第一章 单元测试

1、 问题:世界上第一个集成电路制造所用的衬底是( )。
选项:
A:硅单晶
B:锗单晶
C:多晶硅
D:金衬底
答案: 【
锗单晶

2、 问题:麒麟980芯片采用的工艺水平是( )。
选项:
A:7 nm
B:9 nm
C:5 nm
D:10 nm
答案: 【
7 nm

3、 问题:发明集成电路的公司有( )。
选项:
A:德州仪器
B:英特尔
C:仙童半导体
D:英伟达
答案: 【
德州仪器
仙童半导体

4、 问题:微电子产业的特点有( )。
选项:
A:商品寿命短
B:技术含量高,人才需要大
C:对材料及产品可靠性要求高
D:制造环境要求高
答案: 【
商品寿命短
技术含量高,人才需要大
对材料及产品可靠性要求高
制造环境要求高

5、 问题:摩尔定律会一直发展下去。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

6、 问题:集成电路制造所需的单晶硅纯度在11-12个9。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

第二章 单元测试

1、 问题:如下选项那个不是离子注入工艺过程中,减少沟道效应的措施( )。
选项:
A:增加注入剂量
B:表面用掩膜
C:表面预非晶化
D:增加注入能量
答案: 【
增加注入能量

2、 问题:下列哪个杂质允许在硅中存在的?( )
选项:
A:C
B:Cu
C:O
D:Na
答案: 【
Cu

3、 问题:硅的四种掺杂方式有以下几种?( )
选项:
A:原位掺杂
B:离子注入
C:扩散掺杂法
D:中子嬗变掺杂
答案: 【
原位掺杂
离子注入
扩散掺杂法
中子嬗变掺杂

4、 问题:金刚石结构的立方晶胞空间利用率为34%。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

5、 问题:硅的解理面为(110)面。 ( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

第三章 单元测试

1、 问题:金刚石结构的立方晶胞空间利用率为74%。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【


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