2019 IC制造工艺(苏州工业园区服务外包职业学院)1003779117 最新满分章节测试答案
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本课程起止时间为:2019-11-29到2020-03-31
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【作业】单元6：薄膜的制备 综合演练
1、 问题:简述集成电路芯片制造工艺流程，并对其进行简单概述 。
评分规则: 【 1.衬底制备 —— 外延生长 ——热氧化 —— 扩散掺杂—— 离子注入 —— 快速热处理 —— 化学气相淀积—— 光刻 —— 刻蚀 —— 金属化 —— 钝化。（5分）2.外延生长：是在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层,犹如原来的晶体向外延伸了一段,故称外延生长。（5分）3.热氧化：在高温下,硅与氧反应在硅表面生成氧化硅薄膜。（2分）4. 扩散技术：对于施主或受主杂质的掺入，就需要进行较高温度的热扩散。为了让晶体中产生出大量的晶格空位，所以，就必须对晶体加热，让晶体原子的热运动加剧，以使得某些原子获得足够高的能量而离开晶格位置、留下空位（与此同时也产生出等量的间隙原子，空位和间隙原子统称为热缺陷），也因此原子的扩散系数随着温度的升高而指数式增大。（5分）5.离子注入的过程，就是在真空系统中，用经过加速的，要掺杂的原子的离子照射（注入）固体材料，从而在所选择的（即被注入的）区域形成一个具有特殊性质的表面层（注入层）。（4分）6. 快速热处理：包括快速热氧化、离子注入后的快速热退火、快速加热化学气相沉积化学气相淀积：化学气相沉积是以气体输运的方式合理地引入反应室，在衬底表面发生化学反应沉积薄膜的方法；（6分）7.光刻：首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质，而构筑栅区的地方不会被照射到，所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片，变质的光刻胶被除去，露出下面的硅片，而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作，直到最后形成成品晶片。（6分）8.刻蚀：在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。（3分）9.金属化：根据电路设计要求，将晶体管、二极管、电阻、电容等元器件用金属薄膜线条连接起来。（2分）10.钝化：通过特定的工艺，在半导体表面淀积生长绝缘薄膜，以减少外界环境对半导体表面的影响。（2分）
】
2、 问题:常用的化学气相沉积有几种？简述其各自的优缺点。
评分规则: 【 1.APCVD（常压CVD）（2分）反应简单，淀积速率快，低温（2分）台阶覆盖能力差，有颗粒沾污，低产出率（2分）2.LPCVD（低压CVD）（2分）高纯度和均匀性，一致的台阶覆盖能力，大的硅片容量（2分）高温，淀积速率低，需要更多的维护，要求真空系统支持（2分）3.等离子体CVD、等离子体增强CVD（PECVD）、高密度等离子体CVD(HDPCVD)（4分）低温，快速淀积，台阶覆盖能力好，间隙填充能力强（2分）要求RF系统，高成本，压力远大于张力，化学物质（如H2）和颗粒沾污（2分）
】
单元6：薄膜的制备 考一考
1、 问题:光掩模(Mask)制作包括哪些步骤（ ）
选项：
A:模版设计
B:曝光
C:显影
D:刻蚀
E: 以上全部
答案: 【 以上全部】
2、 问题:下列属于单晶硅材料制造技术的是( )
选项：
A:还原法
B:CZ法
C: 氧化法
D:热蒸发
答案: 【CZ法 】
3、 问题:由电子离子原子分子或者自由基等粒子组合的集合体是 ( )
选项：
A:等离子体
B:分子体
C:电子体
D: 原子体
答案: 【等离子体】
4、 问题:LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（ ）。
选项：
A:SiCl4→Si+2Cl2
B:SiH4 →Si+2H2
C:Si3N4→3Si+2N2
D:SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
答案: 【SiH4 →Si+2H2 】
5、 问题:Si3N4薄膜在集成电路中的应用主要有：⑴ 钝化膜 ⑵ 选择氧化 ⑶电容介质 由于氮化硅氧化速率极低，因此被用作（ ）的掩蔽膜。
选项：
A:⑴
B: ⑵
C: ⑶
D: ⑴⑵
答案: 【 ⑵ 】
6、 问题:外延生长工艺流程是（ ）。①硅片清洁处理 ②氯化氢气相抛光 ③系统的清洁处理 ④降温取片 ⑤外延生长
选项：
A: ①②③④⑤
B: ①②③⑤④
C:③①②⑤④
D:③①②④⑤
答案: 【③①②⑤④ 】
7、 问题:通常情况下不会对硅产生化学腐蚀的溶液是 ( )
选项：
A:HF
B:KOH
C:NH4OH
D:HF 、HNO3混合液
答案: 【HF 】
8、 问题:二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有（ ） ⑴ 对杂质的掩蔽作用 ⑵ 对器件表面的保护和钝化作用 ⑶ 用于器件的电绝缘和电隔离 ⑷ 作为电容器的介质材料 ⑸ 作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料
选项：
A:⑴⑵
B:⑴⑵⑶
C:⑴⑵⑷⑸
D:⑴⑵⑶⑷⑸
答案: 【⑴⑵⑶⑷⑸ 】
9、 问题:以下不属于前烘的作用是（ ）
选项：
A:增强胶层与样品的粘附能力
B:在接触式曝光中可以提高胶层与掩膜板接触时的耐磨性能
C:将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除
D:可以提高光刻的分辨率
答案: 【可以提高光刻的分辨率】
10、 问题:下面哪些说法是正确的（ ） ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低
选项：
A:⑴⑵
B: ⑵⑷
C:⑴⑵⑷
D: ⑴⑵⑶⑷
答案: 【 ⑴⑵⑶⑷ 】
11、 问题:高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
12、 问题:LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
13、 问题:在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
14、 问题:对半导体制造来讲，硅片中用得最广的晶体平面是（100）、（110）和（111）。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
15、 问题:常见的热氧化设备包括立式和卧式两种。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
16、 问题:晶体中的缺陷有点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷四种形式。
选项：
本文章不含期末不含主观题！！
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