第一章 单元测试

1、 问题:1947年，威廉·肖克利、约翰·巴顿和沃特·布拉顿在单晶锗上研制出了第一支点接触式晶体管（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

2、 问题:1958年，美国工程师基尔比设计了世界第一块集成电路（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

3、 问题:MOS管是三端器件，有放大和开关作用。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

4、 问题:双极晶体管是三端器件，有放大和开关作用。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

5、 问题:在二极管两端施加正向电压，二极管导通，施加反向电压，二极管截止。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

第二章 单元测试

1、 问题:给PN结施加正向偏压时，其势垒宽度会（ ）。
选项：
A:变宽
B:变窄
C:不变
D:不确定
答案: 【
变窄
】

2、 问题:在PN结的空间电荷区中，内建电场的方向是（ ）。
选项：
A:由P区指向N区
B:由N区指向P区
C:P区一侧
D:N区一侧
答案: 【
由N区指向P区
】

3、 问题:PN结的掺杂浓度越高，接触电势差就越大。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

4、 问题:在PN结的空间电荷区中，P区一侧带正电荷，N区一侧带负电荷。 （ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

5、 问题:外加电压越高，势垒电容越大。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

第三章 单元测试

1、 问题:双极晶体管工作于放大区时，其外部条件是（ ）
选项：
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结正偏，集电结反偏
C:发射结反偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 【
发射结正偏，集电结反偏
】

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