2020 CMOS模拟集成电路设计(福州大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-02-17到2020-09-30
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【作业】第2章 MOS器件物理基础 第二章作业

1、 问题:2.4 画出NMOS管的~曲线，以作为参数。
评分规则: 【 截止区、线性区、饱和区
】

2、 问题:
评分规则: 【
】

3、 问题:
评分规则: 【
】

第2章 MOS器件物理基础 第二章 测验1

1、 问题:题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
选项：
A:夹断  
B:反型 
C:导电
D:耗尽
答案: 【夹断  】

2、 问题:题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（ ）。
选项：
A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 【耗尽】

3、 问题:题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
选项：
A:亚阈值区 
B:深三极管区
C:饱和区
D:三极管区
答案: 【饱和区】

4、 问题:题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
选项：
A:电子
B:空穴   
C:正电荷
D:负电荷
答案: 【空穴   】

5、 问题:题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。
选项：
A:夹断层
B:反型层    
C:导电层
D:耗尽层
答案: 【反型层    】

6、 问题:题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
选项：
A:截止区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 【饱和区】

7、 问题:题2-1-7、在NMOS中，若, 会使阈值电压（）。 
选项：
A:增大 
B:不变
C:减小
D:可大可小
答案: 【增大 】

8、 问题:题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。
选项：
A:大
B:小
C:近似于W
D:精确
答案: 【大】

9、 问题:题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

10、 问题:题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
选项：
A:体 
B:衬偏 
C:沟长调制
D:亚阈值导通
答案: 【沟长调制】

11、 问题:以下条件___是NMOS管工作于线性区的条件。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

12、 问题:增强型NMOS转移特性曲线是___。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

13、 问题:MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

【作业】第3章 单级放大器 第三章作业1

1、 问题:
评分规则: 【 思路：PMOS做负载无体效应，但是L比较短，要考虑沟长调制效应。‍
‍



】

2、 问题:设VDS=0.5VDD。
评分规则: 【






】

第3章 单级放大器 第三章第一次测验

1、 问题:题4-1-1、随着微电子工艺水平提高, 特征尺寸不断减小, 这时电路的工作电压通常会（） 。
选项：
A:不断提高
B:不变
C:可大可小
D:不断降低
答案: 【不断降低】

2、 问题:题4-1-2、在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩小。
选项：
A:MOS 
B:CMOS
C:Bipolar 
D:BiCMOS
答案: 【CMOS】

3、 问题:题4-1-3、最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。
选项：
A:MOS
B:CMOS 
C:Bipolar   
D:BiCMOS
答案: 【CMOS 】

4、 问题:题4-1-4、电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。
选项：
A:增大器件宽长比 
B:增大负载电阻
C:降低输入信号直流电平
D:增大器件的沟道长度L
答案: 【增大器件的沟道长度L】

5、 问题:题4-1-5、下面几种电路中增益线性度最好的是（）。
选项：
A:电阻负载共源级放大器
B:电流源负载共源级放大器
C:二极管负载共源级放大器  
D:源极负反馈共源级放大器
答案: 【二极管负载共源级放大器  】

6、 问题:题4-1-6、下面放大器的增益错误的是（）。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】