第一章 单元测试

1、 问题:

如图所示电路是哪种半导体的电路模型。()

5.png

选项:
A:本征半导体
B:N型半导体
C:P型半导体
D:杂质半导体
答案: 【
P型半导体

2、 问题:

当温度降低时,二极管的反向饱和电流将(   )。

选项:
A:增大
B:减小
C:不变
D:无法确定
答案: 【
减小

3、 问题:

当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将(   )。

选项:
A:减小
B:增大
C:不变
D:无法确定
答案: 【
增大

4、 问题:

一场效应管的符号如下所示,它是(   )。

N沟道耗尽型.png

选项:
A:N沟道增强型
B:N沟道耗尽型
C:P沟道增强型
D:P沟道耗尽型
答案: 【
N沟道耗尽型

5、 问题:

时,能够工作在恒流区的场效应管有(   )。

选项:
A:结型场效应管
B:N沟道增强型MOS管
C:N沟道耗尽型MOS管
D:P沟道增强型MOS管
答案: 【
结型场效应管
N沟道耗尽型MOS管

6、 问题:

在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为N型半导体。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

7、 问题:

本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。(   )

选项:
A:对
B:错
答案: 【

8、 问题:

PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()

选项:
A:对
B:错
答案: 【

9、 问题:

因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。()

选项:
A:对
B:错
答案: 【

10、 问题:

三极管放大时,内部两个PN结的偏置状态应为()。

选项:
A:发射结正偏,集电结也正偏
B:发射结正偏,集电结反偏
C:发射结反偏,集电结正偏
D:发射结反偏,集电结也反偏
答案: 【
发射结正偏,集电结反偏

第二章 单元测试

1、 问题:

在放大电路中,输出电流和输出电压都是由有源元件提供的。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

2、 问题:

由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

3、 问题:

在分析放大电路时,应遵循“先动态,后静态”的原则;

选项:
A:对
B:错
答案: 【

4、 问题:

放大电路的输出电阻与负载无关。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

5、 问题:

下列哪种电路只放大电压不放大电流。( )

选项:
A:共射
B:共集
C:共基
D:两级共射
答案: 【
共基

6、 问题:

为使场效应管放大电路能够正常放大,场效应管应该工作在( )

选项:
A:放大区
B:饱和区
C:截止区
D:恒流区
答案: 【
恒流区

7、 问题:

计算如下电路的电压放大倍数( 

image.png

选项:
A:-200
B:-125
C:200
D:125
答案: 【
-200

8、 问题:

对放大电路的最基本的要求是(  

选项:
A:不失真
B:输入电阻大
C:能够放大
D:输出电阻小
答案: 【
不失真
能够放大

9、 问题:

典型的静态工作点稳定电路Q点稳定的原因是(  

选项:
A:旁路电容的影响
B:Re的直流负反馈的作用;
C:电源VCC的取值
D:UBQ在温度变化时基本不变
答案: 【
Re的直流负反馈的作用;
UBQ在温度变化时基本不变

10、 问题:

共集放大电路的特点有哪些(  

选项:
A:输入电阻大
B:输出电阻小
C:带负载能力强
D:从信号源索取的电流小
答案: 【
输入电阻大
输出电阻小
带负载能力强
从信号源索取的电流小

第三章 单元测试

1、 问题:

差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的(        )。

选项:
A:和
B:差
C:几何平均值
D:算数平均值
答案: 【


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