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本课程起止时间为:2020-03-21到2020-06-30
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模块一半导体器件 本征半导体测验

1、 问题:半导体的导电能力介乎于                    和                   之间。
答案: 【(以下答案任选其一都对)导体绝缘体;
导体,绝缘体;
绝缘体,导体;
绝缘体导体

2、 问题:当半导体两端外加电压时,半导体中将出现两部分电流:一是自由电子作定向运动所形成的            电流;一是仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的              电流。
答案: 【(以下答案任选其一都对)电子空穴;
电子,空穴

模块一半导体器件 PN结及其单向导电性测验

1、 问题:PN结具有                       性能,即加正向电压时,PN结                   ,加反向电压时,PN结                    。
答案: 【(以下答案任选其一都对)单向导电性 导通 截止;
单向导电性, 导通, 截止;
单向导电性, 正偏,反偏;
单向导电性 正偏 反偏;
单向导电 导通 截止;
单向导电, 导通, 截止;
单向导电 ,正偏,反偏;
单向导电 正偏 反偏

2、 问题:PN结的正向接法是P型区接电源的               极,N型区接电源的               极。
答案: 【(以下答案任选其一都对)正 负;
正,负

3、 问题:PN 结加正向电压时,其正向电阻               ,正向电流                 ,PN结处于               状态。
答案: 【(以下答案任选其一都对)较小 较大 导通;
较小 ,较大 ,导通;
很小 很大 导通;
很小 ,很大 ,导通;
较小 较大 正偏;
较小 ,较大 ,正偏

4、 问题:PN 结加反向电压时,其反向电阻               ,反向电流                 ,PN结处于               状态。
答案: 【(以下答案任选其一都对)较大 较小 截止;
很大 很小 截止;
较大,较小,截止;
很大,很小,截止

模块一半导体器件 N型半导体和P型半导体测验

1、 问题:在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成                   。
答案: 【杂质半导体

2、 问题: 半导体按导电类型分为               型半导体与                型半导体。   
答案: 【(以下答案任选其一都对)N P;
P N;
N,P;
P,N

P,N

P,N】

3、 问题: 在 P 型半导体中                    是多数载流子,                  是少数载流子。
答案: 【(以下答案任选其一都对)空穴 自由电子;
空穴, 自由电子

4、 问题:在N 型半导体中                是多数载流子,                是少数载流子。
答案: 【(以下答案任选其一都对)自由电子空穴;
自由,电子空穴

5、 问题:N型半导体主要靠                      导电,P型半导体主要靠                     导电。
答案: 【(以下答案任选其一都对)自由电子 空穴;
自由电子,空穴

模块一半导体器件 半导体二极管测验

1、 问题:二极管接在电路中,若测得a、b 两端电位如图所示,则二极管工作状态为(  )
选项:
A:截止
B: 导通  
C:击穿 
D:不确定
答案: 【 导通  

2、 问题:电路如图所示,二极管D为理想元件,US = 5V,则电压uO =( A    )。
选项:
A:5V 
B: 2.5V   
C:0V
D:不确定
答案: 【5V 

3、 问题:电路如图所示,二极管为同一型号的理想元件,电阻R=4kW,电位uA=1V,uB=3V,则电位UF等于(       )。
选项:
A:1V   
B:  3V   
C:12V  
D: -3V
答案: 【1V   

4、 问题:二极管的伏安特性可简单理解为              导通,             截止的特性。
选项:
A:正向, 反向 
B: 反向 ,正向
C:正向 ,正向
D:反向,反向
答案: 【正向, 反向 

5、 问题:电路如图所示,输入信号ui = 6sint V时,二极管D承受的最高反向电压为(          )。
选项:
A: 6V 
B:9V 
C:3V
D:0V
答案: 【3V

模块一半导体器件 特殊二极管

1、 问题:衡量稳压二极管稳压性能好坏最主要的是一个参数是(   A  )。
选项:
A:动态电阻rZ
B:电压温度系数αu
C:稳定电压UZ
D:稳定电流IZ
答案: 【动态电阻rZ

2、 问题:稳压管反向击穿后,其结果为(        )。
选项:
A:永久性损坏
B:只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围,管子无损
C:由于击穿而导致性能下降
D:由于击穿而导致短路
答案: 【只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围,管子无损

模块一半导体器件 双极型晶体管测验

1、 问题:PNP型和NPN型晶体管,其发射区和集电区均为同类型半导体(N型或P型)。所以在实际使用中发射极与集电极(        )。
选项:
A:可以调换使用
B:不可以调换使用
C:PNP型可以调换使用,NPN型则不可以调换使用
D:不确定
答案: 【不可以调换使用

2、 问题:工作在放大状态的晶体管,各极的电位应满足(            )
选项:
A:发射结正偏,集电结反偏
B: 发射结反偏,集电结正偏
C:C 发射结、集电结均反偏 
D:D发射结、集电结均正偏
答案: 【发射结正偏,集电结反偏

3、 问题:晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为(      )。
选项:
A:发射结正偏,集电结反偏
B:发射结反偏,集电结正偏
C:发射结、集电结均反偏
D:发射结、集电结均正偏
答案: 【发射结、集电结均正偏

4、 问题:电路如图所示,晶体管处于(          )。
选项:
A:饱和状态
B:放大状态
C:截止状态
D:不确定
答案: 【饱和状态

5、 问题:已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为 2V、2.7V 和 6V,则2.7V 所对应的电极为(    )。
选项:
A:发射极
B:集电极
C: 基极
D:不确定
答案: 【 基极

模块一半导体器件 半导体器件单元测验

1、 问题:电路如图所示, 二极管D为理想元件,当输入信号 ui=12sinwtV时,输出电压的最大值为(             )。
选项:
A:12 V
B:- 6 V
C:0 V
D: 6 V
答案: 【 6 V

2、 问题:电路如图所示,二极管D1、D2为理想元件,则在电路中(            )。
选项:
A:D1导通起箝位作用,D2截至起隔离作用

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