2020 IC设计及应用（研究生）(北京信息科技大学) 最新满分章节测试答案

本答案对应课程为:点我自动跳转查看
本课程起止时间为:2020-02-21到2020-07-10
本篇答案更新状态:已完结

【作业】第一部分 课程概论 第一次作业

1、 问题:根据集成电路设计概述内容，简述一下我国集成电路发展现状及发展。
评分规则: 【 1、完成我国集成电路现状的分析；
2、结合自己课题，了解集成电路的应用前景及发展方向
】

第五部分 数字集成电路设计基础 第五单元第一次测验

1、 问题:5-1-1、如下不是数字信号的主要特点的是：        。
选项：
A:易于存储   
B:易于传输
C:易于处理
D:抗干扰能力差
答案: 【抗干扰能力差】

2、 问题:5-1-2、数字集成电路自上而下的设计流程中，如下最底层的设计是：        。
选项：
A:系统级      
B:门级       
C:晶体管级          
D:模块级
答案: 【晶体管级          】

3、 问题:5-1-3、数字集成电路设计中，不属于高端工艺对高性能设计的挑战的是：        。
选项：
A:低电压电源分布网络 
B:系统级建模技术          
C:ESD/闩锁等可靠性问题
D:高频时钟互联网络
答案: 【系统级建模技术          】

4、 问题:5-1-4、下图所示的晶体管级电路是：        。
选项：
A:反相器      
B:传输门       
C:与非门          
D:或非门
答案: 【反相器      】

5、 问题:5-1-5、按功能划分，通常一个数字信号处理系统都不包括：        。
选项：
A:数据通路       
B:控制模块      
C:存储器       
D:传感器
答案: 【传感器】

6、 问题:5-1-6、集成电路成本中，如下不属于固定成本的是：        。
选项：
A:研发成本       
B:IP及EDA成本      
C:封装成本       
D:掩膜成本
答案: 【封装成本       】

7、 问题:5-1-7、集成电路成本中，如下不属于可变成本的是：        。
选项：
A:研发成本 
B:测试成本      
C:封装成本       
D:掩膜成本
答案: 【研发成本 】

8、 问题:5-1-8、如下不是控制集成电路成本直接措施的是：        。
选项：
A:缩小面积    
B:增加片内测试PAD   
C:减少工艺复杂性
D:提高良率
答案: 【增加片内测试PAD   】

9、 问题:5-1-9、如下不是数字设计的质量评价的指标是：        。
选项：
A:成本   
B:性能   
C:功耗   
D:管脚数量
答案: 【管脚数量】

10、 问题:5-1-10、不是CMOS反相器的基本特性的是：        。
选项：
A:是有比电路     
B:是无比电路     
C:有上拉网络和下拉网络    
D:输出反相
答案: 【是有比电路     】

第五部分 数字集成电路设计基础 第五单元第二次测验

1、 问题:题5-2-1：如下反相器电路中，当0≤Vin≤VTN，则：        。
选项：
A:NMOS管工作在线性区    
B:PMOS管工作在线性区
C:NMOS管工作在饱和区    
D:PMOS管工作在饱和区
答案: 【PMOS管工作在线性区】

2、 问题:题5-2-2：如下反相器电路中，当Vout+VTP≤Vin≤Vout+VTN，则：        。
选项：
A:NMOS饱和， PMOS饱和    
B:NMOS饱和， PMOS截止
C:NMOS截止， PMOS饱和    
D:NMOS截止， PMOS截止
答案: 【NMOS饱和， PMOS饱和    】

3、 问题:题5-2-3：数字逻辑门的高电平噪声容限的表达式是     。
选项：
A:VIH-VOH    
B:VOL-VOH  
C:VOH-VOL    
D:VOH-VIH
答案: 【VOH-VIH】

4、 问题:题5-2-4：如下不是CMOS反相器的负载电容的是        。
选项：
A:MOS管的漏-衬底pn结电容CDBN和CDBP
B:下级电路的输入电容Cin
C:MOS管的结电容
D:互连线引起的寄生电容Cl
答案: 【MOS管的结电容】

5、 问题:题5-2-5：反相器的传播延时为        。
选项：
A:tpLH     
B:tpHL    
C:tpLH+tpHL      
D:0.5（tpLH+tpHL）
答案: 【0.5（tpLH+tpHL）】

6、 问题:题5-2-6：如果将反相器的转换阈值Vit做为允许的输入高电平和低电平极限，则如下关于反相器的噪声容限的表述错误的是        。
选项：
A:VNLM与VNHM中较小的决定最大直流噪声容限
B:VNLM=Vit
C:VNHM=VDD-Vit
D:VNLM与VNHM中较大的决定最大直流噪声容限
答案: 【VNLM与VNHM中较小的决定最大直流噪声容限】

7、 问题:题5-2-7：如下不是CMOS数字电路中功耗来源的是：        。
选项：
A:电容充放电过程中的动态功耗
B:电源与地间的直流通路引起的短路功耗
C:MOS管漏电的静态功耗
D:热电子运动
答案: 【热电子运动】

8、 问题:题5-2-8：按照功耗性质不同分类来看，开关功耗属于        。
选项：
A:静态功耗     
B:动态功耗     
C:平均功耗     
D:短路功耗
答案: 【动态功耗     】

9、 问题:题5-2-9：如下不属于CMOS数字电路低功耗设计技术方案的是        。
选项：
A:降低工作电压     
B:减少逻辑门的开关频率
C:提高工作电压     
D:降低工作电压
答案: 【提高工作电压     】

10、 问题:题5-2-10：如下不是减少CMOS数字电路漏电流功耗的途径的是        。
选项：
A:降低电源电压VDD     
B:提高阈值电压VT
C:减少晶体管数目n     
D:提高电源电压VDD
答案: 【提高电源电压VDD】

第五部分 数字集成电路设计基础 第五单元第三次测验

1、 问题:题5-3-1：以下不是组合逻辑电路的特点的是        。
选项：
A:输出总是由布尔函数决定                  
B:输出状态可以记忆
C:稳态输出，但只与输入的当前值有关        
D:输出不反馈到输入
答案: 【输出状态可以记忆】

2、 问题:题5-3-2：以下不是静态组合逻辑电路的是        。
选项：
A:互补CMOS组合逻辑