光刻系统的主要指标的是： 。
选项：
A:分辨率
B:晶圆直径
C:焦深
D:对比度
答案: 【晶圆直径 】
5、 问题:题3-1-5 在光学曝光中，由于掩膜版的位置不同，又分为接触式曝光，接近式曝光和：
选项：
A:投影式曝光
B:X射线曝光
C:电子束曝光
D:离子束曝光
答案: 【投影式曝光 】
6、 问题:题3-1-6 下列有关集成电路发展趋势的描述中，不正确的是 。
选项：
A:特征尺寸越来越小
B:晶圆尺寸越来越小
C:电源电压越来越低
D:时钟频率越来越高
答案: 【晶圆尺寸越来越小】
7、 问题:题3-1-7 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是： 。
选项：
A:A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B:B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C:C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D:D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
答案: 【B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形】
8、 问题:题3-1-8 以下不是影响刻蚀质量的主要因素是： 。
选项：
A:粘附性
B:刻蚀温度
C:刻蚀时间
D:刻蚀槽的高度
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