2020 VLSI设计基础(东南大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-03-24到2020-06-30
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第一章 概论 第一章测试

1、 问题:摩尔定律将遇到前所未有的挑战，挑战不包含哪个（）
选项：
A:计算密度增加、工作功耗密度和漏电功耗密度大幅度增长
B:功耗密度持续提高、散热无法解决
C:互连延时降低，互连能耗减小
D:工艺复杂，成本降低难以持续
答案: 【互连延时降低，互连能耗减小】

2、 问题:到今年为止，工艺尺寸还在scaling down吗？ 
选项：
A:是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm
B:在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸已停止下降
C:在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸下降的很缓慢
D:不知道
答案: 【是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm】

3、 问题:你认为数字集成电路最重要的三大指标是什么？
选项：
A:速度
B:功耗
C:可靠性
D:面积
答案: 【速度;
功耗;
面积】

4、 问题:摩尔定律预测单个芯片上的晶体管数目每2年会增加一倍
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

5、 问题:VLSI芯片内部处理的是模拟信号
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

6、 问题:集成电路行业之所以追求摩尔定律的高速发展，是因为对技术奖进步的追求，最看重的是特征尺寸下降带来的技术提高。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【成本驱动也是重要因素】

第二章 下 设计与工艺接口 第二章 下 测试

1、 问题:重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内
选项：
A:衬底掺杂浓度
B:氧化层厚度
C:多晶硅与衬底的功函数差
D:栅极电压
答案: 【栅极电压】

2、 问题:下列哪个选项不属于设计与工艺接口
选项：
A:工艺抽象
B:电学设计规
C:几何设计规则
D:工艺检查与监控
答案: 【工艺抽象】

3、 问题:几何设计规则给出的是一组版图设计的最大允许尺寸
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

4、 问题:下图曲线是倒相器在各个工艺角下的仿真结果，从上往下工艺角越来越差
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

第三章 反相器和组合逻辑电路 第三章测试

1、 问题:下图对应的逻辑表达式是
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

2、 问题:下图等效宽长比为2:1，求ABCD四个PMOS和NMOS管的宽长比
选项：
A:4,8,8,4   2,2,2,1
B:8,8,8,8   2,2,2,2
C:4,4,4,8   1,1,1,2
D:4,4,4,4   1,1,1,1
答案: 【4,8,8,4   2,2,2,1】

3、 问题:写出图中所示电路的逻辑表达式
选项：
A:F=ABCDE；
B:F=ABCD+E；
C:F=
D:F=；
答案: 【F=；】

4、 问题:对于下图所示电路，逐级加大晶体管尺寸，降低了起主要作用的电阻，同时使得电容的增加保持在一定的范围内 
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

5、 问题:NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

第二章 MOS晶体管原理 第二章测试

1、 问题:下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

2、 问题:以下哪个条件是线性区的条件
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

3、 问题:MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

4、 问题:MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

第二章 MOS晶体管原理 第二章单元测试

1、 问题:MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的____效应产生的。
选项：
A:体
B:衬底偏置
C:沟道长度调制
D:亚阈值导通
答案: 【沟道长度调制】

2、 问题:MOS管一旦出现_____现象，此时的MOS管将进入饱和区。
选项：
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 【夹断】

3、 问题:以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应
选项：
A:①②③④⑤⑥
B:①②③④⑤
C:①③④⑤⑥
D:①②③⑤⑥
答案: 【①②③④⑤⑥】

4、 问题:当晶体管的W值较小时，受窄沟道效应的影响，晶体管的阈值电压
选项：
A:升高
B:降低
C:不变
D:以上均不对
答案: 【升高】

5、 问题:随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压
选项：
A:升高
B:降低
C:不变