2021 模拟电子技术基础(西安交通大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-03-08到2021-08-31

第二周：第2章半导体晶体管及放大电路基础 第1章半导体二极管及其应用自测题

小提示:本节包含奇怪的同名章节内容

1、 问题:本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是        
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:无关
答案: 【等于】

2、 问题:在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于               。
选项：
A:材料
B:温度
C:压力
D: 掺杂浓度
答案: 【 掺杂浓度】

3、 问题:在掺杂半导体中，少子的浓度受           的影响很大。
选项：
A:温度
B:掺杂工艺
C:掺杂浓度
D:压力
答案: 【温度】

4、 问题:在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度              。
选项：
A:越高
B:越低
C:不变
D:无法判断
答案: 【越低】

5、 问题:N型半导体               。
选项：
A:就是空穴型半导体
B:带正电
C:带负电
D:呈电中性
答案: 【呈电中性】

6、 问题:温度升高，N型半导体的电阻率               。
选项：
A:将增大
B:将减小
C:不变
D:无法判断
答案: 【将增大】

7、 问题:环境温度升高，二极管的反向饱和电流             
选项：
A:将增大
B:将减小
C:不变
D:无法判断
答案: 【将增大】

8、 问题:普通二极管的正向电压降温度系数                   。
选项：
A:为正
B:为负
C:为零
D:无法判断
答案: 【为负】

9、 问题:确保二极管安全工作的两个主要参数分别是           和          。
选项：
A:UD ，IF 
B:IF ，IS 
C:UD，UR
D:IF，UR
答案: 【IF，UR】

10、 问题:对于稳定电压为10V的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压          。
选项：
A:将升高
B:将降低
C:不变
D:无法判断
答案: 【将升高】

11、 问题:二极管的反偏电压升高，其结电容          。
选项：
A:增大
B:减小
C:不变
D:无法判断
答案: 【减小】

12、 问题:硅二极管的死区电压约为          。
选项：
A:0.1V
B:0.2V
C:0.3V
D:0.5V
答案: 【0.5V】

13、 问题:二极管的伏安特性表示式为            。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

14、 问题:已知二极管的静态工作点UD和ID，则其静态电阻为          。
选项：
A:UD/ID
B:UT/ID
C:UD/IS
D:UT/IS
答案: 【UD/ID】

15、 问题:已知二极管的静态工作点UD和ID，则其动态电阻为             。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

16、 问题:某硅二极管在正向电压时，正向电流。若增大到0.66V，则电流约为          。
选项：
A:11mA
B:20mA
C:500mA
D:100mA
答案: 【100mA】

17、 问题:当环境温度升高时，二极管的正向电压将    ，反向饱和电流将    。
选项：
A:增大，减小
B:增大，增大
C:减小，增大
D:减小，减小
答案: 【减小，增大】

18、 问题:当PN结正向偏置时，耗尽层    。当PN结反向偏置时，耗尽层    。
选项：
A:变宽，变窄
B:变宽，变宽
C:变窄，变窄
D:变窄，变宽
答案: 【变窄，变宽】

19、 问题:电路如图所示。其中限流电阻R=2kΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V，正向压降为0.7V，动态电阻可以忽略。试求a,b,c,d各电路输出端A、B两端之间电压UAB的值。
选项：
A:14V，6V，6.7V，0.7V
B:14V，6V，0.7V，6.7V
C:14.7V，6V，0.7V，6.7V
D:14.7V，6V，6.7V，0.7V
答案: 【14V，6V，6.7V，0.7V】

20、 问题:设图所示各电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管D或D1是导通还是截止。
选项：
A:截止，导通，导通，截止
B:导通，导通，截止，截止
C:导通，截止，截止，导通
D:截止，截止，导通，导通
答案: 【截止，导通，导通，截止】

第三周：第2章半导体晶体管及放大电路基础 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题（1）

小提示:本节包含奇怪的同名章节内容

1、 问题:晶体管能够放大的外部条件是             。
选项：
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 【发射结正偏，集电结反偏】

2、 问题:当晶体管工作于饱和状态时，其             。
选项：
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 【发射结正偏，集电结正偏】

3、 问题:硅晶体管的死区电压约为             。
选项：
A:0.1V
B:0.2V